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ZXTN4004KTC

Name: ZXTN4004KTC
Rating: 4.5 (10 reviews)

NPN Silicon Transistor in TO-252 Plastic/Epoxy Package

ブランド: Diodes Incorporated

製造元部品 #: ZXTN4004KTC

データシート: ZXTN4004KTC データシート (PDF)

パッケージ/ケース: TO-252-3

RoHS ステータス:

在庫状況: 8,502 個、新しいオリジナル

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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ZXTN4004KTC 概要

The ZXTN4004KTC is a NPN silicon transistor manufactured by Diodes Incorporated. It is designed for general-purpose switching applications in power management circuits, particularly in low-voltage applications. The transistor features a low saturation voltage and high current capability, making it suitable for various power control tasks.With a maximum collector current (Ic) of 6A and a low on-state resistance, the ZXTN4004KTC can efficiently handle moderate to high power levels while minimizing power dissipation. It is housed in a compact SOT223 package, which enhances its thermal performance and ease of use in space-constrained designs.The transistor has a low base drive requirement, allowing it to be driven directly by microcontrollers or other low-power control circuits. This feature simplifies the design and reduces external component count in many applications.Furthermore, the ZXTN4004KTC has built-in protection features such as thermal shutdown and overcurrent protection, enhancing its reliability in harsh operating conditions.

特徴

The ZXTN4004KTC is a NPN medium power transistor designed for general-purpose amplifier and switching applications

It features a maximum collector current of 1

5A, a collector-emitter voltage of 40V, and a low saturation voltage

The transistor comes in a SOT223 package, making it suitable for surface mount applications requiring high power dissipation in a small footprint

応用

The ZXTN4004KTC is commonly used in low voltage applications such as power management, battery protection, and load switching

Its features, including low threshold voltage and high current handling capabilities, make it suitable for various portable electronics, automotive systems, and industrial applications where efficient power control is necessary

仕様

パラメータ	価値	パラメータ	価値
Product Category	Bipolar Transistors - BJT	RoHS	Details
REACH	Details	Mounting Style	SMD/SMT
Package / Case	TO-252-3	Transistor Polarity	NPN
Configuration	Single	Collector- Emitter Voltage VCEO Max	150 V
Collector- Base Voltage VCBO	150 V	Emitter- Base Voltage VEBO	7 V
Collector-Emitter Saturation Voltage	250 mV	Maximum DC Collector Current	1 A
Pd - Power Dissipation	3.8 W	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Series	ZXTN4004
Brand	Diodes Incorporated	Continuous Collector Current	1 A
Product Type	BJTs - Bipolar Transistors	Factory Pack Quantity	2500
Subcategory	Transistors	Technology	Si
Unit Weight	0.011640 oz

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