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MMBTA14LT1G

Name: MMBTA14LT1G
Brand: onsemi
Rating: 4.8 (10 reviews)

Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 30 V 300 mA 125MHz 225 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

ブランド: onsemi

製造元部品 #: MMBTA14LT1G

データシート: MMBTA14LT1G データシート (PDF)

パッケージ/ケース: SOT-23-3

製品の種類: Single Bipolar Transistors

RoHS ステータス:

在庫状況: 9,458 個、新しいオリジナル

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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MMBTA14LT1G 概要

The Darlington configuration of this transistor provides high current gain, making it suitable for driving loads with higher current requirements. This means that you can trust this transistor to effectively control your devices without sacrificing performance

特徴

Ultra-Low Power Consumption
Compact SOT-23 Package
Pb-Free and RoHS Compliant

仕様

パラメータ	価値	パラメータ	価値
Manufacturer:	onsemi	Product Category:	Darlington Transistors
RoHS:	Details	Configuration:	Single
Transistor Polarity:	NPN	Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	30 V
Emitter- Base Voltage VEBO:	10 V	Collector- Base Voltage VCBO:	30 V
Maximum DC Collector Current:	300 mA	Maximum Collector Cut-off Current:	100 nA
Pd - Power Dissipation:	225 mW	Mounting Style:	SMD/SMT
Package / Case:	SOT-23-3	Minimum Operating Temperature:	- 55 C
Maximum Operating Temperature:	+ 150 C	Series:	MMBTA14L
Packaging:	MouseReel	Brand:	onsemi
Continuous Collector Current:	300 mA	DC Collector/Base Gain hfe Min:	10000
Height:	0.94 mm	Length:	2.9 mm
Product Type:	Darlington Transistors	Factory Pack Quantity:	3000
Subcategory:	Transistors	Width:	1.3 mm
Unit Weight:	0.000282 oz

配送

	配送料	リードタイム
DHL	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
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	送金サービス	銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。

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2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。

パッキング

ステップ1 :製品
ステップ2 :真空包装
ステップ3 :静電気防止袋
ステップ4 :個包装
ステップ5 :梱包箱
ステップ6 :バーコード配送タグ

すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。

社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。

私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。

すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。

パーツポイント

The MMBTA14LT1G is a general-purpose NPN transistor chip commonly used in low-power applications. It has a maximum collector current of 0.3A and a maximum power dissipation of 225mW. This chip is commonly used in amplifiers, oscillators, and switching circuits.
Equivalent

The MMBTA14LT1G is a general-purpose NPN transistor. Equivalent products include 2N3904, BC547, and PN2222A.
Features

The MMBTA14LT1G is a small signal NPN transistor with a maximum collector current of 200mA, a maximum power dissipation of 250mW, and a voltage rating of 40V. It's commonly used in amplification and switching applications due to its compact size and high current capability.
Pinout

The MMBTA14LT1G is a NPN Bipolar Junction Transistor (BJT) with a pin count of 3. Pin functions are: 1. Emitter 2. Base 3. Collector
Manufacturer

The MMBTA14LT1G is manufactured by ON Semiconductor, a global supplier of semiconductor-based solutions. ON Semiconductor designs, manufactures, and markets a broad portfolio of semiconductor components, serving diverse industries including automotive, communications, computing, consumer, industrial, and medical.
Application Field

The MMBTA14LT1G is commonly used in low-power amplification, switching, and signal processing applications. It finds its place in consumer electronics, such as smartphones, tablets, and portable devices, due to its small size and efficiency. Additionally, it's employed in automotive electronics and industrial automation for various control and signal processing tasks.
Package

The MMBTA14LT1G chip has a SOT-23 package type, is in a surface mount form, and has a size of 2.9 mm x 1.3 mm x 1.1 mm.