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SCT2H12NZGC11

Name: SCT2H12NZGC11
Rating: 4.5 (10 reviews)

17V operating voltage meets diverse project needs

ブランド: Rohm Semiconductor

製造元部品 #: SCT2H12NZGC11

データシート: SCT2H12NZGC11 データシート (PDF)

パッケージ/ケース: TO-3PFM-3

RoHS ステータス:

在庫状況: 6,921 個、新しいオリジナル

製品の種類: Single FETs, MOSFETs

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

価格設定

*すべての価格は米ドルです

数量	単価	外部価格
1	$3.725	$3.725
10	$3.555	$35.550
30	$3.454	$103.620
100	$3.352	$335.200
500	$3.305	$1652.500
1000	$3.284	$3284.000

在庫あり: 6,921 PCS

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SCT2H12NZGC11 概要

The SCT2H12NZGC11 is a high-performance 1700V 3.7A N-channel SiC power MOSFET designed by ROHM Semiconductor. This Silicon Carbide MOSFET offers superior efficiency and reliability, making it ideal for various power electronics applications. To facilitate the evaluation and testing of the SCT2H12NZGC11, ROHM offers the BD7682FJ-LB-EVK-402 Evaluation Board. This evaluation board features the BD7682FJ-LB AC/DC Converter IC and is designed to accept an input voltage range of AC 400-690V, producing a stable 24V DC output. The board comes with comprehensive documentation, including an Application Note, Presentation Document, and Quick Start Guide to help users get started quickly and efficiently. Additionally, the Evaluation Board User Guide provides detailed instructions on how to properly set up and operate the evaluation board for accurate testing and performance assessment. For those interested in additional evaluation options, ROHM also offers the BD7682FJ-EVK-301 Evaluation Board, which supports input voltages of AC 210-480V and DC 300-900V, generating a 12V DC output. To learn more about these evaluation boards or to inquire about purchasing options, please reach out to our team for assistance

特徴

Precision voltage regulation for stable operation
High-power dissipation for demanding loads
Limited current surge during turn-off

仕様

パラメータ	価値	パラメータ	価値
Product Category	MOSFET	RoHS	Details
REACH	Details	Technology	SiC
Mounting Style	Through Hole	Package / Case	TO-3PFM-3
Transistor Polarity	N-Channel	Number of Channels	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	1.7 kV	Id - Continuous Drain Current	3.7 A
Rds On - Drain-Source Resistance	1.15 Ohms	Vgs - Gate-Source Voltage	- 6 V, + 22 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	1.6 V	Qg - Gate Charge	14 nC
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 175 C
Pd - Power Dissipation	35 W	Channel Mode	Enhancement
Series	SCT2x	Brand	ROHM Semiconductor
Configuration	Single	Fall Time	74 ns
Forward Transconductance - Min	0.4 s	Product	Power MOSFETs
Product Type	MOSFET	Rise Time	21 ns
Factory Pack Quantity	450	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 N-Channel	Type	N-Channel SiC Power MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time	35 ns	Typical Turn-On Delay Time	16 ns
Part # Aliases	SCT2H12NZ

配送

	配送料	リードタイム
DHL	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
フェデックス	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
UPS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
TNT	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
EMS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
登録された航空便	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々

処理時間：送料は地域や国によって異なります。

支払い

支払条件		ハンドフィー
	電信送金	銀行手数料 US$30.00 を請求します。
	ペイパル	4.0％のサービス料がかかります。
	クレジットカード	3.5％のサービス料がかかります。
	ウエスタンユニオン	charge US.00 banking fee.
	送金サービス	銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。

保証

1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。

2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。

パッキング

ステップ1 :製品
ステップ2 :真空包装
ステップ3 :静電気防止袋
ステップ4 :個包装
ステップ5 :梱包箱
ステップ6 :バーコード配送タグ

すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。

社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。

私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。

すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。

パーツポイント

The SCT2H12NZGC11 is a high-performance power management integrated circuit (PMIC) designed for use in automotive applications. It features multiple voltage regulators, supervision functions, and diagnostic capabilities to ensure reliable operation in harsh environments. This chip is manufactured by Infineon Technologies, a leading provider of semiconductor solutions for automotive and industrial applications.
Equivalent

The equivalent products of SCT2H12NZGC11 chip are X9SCT2H52NZGC11, SCT2H52NZGC11, and SCT2H102NZGC11. These chips have similar specifications and functionalities, providing customers with a range of options for their specific needs.
Features

SCT2H12NZGC11 is a high voltage silicon carbide Schottky diode designed for use in high-power applications. It has a forward voltage of 1.7V, a maximum continuous forward current of 20A, and a reverse recovery time of 20ns. The diode operates at temperatures up to 175°C and is RoHS compliant.
Pinout

The SCT2H12NZGC11 has a pin count of 11. It is a high-speed switching diode with a forward current of 2A and a reverse voltage of 20V. It is commonly used in applications such as RF and switching circuits.
Manufacturer

SCT2H12NZGC11 is manufactured by Infineon Technologies AG, a German multinational semiconductor manufacturer. Infineon specializes in producing power semiconductors, sensor systems, and microcontrollers for automotive, industrial, and renewable energy applications.
Application Field

SCT2H12NZGC11 is commonly used in industrial automation, robotics, and automotive applications. Its compact size, high precision, and reliability make it suitable for applications requiring accurate position sensing, such as servo motors, encoders, and linear actuators.
Package

The SCT2H12NZGC11 chip is a high-power, high-gain RF transistor in a ceramic package. It has a form factor of a flange-mount and measures 8.1 x 6.1 x 2.3 mm in size.