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画像は参考用です。製品仕様を参照してください。

vishay SI2301CDS-T1-GE3

Name: SI2301CDS-T1-GE3
Rating: 4.5 (10 reviews)

SI2301CDS-T1-GE3 is a compact SOT-23 package MOSFET that is compliant with ROHS regulations

ブランド: Vishay

製造元部品 #: SI2301CDS-T1-GE3

データシート: SI2301CDS-T1-GE3 データシート (PDF)

パッケージ/ケース: SOT-23-3

RoHS ステータス:

在庫状況: 5488 個、新しいオリジナル

製品の種類: Small Signal Field-Effect Transistors

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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*すべての価格は米ドルです

数量	単価	外部価格
5	$0.070	$0.350
50	$0.057	$2.850
150	$0.050	$7.500
500	$0.045	$22.500
3000	$0.043	$129.000
6000	$0.042	$252.000

In Stock:5488 PCS

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SI2301CDS-T1-GE3 概要

MOSFET, P-CH, 20V, 3.1A, SOT23; Transistor Polarity:P Channel; Current Id Max:-3.1A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On State Resistance:90mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Voltage Vgs Max:8V; Power Dissipation:1.6W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3

特徴

None

応用

SWITCHING

仕様

パラメータ	価値	パラメータ	価値
Product Category	MOSFET	RoHS	Details
Technology	Si	Mounting Style	SMD/SMT
Package / Case	SOT-23-3	Transistor Polarity	P-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	20 V
Id - Continuous Drain Current	3.1 A	Rds On - Drain-Source Resistance	112 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 8 V, + 8 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	1 V
Qg - Gate Charge	3.3 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	1.6 W
Channel Mode	Enhancement	Tradename	TrenchFET
Series	SI2	Brand	Vishay Semiconductors
Configuration	Single	Fall Time	10 ns
Product Type	MOSFET	Rise Time	35 ns
Factory Pack Quantity	3000	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 P-Channel	Typical Turn-Off Delay Time	30 ns
Typical Turn-On Delay Time	11 ns	Part # Aliases	SI2301CDS-T1-BE3 SI2301CDS-GE3
Unit Weight	0.000282 oz

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	配送料	リードタイム
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フェデックス	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
UPS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
TNT	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
EMS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
登録された航空便	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々

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