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画像は参考用です。製品仕様を参照してください。

ST STP11NM60FD

Name: STP11NM60FD
Rating: 4.5 (10 reviews)

N-channel MOSFET with 600V voltage rating and 11A current rating in TO-220 package

ブランド: Stmicroelectronics

製造元部品 #: STP11NM60FD

データシート: STP11NM60FD Datasheet (PDF)

パッケージ/ケース: TO-220-3

製品の種類: トランジスタ

RoHS ステータス:

在庫状況: 3889 個、新しいオリジナル

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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STP11NM60FD 概要

The STP11NM60FD is a Power MOSFET transistor manufactured by STMicroelectronics. It is designed for high-voltage applications and features a drain-source voltage (VDS) of 600V, a continuous drain current (ID) of 11A, and a low on-resistance (RDS(on)) of 0.38 ohms.This MOSFET transistor is housed in a TO-220 package and is suitable for use in a wide range of power supply, motor control, and lighting applications. It offers high efficiency and reliability due to its low on-resistance, enabling it to handle large currents while minimizing power losses and heat dissipation.The STP11NM60FD also features a fast switching speed and a low gate charge, making it ideal for high-frequency switching applications. It has a gate threshold voltage (VGS(th)) of 2-4V and a maximum gate-source voltage (VGS) of ±20V.

特徴

600V VDS power MOSFET
Low on-resistance (0.31 ohm typ.)
Fast switching speed
Low gate charge
Ultra low gate charge (28nC)
High avalanche ruggedness
Suitable for high power applications
Can be used in power supplies and motor control
TO-220 packaging

応用

Power supplies
Motor control
Lighting
Industrial automation
Solar inverters
Uninterruptible power supplies (UPS)
Electric vehicles (EV)
Home appliances

仕様

パラメータ	価値	パラメータ	価値
Product Category	MOSFET	RoHS	Details
Technology	Si	Mounting Style	Through Hole
Package / Case	TO-220-3	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	600 V
Id - Continuous Drain Current	11 A	Rds On - Drain-Source Resistance	400 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 30 V, + 30 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	3 V
Qg - Gate Charge	40 nC	Minimum Operating Temperature	- 65 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	160 W
Channel Mode	Enhancement	Series	STP11NM60FD
Brand	STMicroelectronics	Configuration	Single
Fall Time	15 ns	Forward Transconductance - Min	5.2 S
Height	9.15 mm	Length	10.4 mm
Product Type	MOSFET	Rise Time	16 ns
Factory Pack Quantity	1000	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 N-Channel	Type	MOSFET
Typical Turn-On Delay Time	20 ns	Width	4.6 mm
Unit Weight	0.068784 oz

配送

	配送料	リードタイム
DHL	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
フェデックス	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
UPS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
TNT	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
EMS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
登録された航空便	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々

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	クレジットカード	3.5％のサービス料がかかります。
	ウエスタンユニオン	charge US.00 banking fee.
	送金サービス	銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。

保証

1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。

2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。

パッキング

ステップ1 :製品
ステップ2 :真空包装
ステップ3 :静電気防止袋
ステップ4 :個包装
ステップ5 :梱包箱
ステップ6 :バーコード配送タグ

すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。

社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。

私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。

すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。

同等部品

のために STP11NM60FD コンポーネントの場合は、これらの交換部品および代替部品を検討してください:

部品番号

ブランド

パッケージ

説明

部品番号 : IRF7314

ブランド : Infineon

パッケージ :

説明 :

部品番号 : IPP11N06S2L-11

ブランド : Nexperia

パッケージ :

説明 :

部品番号 : FQPF11N60C

ブランド :

パッケージ :

説明 : by Fairchild Semiconductor

部品番号 : AOB11N60

ブランド :

パッケージ :

説明 : by Alpha and Omega Semiconductor

パーツポイント

The STP11NM60FD is a power MOSFET chip produced by STMicroelectronics. It is designed for high power applications, such as motor control and power supplies. With a maximum drain current of 11A and a breakdown voltage of 600V, it offers efficient power switching capabilities. The chip features low on-resistance and gate charge, allowing for minimal power losses and improved efficiency.
Equivalent

Some equivalent products of the STP11NM60FD chip include IRFP260N, IRFP460N, IRF1404, and IRFB4110.
Features

The features of STP11NM60FD include a drain-source voltage of 600V, a continuous drain current of 11A, a low on-resistance of 0.65 ohms, a gate threshold voltage of 3V, a power dissipation of 68W, and a TO-220 full pack package.
Pinout

The STP11NM60FD is a MOSFET transistor. It has a pin count of 3, which include the gate (G), drain (D), and source (S). The functions of these pins are as follows: the gate controls the flow of current between the drain and source, the drain terminal allows current to flow in or out of the transistor, and the source is connected to the reference point for the current flow.
Manufacturer

STP11NM60FD is manufactured by STMicroelectronics, a multinational electronics and semiconductor company. It is one of the world's largest semiconductor chip manufacturers, with a focus on providing a wide range of integrated circuits and solutions for various industries, including automotive, industrial, personal electronics, and more.
Application Field

The STP11NM60FD is a high voltage N-channel Power MOSFET used in applications such as switch mode power supplies, lighting, motor control, and electric vehicle systems. It offers low on-resistance, high current capability, and reliable operation in high temperature environments.
Package

The STP11NM60FD chip is available in a TO-220 package type. It has a standard form and size as per the TO-220 package, which measures approximately 10.16 mm x 15.74 mm x 4.32 mm.