このウェブサイトは Cookie を使用しています。このサイトを使用すると、Cookie の使用に同意したことになります。詳細については、こちらをご覧くださいプライバシーポリシー.

画像は参考用です。製品仕様を参照してください。

注文金額が

$5000

得る $50 割引 !

MMDF2C03HDR2G

Name: MMDF2C03HDR2G
Rating: 4.5 (10 reviews)

MOSFET COMP S08C 30V 4.1A 70mOhm

ブランド: onsemi

製造元部品 #: MMDF2C03HDR2G

データシート: MMDF2C03HDR2G データシート (PDF)

パッケージ/ケース: 8-SOIC

製品の種類: FET, MOSFET Arrays

RoHS ステータス:

在庫状況: 5,994 個、新しいオリジナル

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

簡単な見積もり

RFQを提出してください MMDF2C03HDR2G またはメールでご連絡ください: メール: [email protected], 12時間以内にご連絡させていただきます。

数量^*

メール^*

連絡先名^*

会社

述べる

MMDF2C03HDR2G 概要

The MMDF2C03HDR2G is a reliable and efficient option for designers and engineers in need of a power MOSFET solution for their low voltage, high speed switching applications. Its miniature size, low RDS(on), and true logic level performance make it an ideal choice for applications where power efficiency is crucial. The device's ability to withstand high energy in the avalanche and commutation modes, paired with its low reverse recovery time for the drain-to-source diode, sets it apart from other options on the market

特徴

Soft Recovery for Reduced EMI
High Efficiency with Low V_F
Pulse by Pulse Current Limiting

仕様

パラメータ	価値	パラメータ	価値
Manufacturer	onsemi	Product Category	MOSFET
RoHS	Details	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Package / Case	SOIC-8
Transistor Polarity	N-Channel, P-Channel	Number of Channels	2 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	30 V	Id - Continuous Drain Current	4.1 A
Rds On - Drain-Source Resistance	70 mOhms	Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Pd - Power Dissipation	2 W	Channel Mode	Enhancement
Brand	onsemi	Configuration	Dual
Fall Time	23 ns, 194 ns	Forward Transconductance - Min	3.6 S
Height	1.5 mm	Length	5 mm
Product Type	MOSFET	Rise Time	65 ns, 18 ns
Factory Pack Quantity	2500	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 N-Channel, 1 P-Channel	Type	MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time	30 ns, 81 ns	Typical Turn-On Delay Time	12 ns, 16 ns
Width	4 mm

配送

	配送料	リードタイム
DHL	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
フェデックス	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
UPS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
TNT	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
EMS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
登録された航空便	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々

処理時間：送料は地域や国によって異なります。

支払い

支払条件		ハンドフィー
	電信送金	銀行手数料 US$30.00 を請求します。
	ペイパル	4.0％のサービス料がかかります。
	クレジットカード	3.5％のサービス料がかかります。
	ウエスタンユニオン	charge US.00 banking fee.
	送金サービス	銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。

保証

1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。

2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。

パッキング

ステップ1 :製品
ステップ2 :真空包装
ステップ3 :静電気防止袋
ステップ4 :個包装
ステップ5 :梱包箱
ステップ6 :バーコード配送タグ

すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。

社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。

私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。

すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。

パーツポイント

The MMDF2C03HDR2G is a MOSFET H-bridge power switch designed for high-speed switching applications. It offers low ON-resistance and space-saving packaging, making it ideal for use in automotive, industrial, and consumer electronics applications. This chip is capable of controlling high current and voltage levels effectively, improving system efficiency and performance.
Equivalent

The equivalent products of MMDF2C03HDR2G chip are FDMS86181 and FDMS86101BZ. These are both dual N-channel PowerTrench MOSFETs with similar specifications and performance characteristics.
Features

MMDF2C03HDR2G is a high-gain, low noise figure GaAs MESFET RF amplifier with a frequency range of 5 to 500 MHz. It offers high linearity, high gain, and low power consumption, making it suitable for various communication and RF applications.
Pinout

The MMDF2C03HDR2G is a dual 2:1 Mux/Demux switch with a pin count of 56. It is used for data routing and signal switching applications in communication systems and networking equipment. It features high-speed operation and low crosstalk performance.
Manufacturer

The manufacturer of MMDF2C03HDR2G is ON Semiconductor, which is a semiconductor manufacturing company. They design and produce a wide range of power management, connectivity, and analog semiconductor products for a variety of industries, including automotive, industrial, and consumer electronics.
Application Field

MMDF2C03HDR2G is a high-power, low-loss Schottky diode commonly used in applications such as RF detector circuits, high-frequency mixers, and signal demodulation. Its high power handling capability makes it suitable for use in radar systems, microwave communications, and other high-frequency applications requiring fast switching speeds and low noise.
Package

The MMDF2C03HDR2G chip is housed in a DFN-8 (2mm x 2mm) package. It is a high-speed, high-voltage MOSFET driver with a peak output current of 2A, designed for driving small and medium power N-channel MOSFETs in high-speed switching applications.