注文金額が
$5000SPA11N80C3XKSA1
Silicon-based Metal-oxide Semiconductor Field-Effect Transistor (MOSFET) with 11A current handling and 0.45ohm resistance
ブランド: Infineon Technologies
製造元部品 #: SPA11N80C3XKSA1
データシート: SPA11N80C3XKSA1 データシート (PDF)
パッケージ/ケース: TO-220-3FullPack
製品の種類: Single FETs, MOSFETs
SPA11N80C3XKSA1 概要
In summary, the SPA11N80C3XKSA1 is a versatile and efficient semiconductor component that offers superior electrical characteristics and thermal performance. Its N-Channel design and TO-220AB package make it easy to incorporate into existing circuits, while its high voltage and current ratings ensure reliable operation in demanding environments. With a focus on sustainability and quality, this Power FET is a reliable choice for engineers looking to optimize power efficiency and performance in their designs
特徴
- Low noise and electromagnetic interference
- Compact lead-frame package
- Excellent thermal dissipation
- Highest power density
応用
- Hybrid power systems
- Uninterruptible power supplies
- Sustainable energy solutions
仕様
パラメータ | 価値 | パラメータ | 価値 |
---|---|---|---|
Series | CoolMOS™ | Package | Tube |
Product Status | Not For New Designs | FET Type | N-Channel |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450mOhm @ 7.1A, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 680µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 85 nC @ 10 V | Vgs (Max) | ±20V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1600 pF @ 100 V | Power Dissipation (Max) | 34W (Tc) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) | Mounting Type | Through Hole |
Supplier Device Package | PG-TO220-3-31 | Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
Base Product Number | SPA11N80 |
配送
配送タイプ | 配送料 | リードタイム | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 | |
フェデックス | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 | |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 | |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 | |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 | |
登録された航空便 | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
処理時間:送料は地域や国によって異なります。
支払い
支払条件 | ハンドフィー | |
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ペイパル | 4.0%のサービス料がかかります。 | |
クレジットカード | 3.5%のサービス料がかかります。 | |
ウエスタンユニオン | charge US.00 banking fee. | |
送金サービス | 銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。 |
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パッキング
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ステップ1 :製品
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ステップ2 :真空包装
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ステップ3 :静電気防止袋
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ステップ4 :個包装
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ステップ5 :梱包箱
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ステップ6 :バーコード配送タグ
すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。
社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。
私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。
すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。 優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。
パーツポイント
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The SPA11N80C3XKSA1 is a power MOSFET transistor designed for high-speed switching applications. It has a voltage rating of 800V and a continuous drain current of 11A. This chip is suitable for use in power supplies, industrial equipment, and motor control applications.
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Equivalent
The equivalent products of SPA11N80C3XKSA1 chip are Infineon IPP110N08S2-11 and STMicroelectronics STW9N80K5. These are power MOSFETs with similar specifications and characteristics, suitable for various power applications. -
Features
Some key features of SPA11N80C3XKSA1 include an N-channel enhancement mode power MOSFET, 11A continuous drain current, 25V drain-source voltage, low on-resistance, high switching speed, fully avalanche rated, and improved dv/dt capability. It is suitable for a wide range of applications including power supplies, motor control, and power management systems. -
Pinout
The SPA11N80C3XKSA1 is a power MOSFET with a TO-220-3 package. It has a pin count of 3, with the function of each pin being gate, drain, and source respectively. The MOSFET is designed for high voltage and high current applications. -
Manufacturer
SPA11N80C3XKSA1 is manufactured by Infineon Technologies, a leading semiconductor company based in Germany. Infineon specializes in the design and production of a wide range of semiconductor products for various applications including automotive, industrial, and consumer electronics. -
Application Field
SPA11N80C3XKSA1 can be used in a variety of applications such as high voltage switching power supplies, DC-DC converters, motor control, and ballast control circuits for lighting. It is suitable for use in industrial, automotive, and consumer electronics applications where a high voltage, high power MOSFET is needed. -
Package
The SPA11N80C3XKSA1 chip is housed in a TO-220 package with a through-hole mounting style. It has a form of single transistor and a size of 10.8mm x 10.4mm x 4.1mm.
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