このウェブサイトは Cookie を使用しています。 このサイトを使用すると、Cookie の使用に同意したことになります。 詳細については、こちらをご覧ください プライバシーポリシー.

注文金額が

$5000
得る $50 割引 !

IPD031N06L3G

High-current 60V N-Channel Power MOSFET

ISO14001 ISO9001 DUNS

ブランド: Infineon Technologies

製造元部品 #: IPD031N06L3G

データシート: IPD031N06L3G データシート (PDF)

パッケージ/ケース: TO-252-3,DPak(2Leads+Tab),SC-63

製品の種類: Single FETs, MOSFETs

RoHS ステータス:

在庫状況: 7,111 個、新しいオリジナル

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

簡単な見積もり

RFQを提出してください IPD031N06L3G またはメールでご連絡ください: メール: [email protected], 12時間以内にご連絡させていただきます。

IPD031N06L3G 概要

Elevate your electronic designs with the IPD031N06L3G Power Field-Effect Transistor, a high-quality component that delivers exceptional performance. This N-Channel transistor features a current rating of 100A and a voltage rating of 60V, making it perfect for power management systems. Its low on-resistance of 0.0031ohm ensures efficient power delivery and reliable operation in demanding circuit applications. The TO-252AA package, constructed with Green Plastic material, provides a sturdy and environmentally friendly housing solution for the transistor. With its Silicon Metal-oxide Semiconductor FET design and 3 PIN configuration, the IPD031N06L3G is easy to integrate into circuit designs for seamless functionality

特徴

Fast switching MOSFET for SMPS

Optimized technology for DC/DC converters

Qualified according to JEDEC1) for target applications

N-channel, logic level

Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)

Very low on-resistance R DS(on)

Avalanche rated

Pb-free plating; RoHS compliant

Halogen-free according to IEC61249-2-21 *

仕様

パラメータ 価値 パラメータ 価値
Series OptiMOS™ Product Status Active
FET Type N-Channel Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.1mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 93µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 79 nC @ 4.5 V
Vgs (Max) ±20V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 13000 pF @ 30 V
Power Dissipation (Max) 167W (Tc) Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Supplier Device Package PG-TO252-3
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

配送

配送タイプ 配送料 リードタイム
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
Fedex フェデックス $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
登録された航空便 登録された航空便 $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々

処理時間:送料は地域や国によって異なります。

支払い

支払条件 ハンドフィー
電信送金 電信送金 銀行手数料 US$30.00 を請求します。
ペイパル ペイパル 4.0%のサービス料がかかります。
クレジットカード クレジットカード 3.5%のサービス料がかかります。
ウエスタンユニオン ウエスタンユニオン charge US.00 banking fee.
送金サービス 送金サービス 銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。

保証

1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。

2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。 ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。

パッキング

  • 製品

    ステップ1 :製品

  • 真空包装

    ステップ2 :真空包装

  • 静電気防止袋

    ステップ3 :静電気防止袋

  • 個包装

    ステップ4 :個包装

  • 梱包箱

    ステップ5 :梱包箱

  • バーコード配送タグ

    ステップ6 :バーコード配送タグ

すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。

社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。

私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。

すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。 優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。

  • ESD
  • ESD

パーツポイント

  • The IPD031N06L3G is a MOSFET power transistor chip designed for high power applications. It offers low conduction and switching losses, making it ideal for efficient power conversion in various electronic devices. With a high current rating and low Rds(on) value, this chip is suitable for use in motor control, power supplies, and other power management applications.
  • Equivalent

    Some equivalent products of IPD031N06L3G chip are IPI065N12N3G and IPI065N12N3 G. These products have similar specifications and can serve as alternative options for the IPD031N06L3G chip in various applications.
  • Features

    - IPD031N06L3G is a N-channel power MOSFET with low RDS(on) of 3.1mΩ - It can handle high current of up to 100A - Features a low gate charge of 30nC for fast switching - Suitable for high current applications such as motor control, power supplies, and inverters
  • Pinout

    The IPD031N06L3G is a MOSFET transistor with a pin count of 3. The functions of each pin are as follows: Pin 1 is the Gate, Pin 2 is the Drain, and Pin 3 is the Source. It is commonly used for switching and amplification in electronic circuits.
  • Manufacturer

    The manufacturer of the IPD031N06L3G is Infineon Technologies AG. Infineon is a German semiconductor company that produces a wide range of products including power semiconductors, sensors, and microcontrollers for various industries such as automotive, industrial, and consumer electronics. They are known for their innovative and high-quality products in the semiconductor sector.
  • Application Field

    The IPD031N06L3G is a power MOSFET transistor primarily used in applications such as voltage regulators, motor control, and power management in electronic devices. It is commonly found in power supplies, battery management systems, and automotive electronics due to its high efficiency, fast switching speeds, and low on-resistance.
  • Package

    The IPD031N06L3G chip is available in a TO-252 package type. It is a MOSFET transistor that comes in a single form and size, measuring 10.1mm x 6.5mm x 2.5mm.

私たちは高品質の製品、思いやりのあるサービス、販売後の保証を提供します

  • 製品

    豊富な商品を取り揃えておりますので、お客様の様々なニーズにお応え致します。

  • quantity

    最小注文数量は1個からとなります。

  • shipping

    最低国際配送料は0.00ドルから

  • 保証

    全商品365日品質保証

評価とレビュー

評価
製品を評価してください。
コメントを入力してください

コメントはアカウントにログインしてから送信してください。

提出する

推薦する

  • AO4292E

    AO4292E

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    High-quality 100V 8A SOIC-8 MOSFET with 23mΩ resi...

  • VQ1004P

    VQ1004P

    Vishay

    VQ1004P by Siliconix

  • STS4DPF30L

    STS4DPF30L

    Stmicroelectronics

    Dual P-channel MOSFET Transistor STS4DPF30L featur...

  • STS9D8NH3LL

    STS9D8NH3LL

    STMicroelectronics

    Dual N-channel 30V MOSFET, with 0.012 Ohm resistan...

  • RFP30P05

    RFP30P05

    Onsemi

    MOSFET Power P-Channel TO-220AB

  • NE3210S01-T1B

    NE3210S01-T1B

    Cel

    High-Frequency NE3210S01-T1B Transistor: Incorpora...