このウェブサイトは Cookie を使用しています。 このサイトを使用すると、Cookie の使用に同意したことになります。 詳細については、こちらをご覧ください プライバシーポリシー.

注文金額が

$5000
得る $50 割引 !

IKW20N60T 48HRS

High power IGBT with 650 volts, 20 amps, and 1.5 volts threshold in TO247-3 packaging

ISO14001 ISO9001 DUNS

ブランド: Infineon

製造元部品 #: IKW20N60T

データシート: IKW20N60T データシート (PDF)

パッケージ/ケース: TO-247-3

RoHS ステータス:

在庫状況: 8,317 個、新しいオリジナル

製品の種類: Single IGBTs

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

価格設定

*すべての価格は米ドルです

数量 単価 外部価格
1 $2.020 $2.020
10 $1.783 $17.830
30 $1.308 $39.240
100 $1.156 $115.600
500 $1.088 $544.000
1000 $1.058 $1058.000

在庫あり: 8,317 PCS

- +

簡単な見積もり

RFQを提出してください IKW20N60T またはメールでご連絡ください: Eメール: [email protected], 12時間以内にご連絡させていただきます。

IKW20N60T 概要

The IKW20N60T is a top-of-the-line N-channel IGBT specially crafted for demanding high-power applications. Boasting a hefty 600V voltage rating and a continuous current rating of 20A, this powerhouse device is designed to deliver exceptional performance. With a maximum power dissipation of 194W, the IKW20N60T excels in scenarios where efficiency and speed are paramount. Its low on-state voltage drop and rapid switching speed make it a standout choice for applications requiring swift response times and optimal energy usage

IKW20N60T

特徴

  • Pulse width modulation supported
  • High frequency operation ensured
  • Suitable for automotive applications
  • Low electromagnetic interference

応用

  • Control speed
  • Heat food
  • Charge up

仕様

パラメータ 価値 パラメータ 価値
IC max 41.0 A ICpuls max 60.0 A
IF max 40.0 A IFpuls max 60.0 A
VCE max 600.0 V Switching Frequency max 20.0 kHz
Switching Frequency min 2.0 kHz Package TO-247-3
Switching Frequency TRENCHSTOP™ 2-20 kHz Technology IGBT TRENCHSTOP™
Ptot max 166.0 W

配送

配送タイプ 配送料 リードタイム
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
Fedex フェデックス $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
登録された航空便 登録された航空便 $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々

処理時間:送料は地域や国によって異なります。

支払い

支払条件 ハンドフィー
電信送金 電信送金 銀行手数料 US$30.00 を請求します。
ペイパル ペイパル 4.0%のサービス料がかかります。
クレジットカード クレジットカード 3.5%のサービス料がかかります。
ウエスタンユニオン ウエスタンユニオン charge US.00 banking fee.
送金サービス 送金サービス 銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。

保証

1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。

2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。 ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。

パッキング

  • 製品

    ステップ1 :製品

  • 真空包装

    ステップ2 :真空包装

  • 静電気防止袋

    ステップ3 :静電気防止袋

  • 個包装

    ステップ4 :個包装

  • 梱包箱

    ステップ5 :梱包箱

  • バーコード配送タグ

    ステップ6 :バーコード配送タグ

すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。

社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。

私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。

すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。 優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。

  • ESD
  • ESD

パーツポイント

  • IKW20N60T is a power MOSFET chip used in various electrical devices. It has a voltage rating of 600V and a current rating of 20A. The chip is designed for high-frequency switching applications, offering low on-resistance and fast switching speeds. It is commonly used in power supplies, motor control systems, and inverters, providing efficient and reliable operation.
  • Equivalent

    The equivalent products of the IKW20N60T chip include the IRFS7530TRLPBF, IRF9Z34NSTRLPBF, and STP10NK70ZFP chips.
  • Features

    IKW20N60T is a high power IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) with a 600V voltage rating and a switching current of 40A. It has a low VCE(sat) of 1.55V, reducing power dissipation. The device features a fast switching speed, high ruggedness against short-circuit conditions, and a built-in free-wheeling diode for efficient operation in various applications including motor drives, solar inverters, and UPS systems.
  • Pinout

    The IKW20N60T is a power MOSFET transistor with 8 pins. The pin functions are as follows: 1. Gate (G): Controls the flow of current through the transistor. 2. Drain (D): Connected to the positive power supply. 3. Source (S): Connected to the negative power supply or ground. 4. Drain Kelvin (DK): Provides a Kelvin connection to the drain terminal. 5. Source Kelvin (SK): Provides a Kelvin connection to the source terminal. 6. Gate protection zener diode (GZ): Protects the gate against voltage spikes. 7. Temperature sense (T): Provides temperature sensing capability. 8. Drain Kelvin sense (DKS): Provides Kelvin sense connection to the drain terminal.
  • Manufacturer

    The manufacturer of the IKW20N60T is Infineon Technologies. Infineon is a German semiconductor company that focuses on manufacturing power semiconductors, sensor systems, and other electronic components.
  • Application Field

    IKW20N60T is a power MOSFET transistor primarily used in high-power switching applications. It is commonly utilized in areas such as motor control, power supplies, renewable energy systems, and industrial automation. Its low on-resistance and high current rating make it suitable for applications where efficient power handling, high switching frequency, and reliable operation are crucial.
  • Package

    The IKW20N60T chip is available in a TO-247 package type, which is a through-hole design with three leads. It has a standard form factor for power devices. The size of the chip is approximately 15.7mm x 20.4mm x 5.7mm (L x W x H).

私たちは高品質の製品、思いやりのあるサービス、販売後の保証を提供します

  • 製品

    豊富な商品を取り揃えておりますので、お客様の様々なニーズにお応え致します。

  • quantity

    最小注文数量は1個からとなります。

  • shipping

    最低国際配送料は0.00ドルから

  • 保証

    全商品365日品質保証

評価とレビュー

評価
製品を評価してください。
コメントを入力してください

コメントはアカウントにログインしてから送信してください。

提出する

推薦する

  • AO4292E

    AO4292E

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    High-quality 100V 8A SOIC-8 MOSFET with 23mΩ resi...

  • VQ1004P

    VQ1004P

    Vishay

    VQ1004P by Siliconix

  • STS4DPF30L

    STS4DPF30L

    Stmicroelectronics

    Dual P-channel MOSFET Transistor STS4DPF30L featur...

  • STS9D8NH3LL

    STS9D8NH3LL

    STMicroelectronics

    Dual N-channel 30V MOSFET, with 0.012 Ohm resistan...

  • RFP30P05

    RFP30P05

    Onsemi

    MOSFET Power P-Channel TO-220AB

  • NE3210S01-T1B

    NE3210S01-T1B

    Cel

    High-Frequency NE3210S01-T1B Transistor: Incorpora...