画像は参考用です。製品仕様を参照してください。
注文金額が
$5000FDS6990AS
Featuring a 30V voltage tolerance and a substantial 7
ブランド: Onsemi
製造元部品 #: FDS6990AS
データシート: FDS6990AS データシート (PDF)
パッケージ/ケース: SOIC-8
製品の種類: FET, MOSFET Arrays
FDS6990AS 概要
The FDS6990AS is designed to replace a dual SO-8 MOSFET and two Schottky diodes in synchronous DC:DC power supplies. This 30V MOSFET is designed to maximize power conversion efficiency, providing a low RDS(ON) and low gate charge. Each MOSFET includes integrated Schottky diodes using a monolithic SyncFET technology. The performance of the FDS6990AS as the low-side switch in a synchronous rectifier is similar to the performance of the FDS6990A in parallel with a Schottky diode.
特徴
- 7.5A, 30V
RDS(ON) = 22 mΩ @ VGS = 10V
RDS(ON) = 28 mΩ @ VGS = 4.5V - Includes SyncFET Schottky body diode
- Low gate charge (10nC typical)
- High performance trench technology for extremely low RDS(ON)
- High power and current handling capability
応用
- This product is general usage and suitable for many different applications.
- DC/DC Converters
- Motor Drives
仕様
| パラメータ | 価値 | パラメータ | 価値 |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOIC-8 | Transistor Polarity | N-Channel |
| Number of Channels | 2 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
| Id - Continuous Drain Current | 7.5 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 17 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1 V |
| Qg - Gate Charge | 14 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 2 W |
| Channel Mode | Enhancement | Tradename | PowerTrench SyncFET |
| Series | FDS6990AS | Brand | onsemi / Fairchild |
| Configuration | Dual | Fall Time | 5 ns, 8 ns |
| Forward Transconductance - Min | 29 S | Height | 1.75 mm |
| Length | 4.9 mm | Product | MOSFET Small Signal |
| Product Type | MOSFET | Rise Time | 5 ns, 8 ns |
| Factory Pack Quantity | 2500 | Subcategory | MOSFETs |
| Transistor Type | 2 N-Channel | Type | FET |
| Typical Turn-Off Delay Time | 24 ns, 14 ns | Typical Turn-On Delay Time | 8 ns, 9 ns |
| Width | 3.9 mm | Part # Aliases | FDS6990AS_NL |
| Unit Weight | 0.007408 oz |
配送
| 配送タイプ | 配送料 | リードタイム | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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フェデックス | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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登録された航空便 | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
処理時間：送料は地域や国によって異なります。
支払い
| 支払条件 | ハンドフィー | |
|---|---|---|
 |
電信送金 | 銀行手数料 US$30.00 を請求します。 |
 |
ペイパル | 4.0％のサービス料がかかります。 |
 |
クレジットカード | 3.5％のサービス料がかかります。 |
 |
ウエスタンユニオン | charge US.00 banking fee. |
 |
送金サービス | 銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。 |
保証
1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。
2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。 ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。
パッキング
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![製品]( "製品")
ステップ1 :製品
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![真空包装]( "真空包装")
ステップ2 :真空包装
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![静電気防止袋]( "静電気防止袋")
ステップ3 :静電気防止袋
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![個包装]( "個包装")
ステップ4 :個包装
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![梱包箱]( "梱包箱")
ステップ5 :梱包箱
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![バーコード配送タグ]( "バーコード配送タグ")
ステップ6 :バーコード配送タグ
すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。
社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。
私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。
すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。 優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。
パーツポイント
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The FDS6990AS is a high-performance power MOSFET chip designed for use in various electronic applications. It offers low on-resistance and high switching speed, making it ideal for power management and control in devices such as smartphones, laptops, and power supplies. With its compact size and efficient design, the FDS6990AS provides reliable and cost-effective solutions for power electronics.
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Equivalent
The FDS6990AS is a dual N-channel PowerTrench® MOSFET by Fairchild Semiconductor. Equivalent products include Infineon's IPD90P04P4L-07 and ON Semiconductor's NTMFS4C06N. These MOSFETs share similar specifications and can be used as alternatives depending on application requirements. -
Features
- N-Channel PowerTrench MOSFET - Low on-resistance of 12 mΩ - Low gate charge - High current capacity of 285 A - Suitable for use in high-power applications - RoHS compliant and halogen-free -
Pinout
FDS6990AS is a dual N-channel PowerTrench MOSFET with a pin count of 8. It is used for high-side switching applications in power management circuits, battery chargers, and DC-DC converters. The device offers low on-resistance, fast switching speeds, and high current handling capabilities. -
Manufacturer
FDS6990AS is manufactured by Fairchild Semiconductor, an American company that specializes in developing and manufacturing a wide range of electronic components and semiconductors for various industries including automotive, communication, and consumer electronics. Fairchild Semiconductor was founded in 1957 and is headquartered in San Jose, California. -
Application Field
The FDS6990AS is a dual N-channel MOSFET commonly used in power management applications such as voltage regulation, DC-DC converters, and motor control. It is also suitable for use in power amplifiers, LED drivers, and battery charging circuits due to its low ON resistance and high switching speed capabilities. -
Package
The FDS6990AS chip is a power MOSFET packaged in a Surface Mount DIP-3 form. It has a TO-252AA (DPAK) package type with a size of 10.5mm x 6.1mm.
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