このウェブサイトは Cookie を使用しています。このサイトを使用すると、Cookie の使用に同意したことになります。詳細については、こちらをご覧くださいプライバシーポリシー.

画像は参考用です。製品仕様を参照してください。

PC28F512M29EWHD

Name: PC28F512M29EWHD
Rating: 4.5 (10 reviews)

NOR Flash PARALLEL NOR MLC 32MX16 LBGA

ブランド: micron technology

製造元部品 #: PC28F512M29EWHD

データシート: PC28F512M29EWHD データシート (PDF)

パッケージ/ケース: BGA-64

RoHS ステータス:

在庫状況: 5762 個、新しいオリジナル

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

ボムに追加

簡単な見積もり

RFQを提出してください PC28F512M29EWHD またはメールでご連絡ください: メール: [email protected], 12時間以内にご連絡させていただきます。

数量^*

メール^*

連絡先名^*

会社

述べる

特徴

High-Performance Read, Program and Erase
– 96 ns initial read access
– 108 MHz with zero wait-state synchronous burst reads: 7 ns clock-to-data output
– 133 MHz with zero wait-state synchronous burst reads: 5.5 ns clock-to-data output
– 8-, 16-, and continuous-word synchronous-burst Reads
– Programmable WAIT configuration
– Customer-configurable output driver impedance
– Buffered Programming: 2.0 μs/Word (typ), 512-Mbit 65 nm
– Block Erase: 0.9 s per block (typ)
– 20 μs (typ) program/erase suspend
Architecture
– 16-bit wide data bus
– Multi-Level Cell Technology
– Symmetrically-Blocked Array Architecture
– 256-Kbyte Erase Blocks
– 1-Gbit device: Eight 128-Mbit partitions
– 512-Mbit device: Eight 64-Mbit partitions
– 256-Mbit device: Eight 32-Mbit partitions
– 128-Mbit device: Eight 16-Mbit partitions
– Read-While-Program and Read-While-Erase
– Status Register for partition/device status
– Blank Check feature
Quality and Reliability
– Expanded temperature: –30 °C to +85 °C
– Minimum 100,000 erase cycles per block
– 65nm Process Technology
Power
– Core voltage: 1.7 V - 2.0 V
– I/O voltage: 1.7 V - 2.0 V
– Standby current: 60 μA (typ) for 512-Mbit, 65 nm
– Deep Power-Down mode: 2 μA (typ)
– Automatic Power Savings mode
– 16-word synchronous-burst read current: 23 mA (typ) @ 108 MHz; 24 mA (typ) @ 133 MHz
Software
– Micron® Flash data integrator (FDI) optimized
– Basic command set (BCS) and extended command set (ECS) compatible
– Common Flash interface (CFI) capable
Security
– One-time programmable (OTP) space
64 unique factory device identifier bits
2112 user-programmable OTP bits
– Absolute write protection: VPP = GND
– Power-transition erase/program lockout
– Individual zero latency block locking
– Individual block lock-down
Density and packaging
– 128Mb, 256Mb, 512Mbit, and 1-Gbit
– Address-data multiplexed and non-multiplexed interfaces
– 64-Ball Easy BGA

仕様

パラメータ	価値	パラメータ	価値
Product Category	NOR Flash	Mounting Style	SMD/SMT
Package / Case	BGA-64	Series	M29EW
Memory Size	512 Mbit	Supply Voltage - Min	2.7 V
Supply Voltage - Max	3.6 V	Active Read Current - Max	50 mA
Interface Type	Parallel	Organization	64 M x 8/32 M x 16
Data Bus Width	8 bit/16 bit	Timing Type	Asynchronous
Minimum Operating Temperature	- 40 C	Maximum Operating Temperature	+ 85 C
Brand	Micron	Memory Type	NOR
Product Type	NOR Flash	Speed	100 ns
Standard	Common Flash Interface (CFI)	Factory Pack Quantity	1104
Subcategory	Memory & Data Storage

配送

	配送料	リードタイム
DHL	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
フェデックス	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
UPS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
TNT	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
EMS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
登録された航空便	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々

処理時間：送料は地域や国によって異なります。

支払い

支払条件		ハンドフィー
	電信送金	銀行手数料 US$30.00 を請求します。
	ペイパル	4.0％のサービス料がかかります。
	クレジットカード	3.5％のサービス料がかかります。
	ウエスタンユニオン	charge US.00 banking fee.
	送金サービス	銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。

保証

1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。

2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。

パッキング

ステップ1 :製品
ステップ2 :真空包装
ステップ3 :静電気防止袋
ステップ4 :個包装
ステップ5 :梱包箱
ステップ6 :バーコード配送タグ

すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。

社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。

私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。

すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。

パーツポイント

The PC28F512M29EWHD is a flash memory chip manufactured by Intel. It has a capacity of 512MB and features fast read and write speeds, making it suitable for use in various applications such as embedded systems, networking devices, and industrial equipment. The chip is designed to be reliable and durable, making it ideal for use in demanding environments.
Equivalent

Some equivalent products of PC28F512M29EWHD chip are SST39SF010A, AM29F010B, and W27C010.
Features

PC28F512M29EWHD is a 512 Mbit (64 MB) NAND Flash memory module manufactured by Intel. It features a 1.8V power supply, x8 or x16 organization, and an asynchronous page read operation. The device also includes a hardware protection feature and is compatible with industry-standard commands and timings.
Pinout

PC28F512M29EWHD is a 48-pin NAND flash memory IC. It has a capacity of 512Mb (64MB) and operates with a supply voltage of 2.7-3.6V. It is used for storing data in various electronic devices such as smartphones, tablets, and embedded systems.
Manufacturer

The manufacturer of PC28F512M29EWHD is Intel Corporation. Intel Corporation is a multinational technology company that designs and manufactures a variety of computing and communication products, with a focus on semiconductors, microprocessors, and memory storage solutions. They are a leading player in the global semiconductor industry, known for their innovation and cutting-edge technology.
Application Field

PC28F512M29EWHD is commonly used in various electronic devices such as set-top boxes, digital cameras, GPS devices, routers, and industrial automation systems. It is also utilized in applications that require high-speed and high-density non-volatile memory storage, such as automotive infotainment systems and smart meters.
Package

The PC28F512M29EWHD chip is a 64-ball Fortified Thin Quad Flat Package (FTQFP) with a 8mm x 14mm body size and a 8mm x 8mm lead pitch size. The form of the chip is surface mount, and it has a 512Mb (64MB) capacity.