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IPD031N06L3GATMA1

Name: IPD031N06L3GATMA1
Brand: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Rating: 4.8 (10 reviews)

IPD031N06L3GATMA1 is a power MOSFET designed for N-channel operation, supporting up to 60 volts and 100 amperes of current

ブランド: INFINEON TECHNOLOGIES AG

製造元部品 #: IPD031N06L3GATMA1

データシート: IPD031N06L3GATMA1 データシート (PDF)

パッケージ/ケース: TO-252AA

RoHS ステータス:

在庫状況: 8,087 個、新しいオリジナル

製品の種類: Single FETs, MOSFETs

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

価格設定

*すべての価格は米ドルです

数量	単価	外部価格
1	$2.008	$2.008
10	$1.720	$17.200
30	$1.540	$46.200
100	$1.356	$135.600
500	$1.210	$605.000
1000	$1.175	$1175.000

在庫あり: 8,087 PCS

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IPD031N06L3GATMA1 概要

The IPD031N06L3GATMA1 is a high-performing Power Field-Effect Transistor designed for applications requiring a maximum current rating of 100A and a voltage rating of 60V. With a low on-resistance of 0.0031ohm, this N-Channel MOSFET offers efficient power management capabilities in various electronic circuits. The TO-252AA package ensures easy installation and heat dissipation, making it suitable for demanding industrial and automotive environments

特徴

LOGIC LEVEL COMPATIBLE

応用

SWITCHING

仕様

パラメータ	価値	パラメータ	価値
Source Content uid	IPD031N06L3GATMA1	Pbfree Code	No
Rohs Code	Yes	Part Life Cycle Code	Active
Ihs Manufacturer	INFINEON TECHNOLOGIES AG	Part Package Code	TO-252AA
Package Description	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	Pin Count	4
Reach Compliance Code	not_compliant	ECCN Code	EAR99
Samacsys Manufacturer	Infineon	Additional Feature	LOGIC LEVEL COMPATIBLE
Avalanche Energy Rating (Eas)	149 mJ	Case Connection	DRAIN
Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	DS Breakdown Voltage-Min	60 V
Drain Current-Max (ID)	100 A	Drain-source On Resistance-Max	0.0031 Ω
FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95 Code	TO-252AA
JESD-30 Code	R-PSSO-G2	JESD-609 Code	e3
Moisture Sensitivity Level	1	Number of Elements	1
Number of Terminals	2	Operating Mode	ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max	175 °C	Package Body Material	PLASTIC/EPOXY
Package Shape	RECTANGULAR	Package Style	SMALL OUTLINE
Polarity/Channel Type	N-CHANNEL	Pulsed Drain Current-Max (IDM)	400 A
Qualification Status	Not Qualified	Surface Mount	YES
Terminal Finish	TIN	Terminal Form	GULL WING
Terminal Position	SINGLE	Transistor Application	SWITCHING
Transistor Element Material	SILICON	Series	OptiMOS™
Product Status	Active	FET Type	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	100A (Tc)	Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.1mOhm @ 100A, 10V	Vgs(th) (Max) @ Id	2.2V @ 93µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	79 nC @ 4.5 V	Vgs (Max)	±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	13000 pF @ 30 V	Power Dissipation (Max)	167W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Supplier Device Package	PG-TO252-3	Package / Case	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Base Product Number	IPD031

配送

	配送料	リードタイム
DHL	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
フェデックス	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
UPS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
TNT	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
EMS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
登録された航空便	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々

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