画像は参考用です。製品仕様を参照してください。
注文金額が
$5000IPB048N15N5LFATMA1
Trans MOSFET N-CH 150V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
ブランド: INFINEON TECHNOLOGIES AG
製造元部品 #: IPB048N15N5LFATMA1
データシート: IPB048N15N5LFATMA1 データシート (PDF)
パッケージ/ケース: TO-263-3
製品の種類: Single FETs, MOSFETs
IPB048N15N5LFATMA1 概要
Mosfet, N-Ch, 150V, 120A, 150Deg C, 313W; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:150V; Continuous Drain Current Id:120A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4.1V Rohs Compliant: Yes |Infineon IPB048N15N5LFATMA1
特徴
Ideal for hot-swap and e-fuse applications
Very low on-resistance RDS(on)
Wide safe operating area SOA
N-channel; Normal level
100% Avalanche tested
Pb-free plating; RoHS compliant
Qualified according to JEDEC1) for target applications
Halogen-free according to IEC61249-2-21
応用
SWITCHING仕様
| パラメータ | 価値 | パラメータ | 価値 |
|---|---|---|---|
| Rohs Code | Yes | Part Life Cycle Code | Active |
| Ihs Manufacturer | INFINEON TECHNOLOGIES AG | Package Description | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| Reach Compliance Code | not_compliant | ECCN Code | EAR99 |
| Factory Lead Time | 53 Weeks, 1 Day | Samacsys Manufacturer | Infineon |
| Avalanche Energy Rating (Eas) | 30 mJ | Case Connection | DRAIN |
| Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | DS Breakdown Voltage-Min | 150 V |
| Drain Current-Max (ID) | 120 A | Drain-source On Resistance-Max | 0.0048 Ω |
| FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | Feedback Cap-Max (Crss) | 23 pF |
| JEDEC-95 Code | TO-263AB | JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
| JESD-609 Code | e3 | Moisture Sensitivity Level | 1 |
| Number of Elements | 1 | Number of Terminals | 2 |
| Operating Mode | ENHANCEMENT MODE | Operating Temperature-Max | 150 °C |
| Operating Temperature-Min | -55 °C | Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Shape | RECTANGULAR | Package Style | SMALL OUTLINE |
| Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 | Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
| Power Dissipation-Max (Abs) | 313 W | Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 480 A |
| Surface Mount | YES | Terminal Finish | TIN |
| Terminal Form | GULL WING | Terminal Position | SINGLE |
| Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 30 | Transistor Application | SWITCHING |
| Transistor Element Material | SILICON |
配送
| 配送タイプ | 配送料 | リードタイム | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
 |
フェデックス | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
 |
登録された航空便 | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
処理時間：送料は地域や国によって異なります。
支払い
| 支払条件 | ハンドフィー | |
|---|---|---|
 |
電信送金 | 銀行手数料 US$30.00 を請求します。 |
 |
ペイパル | 4.0％のサービス料がかかります。 |
 |
クレジットカード | 3.5％のサービス料がかかります。 |
 |
ウエスタンユニオン | charge US.00 banking fee. |
 |
送金サービス | 銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。 |
保証
1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。
2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。 ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。
パッキング
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![製品]( "製品")
ステップ1 :製品
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![真空包装]( "真空包装")
ステップ2 :真空包装
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![静電気防止袋]( "静電気防止袋")
ステップ3 :静電気防止袋
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![個包装]( "個包装")
ステップ4 :個包装
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![梱包箱]( "梱包箱")
ステップ5 :梱包箱
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![バーコード配送タグ]( "バーコード配送タグ")
ステップ6 :バーコード配送タグ
すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。
社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。
私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。
すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。 優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。
パーツポイント
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The IPB048N15N5LFATMA1 chip is a high-performance power MOSFET designed for a wide range of applications, including power management, motor control, and voltage regulation. With a low on-resistance and high efficiency, this chip is ideal for use in automotive and industrial settings where reliability and performance are critical. Its compact size and excellent thermal performance make it a popular choice for engineers looking to enhance their designs.
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Equivalent
The equivalent products of IPB048N15N5LFATMA1 chip are Infineon IPP048N15N5 or IPB048N15N5. These chips are also MOSFETs with similar specifications and capabilities, and can be used as substitutes for the original chip in various applications. -
Features
- N-channel OptiMOS™ Power MOSFET - Low on-state resistance - 150 V drain-source voltage - 48 A continuous drain current - Suitable for use in high-power applications - Optimized for high frequency operation and low switching losses - Qualified according to AEC Q101 standard for automotive applications -
Pinout
The IPB048N15N5LFATMA1 is a MOSFET with a pin count of 3. The functions of the pins are as follows: Pin 1 is the Gate, Pin 2 is the Drain, and Pin 3 is the Source. This MOSFET is designed for use in power management applications. -
Manufacturer
The manufacturer of the IPB048N15N5LFATMA1 is Infineon Technologies AG, a German multinational semiconductor manufacturer. Infineon specializes in manufacturing a wide range of semiconductor solutions for automotive, industrial, and power electronics applications. -
Application Field
The IPB048N15N5LFATMA1 is primarily used in industrial applications such as power supplies, motor control, and inverters. It is also commonly used in automotive systems, including electric vehicles, charging infrastructure, and battery management systems. The high performance and reliability of this power MOSFET make it suitable for various high-power applications. -
Package
The IPB048N15N5LFATMA1 chip is in a TO-263-7 package, with a surface-mount form factor. It has dimensions of 6.6mm x 9.3mm x 2.5mm.
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