画像は参考用です。製品仕様を参照してください。
注文金額が
$5000Infineon IAUS300N08S5N012ATMA1
N-Channel 80 V 300A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount PG-HSOG-8-1
ブランド: Infineon
製造元部品 #: IAUS300N08S5N012ATMA1
データシート: IAUS300N08S5N012ATMA1 データシート (PDF)
パッケージ/ケース: HSOG-8
製品の種類: Single FETs, MOSFETs
IAUS300N08S5N012ATMA1 概要
Infineon Technologies presents the IAUS300N08S5N012ATMA1 diode module as part of its EconoDUAL3 family of products, specifically designed for high-power applications that demand efficiency and reliability. With a current rating of 300A and a voltage rating of 1200V, this module is ideal for use in industrial drives, renewable energy systems, and traction applications. Its N-channel IGBT technology enables low conduction and switching losses, resulting in enhanced efficiency and reduced power dissipation. The module's standard EconoDUAL3 housing ensures excellent thermal performance and power density, making it a versatile solution for various power electronics applications. Moreover, the module incorporates several protection features such as short-circuit protection, over-temperature protection, and under-voltage lockout to guarantee safe and reliable operation in challenging environments. Additionally, the module complies with RoHS regulations, underscoring its commitment to environmental sustainability and regulatory compliance
特徴
- Series: CoolMOS S5
- Package/Case: TO-247-3
- MOSFET type: N-Channel
応用
- Next-gen automation
- High-performance tools
- Remote energy management
仕様
| パラメータ | 価値 | パラメータ | 価値 |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | Infineon | Product Category: | MOSFET |
| RoHS: | Details | Technology: | Si |
| Mounting Style: | SMD/SMT | Package / Case: | HSOG-8 |
| Transistor Polarity: | N-Channel | Number of Channels: | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 80 V | Id - Continuous Drain Current: | 300 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.7 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.8 V | Qg - Gate Charge: | 231 nC |
| Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 175 C |
| Pd - Power Dissipation: | 375 W | Channel Mode: | Enhancement |
| Packaging: | Cut Tape | Brand: | Infineon Technologies |
| Configuration: | Single | Fall Time: | 55 ns |
| Product Type: | MOSFET | Rise Time: | 19 ns |
| Factory Pack Quantity: | 1800 | Subcategory: | MOSFETs |
| Transistor Type: | 1 N-Channel | Typical Turn-Off Delay Time: | 69 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 31 ns | Part # Aliases: | IAUS300N08S5N012 SP001643336 |
| Unit Weight: | 0.027197 oz |
配送
| 配送タイプ | 配送料 | リードタイム | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
 |
フェデックス | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
 |
登録された航空便 | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
処理時間：送料は地域や国によって異なります。
支払い
| 支払条件 | ハンドフィー | |
|---|---|---|
 |
電信送金 | 銀行手数料 US$30.00 を請求します。 |
 |
ペイパル | 4.0％のサービス料がかかります。 |
 |
クレジットカード | 3.5％のサービス料がかかります。 |
 |
ウエスタンユニオン | charge US.00 banking fee. |
 |
送金サービス | 銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。 |
保証
1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。
2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。 ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。
パッキング
-
![製品]( "製品")
ステップ1 :製品
-
![真空包装]( "真空包装")
ステップ2 :真空包装
-
![静電気防止袋]( "静電気防止袋")
ステップ3 :静電気防止袋
-
![個包装]( "個包装")
ステップ4 :個包装
-
![梱包箱]( "梱包箱")
ステップ5 :梱包箱
-
![バーコード配送タグ]( "バーコード配送タグ")
ステップ6 :バーコード配送タグ
すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。
社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。
私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。
すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。 優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。
パーツポイント
-
The IAUS300N08S5N012ATMA1 is a high-performance, power-efficient chip designed for use in mobile devices, such as smartphones and tablets. It features advanced technology for faster processing speeds and lower power consumption, making it ideal for demanding applications and multitasking. This chip offers a balance of performance and energy efficiency for improved user experience.
-
Equivalent
The equivalent products of IAUS300N08S5N012ATMA1 chip are the NTR300N08T1G and NDP6020P. These are both N-channel power MOSFETs with similar specifications and performance characteristics. -
Features
1. Part Number: IAUS300N08S5N012ATMA1 2. Current Rating: 300A 3. Voltage Rating: 800V 4. Package: S5 5. Configuration: Half Bridge 6. Application: Motor Control 7. Technology: Trench-Gate IGBT 8. Fast switching and high efficiency. -
Pinout
The IAUS300N08S5N012ATMA1 is a power IC with 12 pins. It is used for controlling and regulating power in automotive applications, specifically in brushless DC motor drives. Some of its functions include overcurrent protection, undervoltage lockout, and thermal shutdown to ensure safe and efficient operation. -
Manufacturer
Infineon Technologies is the manufacturer of IAUS300N08S5N012ATMA1. It is a German semiconductor company that offers a wide range of products including power semiconductors, microcontrollers, sensors, and other electronic components for various industries such as automotive, industrial, and consumer electronics. -
Application Field
IAUS300N08S5N012ATMA1 is commonly used in power management applications, motor control, uninterruptible power supplies, and solar inverters. It is suitable for various industrial automation and robotics applications, as well as grid-tied inverters and industrial drives. The module's high power density and efficiency make it ideal for demanding power electronic systems. -
Package
The IAUS300N08S5N012ATMA1 chip is packaged in a surface mount TO-252-3 (DPAK) form with a size of 6.63mm x 9.6mm.
私たちは高品質の製品、思いやりのあるサービス、販売後の保証を提供します
-
![製品]( "製品")
豊富な商品を取り揃えておりますので、お客様の様々なニーズにお応え致します。
-
![quantity]( "quantity")
最小注文数量は1個からとなります。
-
![shipping]( "shipping")
最低国際配送料は0.00ドルから
-
![保証]( "保証")
全商品365日品質保証
