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$5000
Infineon BSM50GB120DN2
200V V(BR)CES, 78A I(C), Insulated Gate Bipolar Transistor, N-Channel
ブランド: Infineon
製造元部品 #: BSM50GB120DN2
データシート: BSM50GB120DN2 データシート (PDF)
パッケージ/ケース: Half Bridge1
RoHS ステータス:
在庫状況: 8,434 個、新しいオリジナル
製品の種類: IGBT Modules
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*すべての価格は米ドルです
| 数量 | 単価 | 外部価格 |
|---|---|---|
| 1 | $176.949 | $176.949 |
| 200 | $68.478 | $13695.600 |
| 500 | $66.071 | $33035.500 |
| 1000 | $64.881 | $64881.000 |
在庫あり: 8,434 PCS
BSM50GB120DN2 概要
The BSM50GB120DN2 IGBT module is a versatile dual module designed for high-power applications. With a collector-emitter voltage (Vces) of 1200V and a collector current rating of 78A, this module offers a reliable and efficient solution for various industrial and commercial applications. The module features a power dissipation (Pd) of 400W, ensuring stable and consistent performance under heavy loads. The module's low operating temperature range of -40°C to +125°C makes it suitable for use in extreme environments. The 7-pin module configuration and screw termination type make installation and integration easy and convenient. Additionally, the module's fast fall time (tf) and rise time of 100ns ensure quick and efficient switching, improving system performance and efficiency
特徴
- Low Saturation Inductance
- High Magnetic Field Strength
- Ambient Temperature: -20°C to 80°C
- Irradiance Level: 2000A/cm²
応用
- Electric grid infrastructure
- Wind energy
- Motor control
仕様
| パラメータ | 価値 | パラメータ | 価値 |
|---|---|---|---|
| Product Category | IGBT Modules | RoHS | Details |
| Product | IGBT Silicon Modules | Configuration | Half Bridge |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 1.2 kV | Collector-Emitter Saturation Voltage | 2.5 V |
| Continuous Collector Current at 25 C | 78 A | Gate-Emitter Leakage Current | 200 nA |
| Pd - Power Dissipation | 400 W | Package / Case | Half Bridge1 |
| Minimum Operating Temperature | - 40 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
| Brand | Infineon Technologies | Height | 30.5 mm |
| Length | 94 mm | Maximum Gate Emitter Voltage | 20 V |
| Mounting Style | Chassis Mount | Product Type | IGBT Modules |
| Factory Pack Quantity | 10 | Subcategory | IGBTs |
| Technology | Si | Width | 34 mm |
| Part # Aliases | SP000095922 BSM50GB120DN2HOSA1 |
配送
| 配送タイプ | 配送料 | リードタイム | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
 |
フェデックス | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
 |
登録された航空便 | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
処理時間：送料は地域や国によって異なります。
支払い
| 支払条件 | ハンドフィー | |
|---|---|---|
 |
電信送金 | 銀行手数料 US$30.00 を請求します。 |
 |
ペイパル | 4.0％のサービス料がかかります。 |
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クレジットカード | 3.5％のサービス料がかかります。 |
 |
ウエスタンユニオン | charge US.00 banking fee. |
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送金サービス | 銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。 |
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パッキング
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