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VN10KN3-G

Name: VN10KN3-G
Rating: 4.5 (10 reviews)

MOSFET 60V 5Ohm

ブランド: Microchip Technology

製造元部品 #: VN10KN3-G

データシート: VN10KN3-G データシート (PDF)

パッケージ/ケース: TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)

RoHS ステータス:

在庫状況: 7,919 個、新しいオリジナル

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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VN10KN3-G 概要

With its low threshold voltage, high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast switching speeds, the VN10KN3-G is well-suited for a variety of switching and amplifying applications. Its vertical DMOS FET design ensures optimal performance in scenarios where precision and efficiency are key considerations

特徴

Free from secondary breakdown
Low power drive requirement
Ease of paralleling
Low CISS and fast switching speeds
Excellent thermal stability
Integral source-drain diode
High input impedance and high gain

仕様

パラメータ	価値	パラメータ	価値
Package	Bag	Product Status	Active
FET Type	N-Channel	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	310mA (Tj)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA	Vgs (Max)	±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	60 pF @ 25 V	Power Dissipation (Max)	1W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Through Hole
Supplier Device Package	TO-92-3	Package / Case	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Base Product Number	VN10KN3

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