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ON 2N5190G

Name: 2N5190G
Brand: Onsemi
Rating: 4.8 (10 reviews)

Bipolar Junction Transistors

ブランド: Onsemi

製造元部品 #: 2N5190G

データシート: 2N5190G Datasheet (PDF)

パッケージ/ケース: TO-225-3

製品の種類: Single Bipolar Transistors

RoHS ステータス:

在庫状況: 3,343 個、新しいオリジナル

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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2N5190G 概要

The 2N5190G is a bipolar junction transistor (BJT) designed for general-purpose amplifier and switching applications. It belongs to the NPN (negative-positive-negative) transistor family, meaning it conducts when a small current flows into its base.Its key specifications include a maximum collector current (Ic) of 1A, a maximum collector-emitter voltage (Vce) of 80V, and a power dissipation (Pd) of 800mW. These parameters determine the transistor's capability to handle current and voltage without damage.The transistor comes in a TO-92 package, a common small-sized package suitable for various electronic circuits. Its compact size makes it versatile and easy to integrate into different electronic designs.The 2N5190G's gain bandwidth product (ft) is typically 150MHz, indicating its suitability for applications requiring moderate-frequency amplification.This transistor offers high current gain (hFE) ranging from 60 to 150, providing efficient signal amplification in a wide range of applications.

特徴

This NPN transistor features excellent temperature stability
It can withstand high temperatures up to 150°C
The transistor's low input impedance ensures efficient operation
Its high-frequency performance is also noteworthy

応用

High-power transistor for RF applications
Perfect for audio amplifier stages
Ideal for transmitter and receiver systems

仕様

パラメータ	価値	パラメータ	価値
Status	Active	Compliance	PbAHP
Package Type	TO-225-3	Case Outline	77-09
MSL Type	NA	MSL Temp (°C)	0
Container Type	BLKBX	Container Qty.	500
ON Target	N	Polarity	NPN
Type	General Purpose	VCE(sat) Max (V)	0.6
IC Cont. (A)	4	VCEO Min (V)	40
VCBO (V)	40	VEBO (V)	5
VBE(on) (V)	1.2	hFE Min	25
hFE Max	100	fT Min (MHz)	2
PTM Max (W)	40

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パッキング

ステップ1 :製品
ステップ2 :真空包装
ステップ3 :静電気防止袋
ステップ4 :個包装
ステップ5 :梱包箱
ステップ6 :バーコード配送タグ

すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。

社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。

私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。

すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。

パーツポイント

The 2N5190G is a high-frequency NPN transistor chip designed for use in RF and microwave applications. It offers a high power gain, low noise figure, and high reliability. The chip is commonly used in wireless communication systems, radar systems, and amplifiers where high-frequency performance is required.
Features

The 2N5190G is a bipolar general-purpose transistor with a maximum collector current of 800 mA. It has a low saturation voltage of 0.25V, high current gain, and is designed for switching applications. It operates at a maximum power dissipation of 800 mW and is housed in a TO-92 package.
Pinout

The 2N5190G is a transistor that has 3 pins. The function of the pins on the 2N5190G are as follows: Pin 1 is the base, Pin 2 is the collector, and Pin 3 is the emitter.
Manufacturer

2N5190G is manufactured by ON Semiconductor. ON Semiconductor is a semiconductor manufacturing company that specializes in power management, analog, logic, mixed-signal, and discrete devices. They design, produce, and distribute a wide range of semiconductor components used in various industries such as automotive, industrial, consumer electronics, and more.
Application Field

The 2N5190G is a general-purpose NPN bipolar transistor mainly used in various low-power amplification and switching applications. It can be found in audio amplifiers, small signal amplifiers, oscillator circuits, and general-purpose switching circuits.
Package

The 2N5190G chip comes in a TO-92 package, which is commonly used for discrete semiconductors. This package has three leads (pins) and a small size, measuring approximately 4.45mm x 4.45mm x 4.32mm.