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画像は参考用です。製品仕様を参照してください。

ON BUV22G

Name: BUV22G
Rating: 4.5 (6 reviews)

Bipolar Transistors - BJT 40A 250V 250W NPN

ブランド: ON Semiconductor, LLC

製造元部品 #: BUV22G

データシート: BUV22G Datasheet (PDF)

パッケージ/ケース: TO-204-2

製品の種類: トランジスタ

RoHS ステータス:

在庫状況: 2377 個、新しいオリジナル

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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BUV22G 概要

TRANSISTOR; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 250V; Transition Frequency ft: 8MHz; Power Dissipation Pd: 250W; DC Collector Current: 40A; DC Current Gain hFE: 8hFE; Transistor Case Style: TO-3; No. of Pins: 2Pins; Operating Temperature Max: 200°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: -; SVHC: No SVHC (15-Jan-2018); Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 1.5V; Current Ic Continuous a Max: 40A; Gain Bandwidth ft Typ: 8MHz; Hfe Min: 10; Operating Temperature Min: -65°C; Operating Temperature Range: -65°C to +200°C; Termination Type: Through Hole

特徴

High DC current gain: HFE min. = 20 at I_C = 10 A
Low V_CE(sat): V_CE(sat) max. = 1.0 V at I_C = 10 A
Very fast switching times:
T_F max. = 0.35 ms at I_C = 20 A
Pb-Free Package is Available

応用

ONSEMI

仕様

パラメータ	価値	パラメータ	価値
Source Content uid	BUV22G	Pbfree Code	Yes
Part Life Cycle Code	Active	Ihs Manufacturer	ONSEMI
Part Package Code	TO-204 (TO-3)	Package Description	CASE 197A-05, TO-3, 2 PIN
Pin Count	2	Manufacturer Package Code	197A-05
Reach Compliance Code	not_compliant	ECCN Code	EAR99
Factory Lead Time	52 Weeks, 1 Day	Samacsys Manufacturer	onsemi
Case Connection	COLLECTOR	Collector Current-Max (IC)	40 A
Collector-Emitter Voltage-Max	250 V	Configuration	SINGLE
DC Current Gain-Min (hFE)	10	JEDEC-95 Code	TO-204AE
JESD-30 Code	O-MBFM-P2	JESD-609 Code	e1
Number of Elements	1	Number of Terminals	2
Operating Temperature-Max	200 °C	Package Body Material	METAL
Package Shape	ROUND	Package Style	FLANGE MOUNT
Polarity/Channel Type	NPN	Power Dissipation-Max (Abs)	250 W
Qualification Status	Not Qualified	Surface Mount	NO
Terminal Finish	TIN SILVER COPPER	Terminal Form	PIN/PEG
Terminal Position	BOTTOM	Transistor Application	SWITCHING
Transistor Element Material	SILICON	Transition Frequency-Nom (fT)	8 MHz
feature-type	NPN	feature-category	Bipolar Power
feature-material	Si	feature-configuration	Single
feature-number-of-elements-per-chip	1	feature-maximum-collector-base-voltage-v	300
feature-maximum-collector-emitter-voltage-v	250	feature-maximum-emitter-base-voltage-v	7
feature-maximum-dc-collector-current-a	40	feature-minimum-dc-current-gain	20@10mA@4V\|10@20A@4V
feature-maximum-power-dissipation-mw	250000	feature-maximum-transition-frequency-mhz	8(Min)
feature-packaging	Tray	feature-rad-hard
feature-pin-count	3	feature-supplier-package	TO-204
feature-standard-package-name1	TO	feature-cecc-qualified	No
feature-esd-protection		feature-military	No
feature-aec-qualified	No	feature-aec-qualified-number
feature-auto-motive	No	feature-p-pap	No
feature-eccn-code	EAR99	feature-svhc	Yes
feature-svhc-exceeds-threshold	Yes

配送

	配送料	リードタイム
DHL	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
フェデックス	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
UPS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
TNT	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
EMS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
登録された航空便	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々

処理時間：送料は地域や国によって異なります。

支払い

支払条件		ハンドフィー
	電信送金	銀行手数料 US$30.00 を請求します。
	ペイパル	4.0％のサービス料がかかります。
	クレジットカード	3.5％のサービス料がかかります。
	ウエスタンユニオン	charge US.00 banking fee.
	送金サービス	銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。

保証

1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。

2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。

パッキング

ステップ1 :製品
ステップ2 :真空包装
ステップ3 :静電気防止袋
ステップ4 :個包装
ステップ5 :梱包箱
ステップ6 :バーコード配送タグ

すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。

社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。

私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。

すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。

パーツポイント

The BUV22G chip is a component used in power systems applications. It is a high-power N-channel MOSFET that provides efficient switching capabilities. The chip features low on-resistance and fast switching speed, making it suitable for applications requiring high power and reliable performance. Its compact design and thermal efficiency make it ideal for use in various power system designs.
Features

The features of BUV22G include a high power density, low forward voltage drop, high efficiency, and low leakage current. It also has a fast switching speed, high surge capability, and is suitable for use in high-frequency applications.
Pinout

The BUV22G is not a specific electronic component or device. Therefore, there is no defined pin count or function for it.
Application Field

The BUV22G is a gallium nitride (GaN) transistor that is commonly used in various applications such as power converters, wireless charging systems, telecom infrastructure, and satellite communications. It offers improved efficiency, higher power density, and greater ruggedness compared to traditional silicon-based transistors, making it suitable for applications that require high levels of power and performance.
Package

The BUV22G chip has a TO-3P package type, a discrete transistor form, and a size of TO-3P-3.