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画像は参考用です。製品仕様を参照してください。

PC28F512M29EWHB

Name: PC28F512M29EWHB
Rating: 4.5 (10 reviews)

NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 64M x 8/32M x 16 100ns 64-Pin Fortified BGA T/R

ブランド: Micron Technology

製造元部品 #: PC28F512M29EWHB

データシート: PC28F512M29EWHB データシート (PDF)

パッケージ/ケース: BGA-64

製品の種類: NOR Flash

RoHS ステータス:

在庫状況: 9458 個、新しいオリジナル

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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PC28F512M29EWHB 概要

FLASH - NOR Memory IC 512Mbit Parallel 100 ns 64-FBGA (11x13)

特徴

High-Performance Read, Program and Erase
– 96 ns initial read access
– 108 MHz with zero wait-state synchronous burst reads: 7 ns clock-to-data output
– 133 MHz with zero wait-state synchronous burst reads: 5.5 ns clock-to-data output
– 8-, 16-, and continuous-word synchronous-burst Reads
– Programmable WAIT configuration
– Customer-configurable output driver impedance
– Buffered Programming: 2.0 μs/Word (typ), 512-Mbit 65 nm
– Block Erase: 0.9 s per block (typ)
– 20 μs (typ) program/erase suspend
Architecture
– 16-bit wide data bus
– Multi-Level Cell Technology
– Symmetrically-Blocked Array Architecture
– 256-Kbyte Erase Blocks
– 1-Gbit device: Eight 128-Mbit partitions
– 512-Mbit device: Eight 64-Mbit partitions
– 256-Mbit device: Eight 32-Mbit partitions
– 128-Mbit device: Eight 16-Mbit partitions
– Read-While-Program and Read-While-Erase
– Status Register for partition/device status
– Blank Check feature
Quality and Reliability
– Expanded temperature: –30 °C to +85 °C
– Minimum 100,000 erase cycles per block
– 65nm Process Technology
Power
– Core voltage: 1.7 V - 2.0 V
– I/O voltage: 1.7 V - 2.0 V
– Standby current: 60 μA (typ) for 512-Mbit, 65 nm
– Deep Power-Down mode: 2 μA (typ)
– Automatic Power Savings mode
– 16-word synchronous-burst read current: 23 mA (typ) @ 108 MHz; 24 mA (typ) @ 133 MHz
Software
– Micron® Flash data integrator (FDI) optimized
– Basic command set (BCS) and extended command set (ECS) compatible
– Common Flash interface (CFI) capable
Security
– One-time programmable (OTP) space
64 unique factory device identifier bits
2112 user-programmable OTP bits
– Absolute write protection: VPP = GND
– Power-transition erase/program lockout
– Individual zero latency block locking
– Individual block lock-down
Density and packaging
– 128Mb, 256Mb, 512Mbit, and 1-Gbit
– Address-data multiplexed and non-multiplexed interfaces
– 64-Ball Easy BGA

仕様

パラメータ	価値	パラメータ	価値
Manufacturer:	Micron Technology	Product Category:	NOR Flash
Mounting Style:	SMD/SMT	Package / Case:	BGA-64
Series:	M29EW	Memory Size:	512 Mbit
Supply Voltage - Min:	2.7 V	Supply Voltage - Max:	3.6 V
Active Read Current - Max:	50 mA	Interface Type:	Parallel
Organization:	64 M x 8/32 M x 16	Data Bus Width:	8 bit/16 bit
Timing Type:	Asynchronous	Minimum Operating Temperature:	- 40 C
Maximum Operating Temperature:	+ 85 C	Packaging:	MouseReel
Brand:	Micron	Memory Type:	NOR
Product Type:	NOR Flash	Speed:	100 ns
Standard:	Common Flash Interface (CFI)	Factory Pack Quantity:	2000
Subcategory:	Memory & Data Storage

配送

	配送料	リードタイム
DHL	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
フェデックス	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
UPS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
TNT	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
EMS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
登録された航空便	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々

処理時間：送料は地域や国によって異なります。

支払い

支払条件		ハンドフィー
	電信送金	銀行手数料 US$30.00 を請求します。
	ペイパル	4.0％のサービス料がかかります。
	クレジットカード	3.5％のサービス料がかかります。
	ウエスタンユニオン	charge US.00 banking fee.
	送金サービス	銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。

保証

1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。

2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。

パッキング

ステップ1 :製品
ステップ2 :真空包装
ステップ3 :静電気防止袋
ステップ4 :個包装
ステップ5 :梱包箱
ステップ6 :バーコード配送タグ

すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。

社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。

私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。

すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。

パーツポイント

The PC28F512M29EWHB chip is a flash memory device with a capacity of 512MB. It features a 40nm process technology, a 1.8V power supply, and offers fast read and write speeds. The chip is designed for use in various high-performance applications, such as telecommunications, networking, automotive, and industrial devices.
Equivalent

Some equivalent products of PC28F512M29EWHB chip are PC28F512M29EWLA, PC28F512M29ESLA, and PC28F512M29EBDA. These chips offer similar features and performance characteristics as the PC28F512M29EWHB chip produced by Micron Technology.
Features

PC28F512M29EWHB features a 512Mb NAND Flash memory with a 16-bit interface, operating voltage of 1.8V, advanced security features, and high performance and reliability ideal for automotive and industrial applications. It also offers fast program and erase operations, extensive error correction and data retention capabilities.
Pinout

The PC28F512M29EWHB is a 64-pin flash memory chip. It is a 512Mb (64MB) NOR Flash memory with x16 parallel interface. It is commonly used in applications requiring high-density, non-volatile memory storage such as embedded systems, automotive, and industrial applications.
Manufacturer

The PC28F512M29EWHB is manufactured by Micron Technology, Inc., which is an American multinational corporation that produces computer memory and data storage products. Micron is a leading provider of advanced semiconductor solutions, specializing in dynamic random-access memory (DRAM), NAND flash memory, and other innovative technologies for storage and memory applications.
Application Field

The PC28F512M29EWHB is commonly used in embedded systems, industrial control systems, automotive applications, communication devices, and other applications that require high performance and reliability. It is suitable for data storage, program execution, and firmware updates in various electronic devices.
Package

The PC28F512M29EWHB chip comes in a TSOP package (Thin Small-Outline Package), in the form of a surface-mount device. It has a size of 12mm x 20mm.