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IRF7301PBF

Name: IRF7301PBF
Rating: 4.5 (10 reviews)

IRF7301PBF from Infineon: An 8-Pin SOIC-packaged Dual N-Channel MOSFET capable of handling 5.2 A and 20 V

ブランド: Infineon Technologies

製造元部品 #: IRF7301PBF

データシート: IRF7301PBF データシート (PDF)

パッケージ/ケース: 8-SOIC

製品の種類: FET, MOSFET Arrays

RoHS ステータス:

在庫状況: 5,676 個、新しいオリジナル

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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IRF7301PBF 概要

Constructed using Silicon Metal-oxide Semiconductor technology, this MOSFET offers excellent switching speeds and thermal performance, making it an ideal choice for power switching applications. The MS-012AA package ensures easy integration into circuit designs

特徴

The IRF6645PbF combines the latest HEXFET® Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFETTM packaging to achieve the lowest on-state resistance in a package that has the footprint of an Micro8 and only 0.7 mm profile. The DirectFET package is compatible with existing layout geometries used in power applications, PCB assembly equipment and vapor phase, infra-red or convection soldering techniques, when application note AN-1035 is followed regarding the manufacturing methods and processes. The DirectFET package allows dual sided cooling to maximize thermal transfer in power systems, improving previous best thermal resistance by 80%.The IRF6645PbF is optimized for primary side bridge topologies in isolated DC-DC applications, for wide range universal input Telecom applications (36V - 75V), and for secondary side synchronous rectification in regulated DC-DC topologies. The reduced total losses in the device coupled with the high level of thermal performance enables high efficiency and low temperatures, which are key for system reliability improvements, and makes this device ideal for high performance isolated DC-DC converters. Features:

RoHS Compliant

Lead-Free (Qualified up to 260°C Reflow)

Application Specific MOSFETs

Ideal for High Performance Isolated Converter

Primary Switch Socket

Optimized for Synchronous Rectification

Low Conduction Losses

High Cdv/dt Immunity

Low Profile (<0.7mm)

Dual Sided Cooling Compatible

Compatible with existing Surface Mount Techniques

仕様

パラメータ	価値	パラメータ	価値
Series	HEXFET®	Package	Tube
Product Status	Discontinued at Digi-Key	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Configuration	2 N-Channel (Dual)	FET Feature	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	5.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	50mOhm @ 2.6A, 4.5V	Vgs(th) (Max) @ Id	700mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 4.5V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	660pF @ 15V
Power - Max	2W	Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Package / Case	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package	8-SO

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