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RFG60P05E

Name: RFG60P05E
Rating: 4.5 (10 reviews)

P-Ch Power MOSFET TO-247

ブランド: ONSEMI

製造元部品 #: RFG60P05E

データシート: RFG60P05E データシート (PDF)

パッケージ/ケース: TO-247-3

製品の種類: Single FETs, MOSFETs

RoHS ステータス:

在庫状況: 8,843 個、新しいオリジナル

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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RFG60P05E 概要

P-Channel 50 V 60A (Tc) 215W (Tc) Through Hole TO-247-3

特徴

Formerly developmental type TA09835.

60A, 50V

rDS(ON) = 0.030

Temperature Compensating PSPICE Model

2kV ESD Rated

Peak Current vs Pulse Width Curve

UIS Rating Curve

175C Operating Temperature

Related Literature

- TB334 Guidelines for Soldering Surface Mount Components to PC Boards

仕様

パラメータ	価値	パラメータ	価値
Product Status	Obsolete	FET Type	P-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	Drain to Source Voltage (Vdss)	50 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	60A (Tc)	Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	30mOhm @ 60A, 10V	Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	450 nC @ 20 V	Vgs (Max)	±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	7200 pF @ 25 V	FET Feature	-
Power Dissipation (Max)	215W (Tc)	Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type	Through Hole	Supplier Device Package	TO-247-3
Package / Case	TO-247-3

配送

	配送料	リードタイム
DHL	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
フェデックス	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
UPS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
TNT	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
EMS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
登録された航空便	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々

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支払条件		ハンドフィー
	電信送金	銀行手数料 US$30.00 を請求します。
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	クレジットカード	3.5％のサービス料がかかります。
	ウエスタンユニオン	charge US.00 banking fee.
	送金サービス	銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。

保証

1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。

2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。

パッキング

ステップ1 :製品
ステップ2 :真空包装
ステップ3 :静電気防止袋
ステップ4 :個包装
ステップ5 :梱包箱
ステップ6 :バーコード配送タグ

すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。

社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。

私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。

すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。

パーツポイント

The RFG60P05E chip is a power MOSFET transistor designed for applications that require high-voltage switching and low on-resistance. It is manufactured by Renesas Electronics Corporation. The chip can handle a maximum voltage of 60V and has a low on-resistance of 61mΩ. It is commonly used in various industrial and automotive applications where efficient power delivery is crucial.
Equivalent

The equivalent products of the RFG60P05E chip include 2N7002PW, BUK7M3R5-60E, IRF530N, STP40NF10L, and IRF9540N.
Features

The RFG60P05E is a 600V, 60A N-channel MOSFET transistor designed for power applications. It features a low on-resistance, high efficiency, and a compact TO-220AB package. It can handle high current levels with minimal power losses, making it suitable for a wide range of power electronics and industrial applications.
Pinout

The RFG60P05E is a power MOSFET transistor with a TO-247 package. It has 3 pins: gate, drain, and source. The gate pin is used to control the switching of the transistor, while the drain and source pins are used for the flow of current.
Manufacturer

The manufacturer of the RFG60P05E is Samsung Electronics. It is a multinational technology company specializing in the production of consumer electronics, mobile devices, and home appliances.
Application Field

The RFG60P05E is a power MOSFET transistor commonly used in power management applications. It can be utilized in various areas such as motor control, power supplies, inverters, and DC-DC converters. It offers low on-resistance and high efficiency, making it suitable for high-current applications that require efficient power switching.
Package

The RFG60P05E chip is available in a TO-247 package type, which is a popular power transistor package. The form is through-hole, meaning it has metal leads that can be soldered onto a circuit board. The size of the chip itself may vary, but the TO-247 package typically measures around 15mm x 20mm.