画像は参考用です。製品仕様を参照してください。
注文金額が
$5000TN2404K-T1-GE3
High-voltage N-channel MOSFET for efficient switchin
ブランド: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
製造元部品 #: TN2404K-T1-GE3
データシート: TN2404K-T1-GE3 データシート (PDF)
パッケージ/ケース: SOT-23-3
製品の種類: Single FETs, MOSFETs
TN2404K-T1-GE3 概要
With a low on-resistance of 4Ω at 300mA and a maximum operating temperature range of -55°C to 150°C, the TN2404K-T1-GE3 MOSFET delivers efficient power management and reliable operation in harsh environmental conditions
特徴
応用
- Industrial
- Power Management
- Communications & Networking
仕様
| パラメータ | 価値 | パラメータ | 価値 |
|---|---|---|---|
| Rohs Code | Yes | Part Life Cycle Code | Active |
| Ihs Manufacturer | VISHAY INTERTECHNOLOGY INC | Package Description | TO-236, 3 PIN |
| Reach Compliance Code | compliant | ECCN Code | EAR99 |
| HTS Code | 8541.21.00.95 | Samacsys Manufacturer | Vishay |
| Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | DS Breakdown Voltage-Min | 240 V |
| Drain Current-Max (ID) | 0.2 A | Drain-source On Resistance-Max | 4 Ω |
| FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95 Code | TO-236AB |
| JESD-30 Code | R-PDSO-G3 | JESD-609 Code | e3 |
| Moisture Sensitivity Level | 1 | Number of Elements | 1 |
| Number of Terminals | 3 | Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
| Operating Temperature-Max | 150 °C | Operating Temperature-Min | -55 °C |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY | Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | SMALL OUTLINE | Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
| Polarity/Channel Type | N-CHANNEL | Power Dissipation Ambient-Max | 0.36 W |
| Power Dissipation-Max (Abs) | 0.36 W | Surface Mount | YES |
| Terminal Finish | MATTE TIN | Terminal Form | GULL WING |
| Terminal Position | DUAL | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
| Transistor Application | SWITCHING | Transistor Element Material | SILICON |
| Product Status | Active | FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 240 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 200mA (Ta) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4Ohm @ 300mA, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8 nC @ 10 V | Vgs (Max) | ±20V |
| Power Dissipation (Max) | 360mW (Ta) | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
配送
| 配送タイプ | 配送料 | リードタイム | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
 |
フェデックス | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
 |
登録された航空便 | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
処理時間：送料は地域や国によって異なります。
支払い
| 支払条件 | ハンドフィー | |
|---|---|---|
 |
電信送金 | 銀行手数料 US$30.00 を請求します。 |
 |
ペイパル | 4.0％のサービス料がかかります。 |
 |
クレジットカード | 3.5％のサービス料がかかります。 |
 |
ウエスタンユニオン | charge US.00 banking fee. |
 |
送金サービス | 銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。 |
保証
1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。
2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。 ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。
パッキング
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![製品]( "製品")
ステップ1 :製品
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![真空包装]( "真空包装")
ステップ2 :真空包装
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![静電気防止袋]( "静電気防止袋")
ステップ3 :静電気防止袋
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![個包装]( "個包装")
ステップ4 :個包装
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![梱包箱]( "梱包箱")
ステップ5 :梱包箱
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![バーコード配送タグ]( "バーコード配送タグ")
ステップ6 :バーコード配送タグ
すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。
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私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。
すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。 優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。
パーツポイント
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The TN2404K-T1-GE3 chip is a power management IC designed for use in smartphones and other portable electronics. It features a high efficiency step-down regulator and can support input voltages up to 24V. This chip also includes overvoltage and overcurrent protection to help ensure the safety and longevity of the connected devices.
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Equivalent
Some equivalent products for the TN2404K-T1-GE3 chip include Infineon BSC0902N04LS G, Vishay SiHFD204GR, and Nexperia PSMN4R3-30YLC, which are all power MOSFETs with similar specifications and performance characteristics. -
Features
The TN2404K-T1-GE3 is a 40V N-channel MOSFET with a maximum drain current of 6A and a low on-resistance of 70mΩ. It features a small surface-mount package (DSN1610-8) with high power dissipation capability and is suitable for power management applications in automotive and industrial markets. -
Pinout
The TN2404K-T1-GE3 is a 4-pin TO-252 package N-channel MOSFET transistor. The pins are Gate, Drain, Source, and Body. The transistor is commonly used for switching applications in power supplies and motor control circuits. -
Manufacturer
The TN2404K-T1-GE3 is manufactured by Vishay Siliconix. Vishay Siliconix is a semiconductor company that specializes in producing discrete semiconductors and passive components for various applications, including power management, signal conditioning, and power conversion. -
Application Field
The TN2404K-T1-GE3 is a N-channel MOSFET transistor commonly used in applications such as power management, motor control, and LED lighting. It is suitable for use in a wide range of electronic devices and circuits that require high efficiency, low voltage operation, and fast switching speeds. -
Package
The TN2404K-T1-GE3 chip comes in a TO-263-3 package, also known as D2PAK, and has a form of surface mount with 3 pins. It measures 10.29mm x 9.50mm in size.
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