画像は参考用です。製品仕様を参照してください。
注文金額が
$5000NVMFS5C604NLAFT1G
MOSFET T6 60V HEFET
ブランド: onsemi
製造元部品 #: NVMFS5C604NLAFT1G
データシート: NVMFS5C604NLAFT1G データシート (PDF)
パッケージ/ケース: SO-8FL-4
製品の種類: Single FETs, MOSFETs
NVMFS5C604NLAFT1G 概要
Automotive Power MOSFET in a 5x6mm flat lead package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance. Wettable Flank Option available for Enhanced Optical Inspection. AEC-Q101 Qualified MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications.
特徴
- Low RDS(on)
- Low QG and Gate capacitance
- Industry standard Small Footprint (5x6 mm)
- NVMFS5C604NLWF − Wettable Flank Option
- AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable
- RoHS Compliant
応用
- Reverse Battery protection
- Switching power supplies
- Power switches (High Side Driver, Low Side Driver, H-Bridges etc.)
仕様
| パラメータ | 価値 | パラメータ | 価値 |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | onsemi | Product Category: | MOSFET |
| RoHS: | Details | Technology: | Si |
| Mounting Style: | SMD/SMT | Package / Case: | SO-8FL-4 |
| Transistor Polarity: | N-Channel | Number of Channels: | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V | Id - Continuous Drain Current: | 287 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 930 uOhms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V | Qg - Gate Charge: | 120 nC |
| Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 175 C |
| Pd - Power Dissipation: | 200 W | Channel Mode: | Enhancement |
| Qualification: | AEC-Q101 | Series: | NVMFS5C604NL |
| Packaging: | MouseReel | Brand: | onsemi |
| Configuration: | Single | Fall Time: | 81.3 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 180 S | Product Type: | MOSFET |
| Rise Time: | 79.1 ns | Factory Pack Quantity: | 1500 |
| Subcategory: | MOSFETs | Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 57.8 ns | Typical Turn-On Delay Time: | 21.8 ns |
| Unit Weight: | 0.026455 oz | Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel | Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V | Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 287A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2mOhm @ 50A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 52 nC @ 4.5 V |
| Vgs (Max) | ±20V | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8900 pF @ 25 V |
| Power Dissipation (Max) | 200W (Tc) | Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Grade | Automotive | Qualification | AEC-Q101 |
| Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
配送
| 配送タイプ | 配送料 | リードタイム | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
 |
フェデックス | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
 |
登録された航空便 | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
処理時間：送料は地域や国によって異なります。
支払い
| 支払条件 | ハンドフィー | |
|---|---|---|
 |
電信送金 | 銀行手数料 US$30.00 を請求します。 |
 |
ペイパル | 4.0％のサービス料がかかります。 |
 |
クレジットカード | 3.5％のサービス料がかかります。 |
 |
ウエスタンユニオン | charge US.00 banking fee. |
 |
送金サービス | 銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。 |
保証
1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。
2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。 ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。
パッキング
-
![製品]( "製品")
ステップ1 :製品
-
![真空包装]( "真空包装")
ステップ2 :真空包装
-
![静電気防止袋]( "静電気防止袋")
ステップ3 :静電気防止袋
-
![個包装]( "個包装")
ステップ4 :個包装
-
![梱包箱]( "梱包箱")
ステップ5 :梱包箱
-
![バーコード配送タグ]( "バーコード配送タグ")
ステップ6 :バーコード配送タグ
すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。
社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。
私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。
すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。 優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。
パーツポイント
-
The NVMFS5C604NLAFT1G chip is a Non-Volatile Memory Field-Effect Transistor (NVM-FET) with a 60 V, 2000 mA rating. It is designed for power management applications and provides high performance and reliability. It features high efficiency, low resistance, and is suitable for use in various environments. This chip is commonly used in automotive, consumer, and industrial applications where power management is essential.
-
Features
The NVMFS5C604NLAFT1G is a MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) featuring low ON resistance, high withstand voltage, and compact size. It has a drain-to-source voltage rating of 60 volts and a drain current capability of 4 amperes. This device is designed for efficient power management applications in various electronic systems. -
Pinout
The NVMFS5C604NLAFT1G is a 40-pin Dual N-Channel Power MOSFET, with features including low RDS(on), high-side gate-drive, and integrated reverse polarity protection. It is commonly used in automotive applications and features a compact surface-mount package. -
Manufacturer
ON Semiconductor is the manufacturer of the NVMFS5C604NLAFT1G. It is a multinational semiconductor company that specializes in power management and sensor solutions. -
Application Field
The NVMFS5C604NLAFT1G is a small, low-voltage power MOSFET commonly used in various electronic devices such as smartphones, tablets, and portable electronics. It is also used for power management in consumer electronics, networking equipment, and battery-powered devices requiring efficient and reliable power control. -
Package
The NVMFS5C604NLAFT1G chip has a PQFN package type, a quad flat no-lead form, and a size of 3mm x 3mm.
私たちは高品質の製品、思いやりのあるサービス、販売後の保証を提供します
-
![製品]( "製品")
豊富な商品を取り揃えておりますので、お客様の様々なニーズにお応え致します。
-
![quantity]( "quantity")
最小注文数量は1個からとなります。
-
![shipping]( "shipping")
最低国際配送料は0.00ドルから
-
![保証]( "保証")
全商品365日品質保証
