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SUP85N10-10-E3

Name: SUP85N10-10-E3
Rating: 4.5 (10 reviews)

N-channel power MOSFET capable of operating at 175°C and rated for 100V

ブランド: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC

製造元部品 #: SUP85N10-10-E3

データシート: SUP85N10-10-E3 データシート (PDF)

パッケージ/ケース: TO-220AB

RoHS ステータス:

在庫状況: 7,488 個、新しいオリジナル

製品の種類: Single FETs, MOSFETs

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

価格設定

*すべての価格は米ドルです

数量	単価	外部価格
1	$3.339	$3.339
10	$2.934	$29.340
50	$2.693	$134.650
100	$2.449	$244.900
500	$2.338	$1169.000
1000	$2.286	$2286.000

在庫あり: 7,488 PCS

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SUP85N10-10-E3 概要

TRANSISTOR, MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:85A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):12mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:250W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3; Current Id Max:85A; Package / Case:TO-220; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:100V; Voltage Vgs Max:3V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

特徴

TrenchFET® power MOSFET,175 °C maximum junction temperature

応用

Industrial
Power Management

仕様

パラメータ	価値	パラメータ	価値
Rohs Code	Yes	Part Life Cycle Code	Active
Ihs Manufacturer	VISHAY INTERTECHNOLOGY INC	Package Description	ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
Reach Compliance Code	not_compliant	Samacsys Manufacturer	Vishay
Avalanche Energy Rating (Eas)	280 mJ	Case Connection	DRAIN
Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	DS Breakdown Voltage-Min	100 V
Drain Current-Max (ID)	85 A	Drain-source On Resistance-Max	0.0105 Ω
FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95 Code	TO-220AB
JESD-30 Code	R-PSFM-T3	JESD-609 Code	e3
Moisture Sensitivity Level	1	Number of Elements	1
Number of Terminals	3	Operating Mode	ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max	175 °C	Package Body Material	PLASTIC/EPOXY
Package Shape	RECTANGULAR	Package Style	FLANGE MOUNT
Polarity/Channel Type	N-CHANNEL	Power Dissipation-Max (Abs)	250 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM)	240 A	Qualification Status	Not Qualified
Surface Mount	NO	Terminal Finish	MATTE TIN OVER NICKEL
Terminal Form	THROUGH-HOLE	Terminal Position	SINGLE
Transistor Element Material	SILICON	Series	TrenchFET®
Package	Tube	Product Status	Active
FET Type	N-Channel	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	85A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	10.5mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	160 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	6550 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max)	3.75W (Ta), 250W (Tc)	Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type	Through Hole	Supplier Device Package	TO-220AB
Package / Case	TO-220-3

配送

	配送料	リードタイム
DHL	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
フェデックス	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
UPS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
TNT	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
EMS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
登録された航空便	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々

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	クレジットカード	3.5％のサービス料がかかります。
	ウエスタンユニオン	charge US.00 banking fee.
	送金サービス	銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。

保証

1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。

2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。

パッキング

ステップ1 :製品
ステップ2 :真空包装
ステップ3 :静電気防止袋
ステップ4 :個包装
ステップ5 :梱包箱
ステップ6 :バーコード配送タグ

すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。

社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。

私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。

すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。

パーツポイント

The SUP85N10-10-E3 is a power MOSFET transistor designed for high-performance and efficiency in a variety of power supply and motor control applications. It features low on-resistance and a high current rating, making it suitable for high-power and high-frequency applications. The chip is designed to operate at high temperatures and comes in a TO-220 package for easy integration into circuit designs.
Equivalent

Some equivalent products of SUP85N10-10-E3 chip are IRFPE80, IRF720, IPB019N10N3G, IPB048N10N3G, STP80NF10, IRLI3705N, IRLU024N, IRF3703, and IRF350.
Features

The SUP85N10-10-E3 is a power MOSFET with a maximum voltage of 100V, a continuous drain current of 85A, and a low on-resistance of 8.5mΩ. It is designed for high-efficiency applications and features a TO-220 package with a built-in diode for fast recovery. It also has a low thermal resistance for improved thermal performance.
Pinout

The SUP85N10-10-E3 is a power MOSFET with a pin count of 3. It is designed to control and switch high-power loads in automotive and industrial applications. Its main function is to provide efficient power management and control by controlling the flow of current between the source and drain terminals.
Manufacturer

The SUP85N10-10-E3 is manufactured by Vishay Siliconix. Vishay Siliconix is a leading global manufacturer of discrete semiconductors and passive electronic components. They specialize in developing and producing a wide range of products including power MOSFETs, diodes, rectifiers, and optoelectronics for a variety of industries including automotive, industrial, consumer, and telecommunications.
Application Field

The SUP85N10-10-E3 is commonly used as a power MOSFET in applications such as power supplies, motor control, and automotive systems. It can also be utilized in DC-DC converters, battery management systems, and voltage regulation circuits, thanks to its high power density and low on-resistance.
Package

The SUP85N10-10-E3 chip comes in a TO-220AB package type, with a through-hole mounting form. It has a size of 10.54mm x 15.88mm x 7.62mm.