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ON 2SA2016-TD-E

Name: 2SA2016-TD-E
Brand: Onsemi
Rating: 4.8 (10 reviews)

PNP Bipolar Junction Transistors capable of handling 7A current and 50V voltage

ブランド: Onsemi

製造元部品 #: 2SA2016-TD-E

データシート: 2SA2016-TD-E Datasheet (PDF)

パッケージ/ケース: SOT-89

製品の種類: Single Bipolar Transistors

RoHS ステータス:

在庫状況: 2,960 個、新しいオリジナル

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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2SA2016-TD-E 概要

Bipolar (BJT) Transistor PNP 50 V 7 A 330MHz 3.5 W Surface Mount PCP

特徴

Superior performance
Ultra-fast switching speed
Advanced thermal management
Precision temperature control
Enhanced reliability features
Optimized power handling

応用

Speaker drivers, Heating drivers, Display drivers

仕様

パラメータ	価値	パラメータ	価値
Status	Active	Compliance	PbAHP
Package Type	SOT-89 / PCP-1	Case Outline	419AU
MSL Type	1	MSL Temp (°C)	260
Container Type	REEL	Container Qty.	1000
ON Target	Y	Polarity	PNP
Type	Low VCE(sat)	VCE(sat) Max (V)	0.39
IC Cont. (A)	7	VCEO Min (V)	50
VCBO (V)	100	VEBO (V)	6
VBE(sat) (V)	0.83	hFE Min	200
hFE Max	560	fT Min (MHz)	290
PTM Max (W)	1.3

配送

	配送料	リードタイム
DHL	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
フェデックス	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
UPS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
TNT	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
EMS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
登録された航空便	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々

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支払い

支払条件		ハンドフィー
	電信送金	銀行手数料 US$30.00 を請求します。
	ペイパル	4.0％のサービス料がかかります。
	クレジットカード	3.5％のサービス料がかかります。
	ウエスタンユニオン	charge US.00 banking fee.
	送金サービス	銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。

保証

1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。

2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。

パッキング

ステップ1 :製品
ステップ2 :真空包装
ステップ3 :静電気防止袋
ステップ4 :個包装
ステップ5 :梱包箱
ステップ6 :バーコード配送タグ

すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。

社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。

私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。

すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。

パーツポイント

The 2SA2016-TD-E chip is an electronic component used in various applications. It is a PNP silicon transistor with a maximum collector current of 100 mA and a maximum power dissipation of 500 mW. The chip offers high frequency performance, low noise, and low distortion characteristics, making it suitable for use in audio and general-purpose amplifiers.
Features

The features of 2SA2016-TD-E include a low VCE(sat) of 0.2V, a high hFE of 2000, a collector current (IC) of 0.05A, and a power dissipation (PD) of 0.15W. It is a small signal PNP bipolar transistor commonly used in low voltage amplifier applications.
Pinout

The 2SA2016-TD-E is a bipolar transistor. It has a pin count of 3 and the function of each pin is as follows: 1. Collector (C) 2. Base (B) 3. Emitter (E) It is commonly used in audio amplifier applications and other electronic circuits requiring high current gain and low noise performance.
Manufacturer

The manufacturer of the 2SA2016-TD-E is Toshiba. Toshiba is a multinational conglomerate company that specializes in various products and services, including electronics, semiconductors, and power systems.
Application Field

The 2SA2016-TD-E is a general-purpose NPN bipolar junction transistor that can be used in a wide range of circuits and applications. Some common application areas include audio amplifiers, switching circuits, voltage regulators, and general-purpose amplification where low noise and high current capability are required.
Package

The package type of the 2SA2016-TD-E chip is a TO-252G (DPAK) package. It has a form of SMD (Surface Mount Device) and a size of 6.86mm x 6.86mm x 2.4mm.