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FDV303N

Name: FDV303N
Brand: Onsemi
Rating: 4.8 (10 reviews)

N-Channel Digital FET 25V, 0.68A, 0.45Ω

ブランド: Onsemi

製造元部品 #: FDV303N

データシート: FDV303N データシート (PDF)

パッケージ/ケース: SOT-23-3

RoHS ステータス:

在庫状況: 8,893 個、新しいオリジナル

製品の種類: Single FETs, MOSFETs

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

価格設定

*すべての価格は米ドルです

数量	単価	外部価格
5	$0.078	$0.390
50	$0.062	$3.100
150	$0.055	$8.250
500	$0.050	$25.000
3000	$0.046	$138.000
6000	$0.043	$258.000

在庫あり: 8,893 PCS

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FDV303N 概要

The FDV303N is a standout N-Channel enhancement mode field effect transistor that utilizes proprietary high cell density DMOS technology to minimize on-state resistance at low gate drive conditions. This design makes it an ideal choice for battery circuits using lithium, cadmium, or NMH cells. Its versatility extends to applications such as inverters and high-efficiency miniature discrete DC/DC conversion in portable electronic devices, offering exceptional performance even at gate drive voltages as low as 2.5 volts

特徴

25 V, 0.68 A continuous, 2 A Peak
R_DS(ON)= 0.45 Ω @ V_GS= 4.5 V
R_DS(ON)= 0.6 Ω @ V_GS= 2.7 V
Very low level gate drive requirements allowing direct operation in 3V circuits. V_GS(th) < 1.0V
Gate-Source Zener for ESD ruggedness. >6kV Human Body Model
Compact industry standard SOT-23 surface mount package
Alternative to TN0200T and TN0201T

応用

This product is general usage and suitable for many different applications.

仕様

パラメータ	価値	パラメータ	価値
Product Category	MOSFET	RoHS	Details
Technology	Si	Mounting Style	SMD/SMT
Package / Case	SOT-23-3	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	25 V
Id - Continuous Drain Current	680 mA	Rds On - Drain-Source Resistance	450 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 8 V, + 8 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	650 mV
Qg - Gate Charge	2.3 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	350 mW
Channel Mode	Enhancement	Series	FDV303N
Brand	onsemi / Fairchild	Configuration	Single
Fall Time	8.5 ns	Forward Transconductance - Min	1.45 S
Height	1.2 mm	Length	2.9 mm
Product	MOSFET Small Signals	Product Type	MOSFET
Rise Time	8.5 ns	Factory Pack Quantity	3000
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 N-Channel
Type	MOSFET	Typical Turn-Off Delay Time	17 ns
Typical Turn-On Delay Time	3 ns	Width	1.3 mm
Part # Aliases	FDV303N_NL

配送

	配送料	リードタイム
DHL	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
フェデックス	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
UPS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
TNT	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
EMS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
登録された航空便	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々

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	送金サービス	銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。

保証

1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。

2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。

パッキング

ステップ1 :製品
ステップ2 :真空包装
ステップ3 :静電気防止袋
ステップ4 :個包装
ステップ5 :梱包箱
ステップ6 :バーコード配送タグ

すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。

社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。

私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。

すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。

パーツポイント

The FDV303N is a low threshold N-channel enhancement mode MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) designed for use in high-speed switching applications. It has a low threshold voltage making it ideal for low-voltage applications and features a compact small signal SOT-23 package. The FDV303N offers high performance and reliability for a wide range of electronic circuits.
Equivalent

The equivalent products of the FDV303N chip are BC856B, BC856BT, BC856C, BC856CT, BC856BW, and BC856AW in SOT-523 package. These chips are general-purpose transistors with low voltage and high current capability, suitable for applications in amplification, switching, and voltage regulation circuits.
Features

1. High gain 2. Low noise figure 3. Small signal gain 4. Wide bandwidth 5. Wide dynamic range 6. High linearity 7. High power handling 8. Low distortion 9. Surface mount package 10. Low cost
Pinout

The FDV303N is a dual N-channel enhancement mode field-effect transistor (FET) with a pin count of 3. It functions as a low threshold voltage switch for control applications in portable equipment, battery management, and power management systems.
Manufacturer

FDV303N is manufactured by ON Semiconductor, a global supplier of semiconductor solutions. They offer a comprehensive portfolio of energy-efficient power management, analog, sensors, logic, timing, connectivity, discrete, SoC, and custom devices for a wide range of industries including automotive, communications, consumer, industrial, medical, and aerospace.
Application Field

- Industrial process control - Medical instrumentation - Automotive applications - Consumer electronics - Robotics - Home automation - Power management systems - Battery charging and management systems - Solar power systems - Temperature sensing and control systems
Package

The FDV303N chip comes in a SOT-23 package, with a form of surface mount and a size of 2.9mm x 1.3mm x 1.0mm.