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MUN5233T1G

Name: MUN5233T1G
Rating: 4.5 (10 reviews)

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 202 mW Surface Mount SC-70-3 (SOT323)

ブランド: onsemi

製造元部品 #: MUN5233T1G

データシート: MUN5233T1G データシート (PDF)

パッケージ/ケース: SC-70-3

製品の種類: Single, Pre-Biased Bipolar Transistors

RoHS ステータス:

在庫状況: 9,458 個、新しいオリジナル

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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MUN5233T1G 概要

Product MUN5233T1G is a cutting-edge solution for simplifying transistor circuit design. This digital transistor series is specifically engineered to replace a single device and its associated external resistor bias network. With the inclusion of a Bias Resistor Transistor (BRT), this innovative product boasts a monolithic bias network that features two integral resistors – a series base resistor and a base-emitter resistor

特徴

Increases Data Storage Capacity
Improves Network Performance
Simplifies System Installation
Reduces Error Rates

仕様

パラメータ	価値	パラメータ	価値
Manufacturer:	onsemi	Product Category:	Bipolar Transistors - Pre-Biased
RoHS:	Details	Configuration:	Single
Transistor Polarity:	NPN	Typical Input Resistor:	4.7 kOhms
Typical Resistor Ratio:	0.1	Mounting Style:	SMD/SMT
Package / Case:	SC-70-3	DC Collector/Base Gain hfe Min:	80
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	50 V	Continuous Collector Current:	100 mA
Peak DC Collector Current:	100 mA	Pd - Power Dissipation:	202 mW
Minimum Operating Temperature:	- 55 C	Maximum Operating Temperature:	+ 150 C
Series:	MUN5233	Packaging:	MouseReel
Brand:	onsemi	DC Current Gain hFE Max:	80
Height:	0.85 mm	Length:	2.1 mm
Product Type:	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased	Factory Pack Quantity:	3000
Subcategory:	Transistors	Width:	1.24 mm
Unit Weight:	0.000219 oz

配送

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パッキング

ステップ1 :製品
ステップ2 :真空包装
ステップ3 :静電気防止袋
ステップ4 :個包装
ステップ5 :梱包箱
ステップ6 :バーコード配送タグ

すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。

社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。

私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。

すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。

パーツポイント

MUN5233T1G is a Schottky diode designed for high-speed switching applications in power supplies, inverters, and motor control. It offers low forward voltage drop and fast switching speed, making it ideal for high-efficiency circuits. Its compact size and high reliability make it suitable for a wide range of applications in automotive, industrial, and consumer electronics.
Equivalent

The MUN5233T1G chip's equivalents include MMBT5233LT1G, MMBT5233LT1, and MUN5233DW1T1G. These alternatives offer similar functionality and performance in various applications, providing options for design flexibility and availability.
Features

MUN5233T1G is a NPN bipolar junction transistor (BJT) with a maximum collector current of 300mA, a maximum collector-emitter voltage of 50V, and a maximum power dissipation of 350mW. It is designed for general-purpose amplifier and switching applications.
Pinout

The MUN5233T1G is a dual NPN transistor in a SOT-23 package. It has three pins: emitter, base, and collector. It is commonly used in amplification and switching applications due to its small size and high current capability.
Manufacturer

The MUN5233T1G is manufactured by ON Semiconductor, a multinational semiconductor supplier. ON Semiconductor produces a wide range of power management, analog, logic, discrete, and custom devices for various applications including automotive, industrial, and consumer electronics.
Application Field

The MUN5233T1G is commonly used in applications such as voltage regulation, power management, and DC-DC conversion in portable electronic devices, consumer electronics, automotive systems, and industrial control systems. It is also ideal for use in power supply modules, battery chargers, and LED drivers.
Package

The MUN5233T1G is a bipolar transistor in a SOT-323 package, which is a small surface-mount package. The dimensions typically range around 2.1mm x 1.3mm x 1mm.