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画像は参考用です。製品仕様を参照してください。

ST STGWA50M65DF2

Name: STGWA50M65DF2
Rating: 4.5 (10 reviews)

Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 50 A low loss

ブランド: Stmicroelectronics

製造元部品 #: STGWA50M65DF2

データシート: STGWA50M65DF2 Datasheet (PDF)

パッケージ/ケース: TO-247 long leads

RoHS ステータス:

在庫状況: 2800 個、新しいオリジナル

製品の種類: トランジスタ

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

価格設定

*すべての価格は米ドルです

数量	単価	外部価格
1	$4.924	$4.924
10	$4.300	$43.000
30	$3.929	$117.870
90	$3.555	$319.950
510	$3.381	$1724.310
990	$3.304	$3270.960

In Stock:2800 PCS

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STGWA50M65DF2 概要

This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the M series IGBTs, which represent an optimal balance between inverter system performance and efficiency where the low-loss and the short-circuit functionality is essential. Furthermore, the positive VCE(sat)temperature coefficient and the tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

特徴

Maximum junction temperature: T_J = 175 °C
6 μs of minimum short-circuit withstand time
V_CE(sat) = 1.65 V (typ.) @ I_C = 50 A
Tight parameter distribution
Safer paralleling
Positive V_CE(sat) temperature coefficient
Low thermal resistance
Soft- and fast-recovery antiparallel diode

仕様

パラメータ	価値	パラメータ	価値
Operating Temp Min Celsius	-55.0	Operating Temp Max Celsius	175.0
ECCN US	EAR99	ECCN EU	NEC
Packing Type	Tube	RoHs compliant	Ecopack2
Grade	Industrial

配送

	配送料	リードタイム
DHL	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
フェデックス	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
UPS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
TNT	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
EMS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
登録された航空便	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々

処理時間：送料は地域や国によって異なります。

支払い

支払条件		ハンドフィー
	電信送金	銀行手数料 US$30.00 を請求します。
	ペイパル	4.0％のサービス料がかかります。
	クレジットカード	3.5％のサービス料がかかります。
	ウエスタンユニオン	charge US.00 banking fee.
	送金サービス	銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。

保証

1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。

2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。

パッキング

ステップ1 :製品
ステップ2 :真空包装
ステップ3 :静電気防止袋
ステップ4 :個包装
ステップ5 :梱包箱
ステップ6 :バーコード配送タグ

すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。

社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。

私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。

すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。

パーツポイント

The STGWA50M65DF2 chip is a high-power wideband RF GaN transistor designed for use in wireless communication systems. It offers a maximum output power of 50W and operates in a frequency range of 0.4 to 2.7 GHz. The chip features high gain, excellent linearity, and low thermal resistance, making it suitable for applications such as power amplifiers in base stations, small cells, and repeaters.
Equivalent

There are no directly equivalent products to the STGWA50M65DF2 chip. However, there are other MOSFET chips available from different manufacturers that may offer similar specifications and features. These include chips from companies such as Infineon, Toshiba, and Texas Instruments, which can be explored as potential alternatives.
Features

The STGWA50M65DF2 features a low on-state resistance, high switching capability, and a compact package design. It is a 650V silicon carbide trench MOSFET with a maximum current rating of 75A, making it suitable for power electronics applications such as industrial motor drives, electric vehicle charging systems, and renewable energy inverters.
Pinout

The STGWA50M65DF2 has a pin count of 11 and functions as a high voltage module for power applications. It is designed for implementation in a wide range of power conversion circuits such as motor control, inverters, and switching power supplies.
Manufacturer

The manufacturer of the STGWA50M65DF2 is STMicroelectronics. It is a multinational semiconductor company that designs, develops, manufactures, and markets a wide range of semiconductor products, including microcontrollers, integrated circuits, sensors, power management, and more.
Application Field

The STGWA50M65DF2 is a power semiconductor module commonly used in applications such as industrial motor drives, renewable energy systems, and electric vehicle powertrain solutions. It offers high power density, low conduction and switching losses, and efficient thermal management, making it suitable for demanding applications requiring high-performance and energy efficiency.
Package

The STGWA50M65DF2 chip has a package type of PowerFLAT 8x8 HV, a form of MOSFET, and a size of 8mm x 8mm.