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2N5199

Name: 2N5199
Rating: 4.5 (10 reviews)

JFET JFET N-Channel Dual

ブランド: ONSEMI

製造元部品 #: 2N5199

データシート: 2N5199 データシート (PDF)

パッケージ/ケース: TO-71

製品の種類: JFETs

RoHS ステータス:

在庫状況: 7,207 個、新しいオリジナル

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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2N5199 概要

Transistor; Transistor Type:JFET; Power Dissipation Pd:500mW; Continuous Drain Current Id:7mA; Current Rating:50mA; Gate-Source Breakdown Voltage:-50V; Gate-Source Cutoff Voltage:-4V; Leaded Process Compatible:No ;RoHS Compliant: No

仕様

パラメータ	価値	パラメータ	価値
Description	JFET 50V 15pA	Datasheet	Product Comments
Availability	Not Available	RoHS	Details
Technology	Si	Mounting Style	Through Hole
Package / Case	TO-71	Transistor Polarity	N-Channel
Configuration	Single	Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage	- 50 V
Gate-Source Cutoff Voltage	- 4 V	Drain-Source Current at Vgs=0	700 uA to 7 mA
Minimum Operating Temperature	- 55 C

配送

	配送料	リードタイム
DHL	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
フェデックス	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
UPS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
TNT	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
EMS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
登録された航空便	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々

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支払条件		ハンドフィー
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	クレジットカード	3.5％のサービス料がかかります。
	ウエスタンユニオン	charge US.00 banking fee.
	送金サービス	銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。

保証

1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。

2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。

パッキング

ステップ1 :製品
ステップ2 :真空包装
ステップ3 :静電気防止袋
ステップ4 :個包装
ステップ5 :梱包箱
ステップ6 :バーコード配送タグ

すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。

社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。

私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。

すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。

パーツポイント

The 2N5199 is a high-power NPN transistor commonly used for switching and amplifier applications. It has a maximum collector current of 12A and a power dissipation of 150W. This transistor is suitable for use in high-power circuits where a robust and reliable device is required.
Equivalent

Some equivalent products of the 2N5199 chip include 2N3904, 2N2222, and PN2222. These are all general-purpose NPN transistors commonly used in electronic circuits for amplification and switching purposes.
Features

The 2N5199 is a silicon NPN transistor with a high gain and low noise figure, suitable for use in RF amplifier applications. It has a power dissipation of 1.2W, a collector-emitter voltage of 30V, and a maximum operating frequency of 500MHz. It comes in a TO-39 package.
Pinout

The 2N5199 is a high voltage NPN transistor with a TO-39 package. It has three pins: collector, base, and emitter. The collector current rating is 100mA with a power dissipation of 0.5W. It is mainly used for high voltage and high-speed switching applications.
Manufacturer

2N5199 is manufactured by Central Semiconductor Corp. It is an American semiconductor company that specializes in discrete semiconductor products for the electronics industry. They provide a wide range of high-performance products including diodes, transistors, and rectifiers to meet the needs of various applications such as automotive, industrial, and consumer electronics.
Application Field

2N5199 is commonly used in applications requiring high power transistors, such as RF amplifiers, oscillators, and power switching circuits. It is frequently found in industrial, commercial, and military electronic systems that demand reliable and efficient performance in high-power applications.
Package

The 2N5199 is a bipolar junction transistor (BJT) with a TO-39 package type and through-hole form. It has a maximum collector current (IC) rating of 1.5A and a maximum power dissipation of 0.8W. The dimensions of the package are approximately 10mm x 10mm x 10mm.