注文金額が
$5000Microchip LND150N8
N-Channel Silicon Metal-oxide Semiconductor FET
ブランド: Microchip
製造元部品 #: LND150N8
データシート: LND150N8 データシート (PDF)
パッケージ/ケース: SOT-89-3
製品の種類: Single FETs, MOSFETs
LND150N8 概要
General DescriptionThe LND150 is a high voltage N-channel depletion mode (normally-on) transistor utilizing Supertex’s lateral DMOS technology. The gate is ESD protected.The LND150 is ideal for high voltage applications in the areas of normally-on switches, precision constant current sources, voltage ramp generation and amplifcation.Features► Free from secondary breakdown► Low power drive requirement► Ease of paralleling► Excellent thermal stability► Integral source-drain diode► High input impedance and low CISS► ESD gate protectionApplications► Solid state relays► Normally-on switches► Converters► Power supply circuits► Constant current sources► Input protection circuits
特徴
- ► Free from secondary breakdown
- ► Low power drive requirement
- ► Ease of paralleling
- ► Excellent thermal stability
- ► Integral source-drain diode
- ► High input impedance and low CISS
- ► ESD gate protection
仕様
パラメータ | 価値 | パラメータ | 価値 |
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Manufacturer | Microchip | Product Category | MOSFET |
RoHS | N | Technology | Si |
Mounting Style | SMD/SMT | Package / Case | SOT-89-3 |
Transistor Polarity | N-Channel | Number of Channels | 1 Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 500 V | Id - Continuous Drain Current | 30 mA |
Rds On - Drain-Source Resistance | 1 kOhms | Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V |
Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
Pd - Power Dissipation | 1.2 W | Channel Mode | Depletion |
Brand | Microchip Technology | Configuration | Single |
Fall Time | 450 ns | Height | 1.6 mm |
Length | 4.6 mm | Product | MOSFET Small Signals |
Product Type | MOSFET | Rise Time | 450 ns |
Factory Pack Quantity | 2000 | Subcategory | MOSFETs |
Transistor Type | 1 N-Channel | Typical Turn-Off Delay Time | 100 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 90 ns | Width | 2.6 mm |
Unit Weight | 0.001862 oz |
配送
配送タイプ | 配送料 | リードタイム | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 | |
フェデックス | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 | |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 | |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 | |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 | |
登録された航空便 | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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支払い
支払条件 | ハンドフィー | |
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ペイパル | 4.0%のサービス料がかかります。 | |
クレジットカード | 3.5%のサービス料がかかります。 | |
ウエスタンユニオン | charge US.00 banking fee. | |
送金サービス | 銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。 |
保証
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パッキング
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ステップ1 :製品
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ステップ2 :真空包装
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ステップ3 :静電気防止袋
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ステップ4 :個包装
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ステップ5 :梱包箱
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ステップ6 :バーコード配送タグ
すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。
社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。
私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。
すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。 優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。
パーツポイント
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The LND150N8 is a power MOSFET transistor designed for high voltage applications in power management and switching circuits. It has a maximum drain-source voltage of 80V and a continuous drain current of 0.25A. The LND150N8 is suitable for use in various electronic devices requiring high efficiency and reliability.
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Equivalent
The equivalent products of the LND150N8 chip are the LND150N3, LND150N5, and LND150N6. These are N-channel JFET transistors with similar specifications and characteristics to the LND150N8. -
Features
The LND150N8 is an N-channel, enhancement-mode lateral field-effect transistor (FET) with a high input impedance, low on-resistance, and low capacitance. It is designed for low power applications and offers high voltage capability of up to 150 volts. -
Pinout
The LND150N8 is a N-channel depletion-mode MOSFET with 8 pins. It is typically used for low noise, high gain amplifier applications. Pin functions include gate (G), drain (D), source (S), and body (B). -
Manufacturer
The manufacturer of LND150N8 is Microsemi Corporation, a company that specializes in semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets. It is a global leader in the design and manufacturing of high-performance components used in these industries. -
Application Field
The LND150N8 is a power enhancement mode field-effect transistor (FET) commonly used for high-speed switching applications in power supplies, motor control, and inverter circuits. It is also utilized in amplifiers, audio equipment, LED drivers, and battery management systems. The LND150N8 offers high current capacity and efficient power handling capabilities, making it ideal for a variety of industrial and consumer electronics applications. -
Package
The LND150N8 is a TO-92 package type chip, with a through-hole form factor. It measures approximately 6.6mm x 5.2mm x 3.68mm in size.
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