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IPW60R190P6

Name: IPW60R190P6
Brand: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Rating: 4.8 (10 reviews)

Power Field-Effect Transistor IPW60R190P6

ブランド: INFINEON TECHNOLOGIES AG

製造元部品 #: IPW60R190P6

データシート: IPW60R190P6 データシート (PDF)

パッケージ/ケース: TO-247

RoHS ステータス:

在庫状況: 6,283 個、新しいオリジナル

製品の種類: Single FETs, MOSFETs

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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*すべての価格は米ドルです

数量	単価	外部価格
1	$4.316	$4.316
10	$3.813	$38.130
30	$3.513	$105.390
90	$2.625	$236.250

在庫あり: 6,283 PCS

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IPW60R190P6 概要

N-Channel 600 V 20.2A (Tc) 151W (Tc) Through Hole PG-TO247-3

特徴

Increased MOSFET dv/dt ruggedness
Extremely low losses due to very low FOM Rdson Qg and Eoss
Very high commutation ruggedness
Easy to use/drive
Pb-free plating, Halogen free mold compound
Qualified for industrial grade applications according to JEDEC(J-STD20
and JESD22)

応用

PFC stages, hard switching PWM stages and resonant switching stages
for e.g. PC Silverbox, Adapter, LCD & PDPTV, Lighting, Server, Telecom
and UPS.

仕様

パラメータ	価値	パラメータ	価値
Source Content uid	IPW60R190P6	Pbfree Code	Yes
Rohs Code	Yes	Part Life Cycle Code	Active
Ihs Manufacturer	INFINEON TECHNOLOGIES AG	Package Description	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code	compliant	ECCN Code	EAR99
Samacsys Manufacturer	Infineon	Avalanche Energy Rating (Eas)	419 mJ
Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	DS Breakdown Voltage-Min	600 V
Drain Current-Max (ID)	20.2 A	Drain-source On Resistance-Max	0.19 Ω
FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95 Code	TO-247
JESD-30 Code	R-PSFM-T3	JESD-609 Code	e3
Number of Elements	1	Number of Terminals	3
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE	Operating Temperature-Max	150 °C
Operating Temperature-Min	-55 °C	Package Body Material	PLASTIC/EPOXY
Package Shape	RECTANGULAR	Package Style	FLANGE MOUNT
Polarity/Channel Type	N-CHANNEL	Pulsed Drain Current-Max (IDM)	57 A
Surface Mount	NO	Terminal Finish	TIN
Terminal Form	THROUGH-HOLE	Terminal Position	SINGLE
Transistor Application	SWITCHING	Transistor Element Material	SILICON
Series	CoolMOS™ P6	Package	Tube
Product Status	Active	FET Type	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	Drain to Source Voltage (Vdss)	600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	20.2A (Tc)	Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	190mOhm @ 7.6A, 10V	Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 630µ
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	11 nC @ 10 V	Vgs (Max)	±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1750 pF @ 100 V	Power Dissipation (Max)	151W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Through Hole
Supplier Device Package	PG-TO247-3	Package / Case	TO-247-3
Base Product Number	IPW60R190

配送

	配送料	リードタイム
DHL	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
フェデックス	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
UPS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
TNT	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
EMS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
登録された航空便	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々

処理時間：送料は地域や国によって異なります。

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支払条件		ハンドフィー
	電信送金	銀行手数料 US$30.00 を請求します。
	ペイパル	4.0％のサービス料がかかります。
	クレジットカード	3.5％のサービス料がかかります。
	ウエスタンユニオン	charge US.00 banking fee.
	送金サービス	銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。

保証

1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。

2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。

パッキング

ステップ1 :製品
ステップ2 :真空包装
ステップ3 :静電気防止袋
ステップ4 :個包装
ステップ5 :梱包箱
ステップ6 :バーコード配送タグ

すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。

社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。

私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。

すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。

パーツポイント

The IPW60R190P6 is a high-power MOSFET transistor with a voltage rating of 600V and a current rating of 30A. It is designed for use in power supply applications and offers low on-state resistance and fast switching capabilities. This chip is ideal for high power and high-efficiency electronic systems.
Equivalent

Some equivalent products of the IPW60R190P6 chip are Infineon IPP60R190E6, STMicroelectronics STPSC6H065DI, and ON Semiconductor NTMFS4C805N. These chips have similar specifications and can be used as replacements for the IPW60R190P6 in various applications.
Features

- N-channel enhancement mode power MOSFET - Low on-resistance of 0.19 ohm - High frequency capability - Suitable for high-speed switching applications - High power density - Enhanced overall efficiency - Reduced power losses - Designed for use in power supplies, motor control, and other applications requiring high power switching.
Pinout

The IPW60R190P6 is a power MOSFET with a pin count of 3 (gate, drain, source) and is typically used in high-power applications. Its function is to switch and control the flow of electrical power in a circuit, providing efficient power distribution and performance.
Manufacturer

Infineon Technologies AG is the manufacturer of IPW60R190P6. It is a semiconductor manufacturing company specializing in power electronics, security solutions, automotive electronics, and industrial automation. Infineon is known for its innovative and high-quality products used in various industries such as automotive, industrial, and consumer electronics.
Application Field

IPW60R190P6 is a power MOSFET designed for use in automotive applications, such as engine management systems, DC-DC converters, and LED drivers. It is also suitable for industrial applications requiring high efficiency and reliability, such as power supplies, motor control, and inverters.
Package

The IPW60R190P6 is a MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) chip. It comes in a TO-247 package with a form factor of rectangular and a size of approximately 15.54mm x 28.5mm x 4.6mm.