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NAND256W3A2BN6E

Name: NAND256W3A2BN6E
Brand: Micron Technology Inc.
Rating: 4.8 (10 reviews)

This product is housed in a PDSO48 package and features a TSOP-48 interface for easy integration into electronic devices

ブランド: Micron Technology Inc.

製造元部品 #: NAND256W3A2BN6E

データシート: NAND256W3A2BN6E データシート (PDF)

パッケージ/ケース: 48-TFSOP

製品の種類: メモリ

RoHS ステータス:

在庫状況: 6,469 個、新しいオリジナル

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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NAND256W3A2BN6E 概要

Featuring advanced technology and efficient design, the NAND256W3A2BN6E stands out as a versatile solution for storage needs in a wide range of consumer electronics. Its high-density configuration enables manufacturers to create devices with ample storage space without compromising on performance. The NAND flash memory family is well-known for its durability, fast read and write speeds, and energy-efficient operation, making it a preferred choice for developers seeking reliable non-volatile storage solutions. The NAND256W3A2BN6E chip embodies these characteristics, offering a seamless integration into devices that require efficient storage capabilities

特徴

HIGH DENSITY NAND FLASH MEMORIES
– Up to 1 Gbit memory array
– Up to 32 Mbit spare area
– Cost effective solutions for mass storage applications
NAND INTERFACE
– x8 or x16 bus width
– Multiplexed Address/ Data
– Pinout compatibility for all densities
SUPPLY VOLTAGE
– 1.8V device: VDD = 1.7 to 1.95V
– 3.0V device: VDD = 2.7 to 3.6V
PAGE SIZE
– x8 device: (512 + 16 spare) Bytes
– x16 device: (256 + 8 spare) Words
BLOCK SIZE
– x8 device: (16K + 512 spare) Bytes
– x16 device: (8K + 256 spare) Words
PAGE READ / PROGRAM
– Random access: 12µs (max)
– Sequential access: 50ns (min)
– Page program time: 200µs (typ)
COPY BACK PROGRAM MODE
– Fast page copy without external buffering
FAST BLOCK ERASE
– Block erase time: 2ms (Typ)
STATUS REGISTER
ELECTRONIC SIGNATURE
CHIP ENABLE ‘DON’T CARE’ OPTION
– Simple interface with microcontroller
SERIAL NUMBER OPTION
HARDWARE DATA PROTECTION
– Program/Erase locked during Power transitions
DATA INTEGRITY
– 100,000 Program/Erase cycles
– 10 years Data Retention
RoHS COMPLIANCE
– Lead-Free Components are Compliant with the RoHS Directive
DEVELOPMENT TOOLS
– Error Correction Code software and hardware models
– Bad Blocks Management and Wear Leveling algorithms
– File System OS Native reference software
– Hardware simulation models

仕様

パラメータ	価値	パラメータ	価値
Package	Tray	Product Status	Obsolete
Programmabe	Not Verified	Memory Type	Non-Volatile
Memory Format	FLASH	Technology	FLASH - NAND
Memory Size	256Mbit	Memory Organization	32M x 8
Memory Interface	Parallel	Write Cycle Time - Word, Page	50ns
Access Time	50 ns	Voltage - Supply	2.7V ~ 3.6V
Operating Temperature	-40°C ~ 85°C (TA)	Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)	Supplier Device Package	48-TSOP
Base Product Number	NAND256

配送

	配送料	リードタイム
DHL	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
フェデックス	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
UPS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
TNT	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
EMS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
登録された航空便	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々

処理時間：送料は地域や国によって異なります。

支払い

支払条件		ハンドフィー
	電信送金	銀行手数料 US$30.00 を請求します。
	ペイパル	4.0％のサービス料がかかります。
	クレジットカード	3.5％のサービス料がかかります。
	ウエスタンユニオン	charge US.00 banking fee.
	送金サービス	銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。

保証

1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。

2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。

パッキング

ステップ1 :製品
ステップ2 :真空包装
ステップ3 :静電気防止袋
ステップ4 :個包装
ステップ5 :梱包箱
ステップ6 :バーコード配送タグ

すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。

社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。

私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。

すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。

パーツポイント

The NAND256W3A2BN6E is a 256-gigabit (32GB) NAND Flash memory chip manufactured by Samsung. It features a 3-bit per cell design, offering high capacity storage in a small form factor. This chip is commonly used in solid-state drives (SSDs), smartphones, tablets, and other electronic devices requiring fast and reliable data storage.
Equivalent

The equivalent products of NAND256W3A2BN6E chip are MT29F2G08ABAEAWP, K9F2G08U0C-SCB0, S34ML02G100TFI000, SM2762A1BCME010, and IS36xML2G2G1LCG.
Features

NAND256W3A2BN6E is a NAND flash memory chip with a capacity of 256GB. It has a 3.3V power supply, asynchronous page read and program operation, and an operating temperature range of -40°C to 85°C. This chip also features a 2KB page size, 6ns program time, and built-in ECC correction.
Pinout

The NAND256W3A2BN6E is a 256Mbit NAND Flash memory chip with 48-pin WSON package. It has a 3V operating voltage and offers high-speed data transfer. The pin functions include power supply, ground, data input/output, and control signals for memory operations.
Manufacturer

The manufacturer of NAND256W3A2BN6E is Micron Technology Inc. It is an American multinational corporation that specializes in computer memory and data storage technologies. Micron is one of the largest semiconductor companies in the world and is a leading manufacturer of NAND flash memory products.
Application Field

The NAND256W3A2BN6E is commonly used in various applications such as solid-state drives (SSDs), digital cameras, music players, USB flash drives, and other consumer electronics devices that require high performance, reliability, and high storage capacity in a small form factor.
Package

The NAND256W3A2BN6E chip has a BGA (Ball Grid Array) package type, with 48 ball contacts. It is a NAND Flash memory chip with a 256Gb (32GB) density, organized as 512M x 8bits. The dimensions of the chip are 10.0mm x 13.5mm with a thickness of 1.0mm.