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NP100P06PDG-E1-AY
MOSFET LOW VOLTAGE POWER MOSFET
ブランド: Renesas Electronics Corporation
製造元部品 #: NP100P06PDG-E1-AY
データシート: NP100P06PDG-E1-AY データシート (PDF)
パッケージ/ケース: TO-263-3,D2PAK(2Leads+Tab),TO-263AB
RoHS ステータス:
在庫状況: 5114 個、新しいオリジナル
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*すべての価格は米ドルです
| 数量 | 単価 | 外部価格 |
|---|---|---|
| 1 | $2.975 | $2.975 |
| 200 | $1.151 | $230.200 |
| 500 | $1.112 | $556.000 |
| 800 | $1.091 | $872.800 |
In Stock:5114 PCS
NP100P06PDG-E1-AY 概要
The NP100P06PDG is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.
特徴
- Super low on-state resistance RDS(on)1 = 6.0 mΩ MAX. (VGS = −10 V, ID = −50 A) RDS(on)2 = 7.8 mΩ MAX. (VGS = −4.5 V, ID = −50 A)
- High current rating: ID(DC) = ∓100 A
仕様
| パラメータ | 価値 | パラメータ | 価値 |
|---|---|---|---|
| Product Status | Active | FET Type | P-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6mOhm @ 50A, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 300 nC @ 10 V | Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 15000 pF @ 10 V | Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta), 200W (Tc) |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) | Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | TO-263 | Package / Case | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Base Product Number | NP100P06 |
配送
| 配送タイプ | 配送料 | リードタイム | |
|---|---|---|---|
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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フェデックス | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
 |
登録された航空便 | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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支払い
| 支払条件 | ハンドフィー | |
|---|---|---|
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電信送金 | 銀行手数料 US$30.00 を請求します。 |
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ペイパル | 4.0％のサービス料がかかります。 |
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クレジットカード | 3.5％のサービス料がかかります。 |
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ウエスタンユニオン | charge US.00 banking fee. |
 |
送金サービス | 銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。 |
保証
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パッキング
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ステップ3 :静電気防止袋
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