このウェブサイトは Cookie を使用しています。 このサイトを使用すると、Cookie の使用に同意したことになります。 詳細については、こちらをご覧ください プライバシーポリシー.

注文金額が

$5000
得る $50 割引 !

MBT3906DW1T1G 48HRS

Bipolar Transistors - BJT

ISO14001 ISO9001 DUNS

ブランド: onsemi

製造元部品 #: MBT3906DW1T1G

データシート: MBT3906DW1T1G データシート (PDF)

パッケージ/ケース: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363

RoHS ステータス:

在庫状況: 6,309 個、新しいオリジナル

製品の種類: Bipolar Transistor Arrays

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

価格設定

*すべての価格は米ドルです

数量 単価 外部価格
5 $0.057 $0.285
50 $0.043 $2.150
150 $0.036 $5.400
500 $0.031 $15.500
3000 $0.027 $81.000
6000 $0.025 $150.000

在庫あり: 6,309 PCS

- +

簡単な見積もり

RFQを提出してください MBT3906DW1T1G またはメールでご連絡ください: Eメール: [email protected], 12時間以内にご連絡させていただきます。

MBT3906DW1T1G 概要

Meet the MBT3906DW1T1G Dual PNP Bipolar Transistor, the latest addition to our line of high-performance semiconductor devices. This cutting-edge transistor is specifically designed for amplifier applications and features a compact SOT-363 six-leaded surface mount package. By integrating two discrete devices into a single unit, this device offers unparalleled flexibility and efficiency, making it perfect for low-power surface mount applications where space is at a premium. With its rugged construction and reliable performance, the MBT3906DW1T1G is the ideal choice for demanding amplifier circuits

特徴

  • Low Power Consumption
  • Small Form Factor
  • Fast Switching Time, < 200 ns
  • High Efficiency, up to 95%
  • Safe Operating Area, ±20 A
  • Wide Temperature Range, -40°C to 125°C

応用

Dual General Purpose Transistor

The MBT3906DW1T1 device is a spin−off of our popular SOT−23/SOT−323 three−leaded device. It is designed for general purpose amplifier applications and is housed in the SOT−363 six−leaded surface mount package. By putting two discrete devices in one package, this device is ideal for low−power surface mount applications where board space is at a premium.

仕様

パラメータ 価値 パラメータ 価値
Product Status Active Transistor Type 2 PNP (Dual)
Current - Collector (Ic) (Max) 200mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 5mA, 50mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 10mA, 1V
Power - Max 150mW Frequency - Transition 250MHz
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type Surface Mount
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Supplier Device Package SC-88/SC70-6/SOT-363
Base Product Number MBT3906

配送

配送タイプ 配送料 リードタイム
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
Fedex フェデックス $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
登録された航空便 登録された航空便 $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々

処理時間:送料は地域や国によって異なります。

支払い

支払条件 ハンドフィー
電信送金 電信送金 銀行手数料 US$30.00 を請求します。
ペイパル ペイパル 4.0%のサービス料がかかります。
クレジットカード クレジットカード 3.5%のサービス料がかかります。
ウエスタンユニオン ウエスタンユニオン charge US.00 banking fee.
送金サービス 送金サービス 銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。

保証

1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。

2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。 ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。

パッキング

  • 製品

    ステップ1 :製品

  • 真空包装

    ステップ2 :真空包装

  • 静電気防止袋

    ステップ3 :静電気防止袋

  • 個包装

    ステップ4 :個包装

  • 梱包箱

    ステップ5 :梱包箱

  • バーコード配送タグ

    ステップ6 :バーコード配送タグ

すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。

社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。

私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。

すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。 優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。

  • ESD
  • ESD

私たちは高品質の製品、思いやりのあるサービス、販売後の保証を提供します

  • 製品

    豊富な商品を取り揃えておりますので、お客様の様々なニーズにお応え致します。

  • quantity

    最小注文数量は1個からとなります。

  • shipping

    最低国際配送料は0.00ドルから

  • 保証

    全商品365日品質保証

評価とレビュー

評価
製品を評価してください。
コメントを入力してください

コメントはアカウントにログインしてから送信してください。

提出する

推薦する

  • AO4292E

    AO4292E

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    High-quality 100V 8A SOIC-8 MOSFET with 23mΩ resi...

  • VQ1004P

    VQ1004P

    Vishay

    VQ1004P by Siliconix

  • STS4DPF30L

    STS4DPF30L

    Stmicroelectronics

    Dual P-channel MOSFET Transistor STS4DPF30L featur...

  • STS9D8NH3LL

    STS9D8NH3LL

    STMicroelectronics

    Dual N-channel 30V MOSFET, with 0.012 Ohm resistan...

  • RFP30P05

    RFP30P05

    Onsemi

    MOSFET Power P-Channel TO-220AB

  • NE3210S01-T1B

    NE3210S01-T1B

    Cel

    High-Frequency NE3210S01-T1B Transistor: Incorpora...