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FQD1N60CTM 48HRS

600V-rated N-MOSFET transistor operating in unipolar mode, capable of conducting currents up to 0

ISO14001 ISO9001 DUNS

ブランド: Onsemi

製造元部品 #: FQD1N60CTM

データシート: FQD1N60CTM データシート (PDF)

パッケージ/ケース: DPAK-3

RoHS ステータス:

在庫状況: 9,458 個、新しいオリジナル

製品の種類: Single FETs, MOSFETs

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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数量 単価 外部価格
1 $0.494 $0.494
10 $0.441 $4.410
30 $0.416 $12.480
100 $0.390 $39.000
500 $0.374 $187.000
1000 $0.366 $366.000

在庫あり: 9,458 PCS

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FQD1N60CTM 概要

The FQD1N60CTM stands out in the world of power MOSFETs for its innovative design and optimized performance. With a focus on enhancing efficiency and reducing power loss, this N-Channel MOSFET is ideal for a wide range of applications including switched mode power supplies, active power factor correction, and electronic lamp ballasts. Thanks to its unique planar stripe and DMOS technology, this device offers superior on-state resistance and exceptional switching capabilities, making it a top choice for engineers and manufacturers alike

特徴

  • Long lifespan guaranteed
  • Wide operating range
  • Low electromagnetic interference
  • Suitable for high-vibration applications
  • Fully compliant with safety regulations

応用

  • Long-lasting
  • Weatherproof
  • Budget-friendly

仕様

パラメータ 価値 パラメータ 価値
Status Last Shipments Compliance PbAHP
Package Type DPAK-3 / TO-252-3 Case Outline 369AS
MSL Type 1 MSL Temp (°C) 260
Container Type REEL Container Qty. 2500
ON Target N Channel Polarity N-Channel
Configuration Single V(BR)DSS Min (V) 600
VGS Max (V) ±30 VGS(th) Max (V) 4
ID Max (A) 1 PD Max (W) 28
RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) 11500 Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) 4.8
Ciss Typ (pF) 130

配送

配送タイプ 配送料 リードタイム
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
Fedex フェデックス $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
登録された航空便 登録された航空便 $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々

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2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。 ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。

パッキング

  • 製品

    ステップ1 :製品

  • 真空包装

    ステップ2 :真空包装

  • 静電気防止袋

    ステップ3 :静電気防止袋

  • 個包装

    ステップ4 :個包装

  • 梱包箱

    ステップ5 :梱包箱

  • バーコード配送タグ

    ステップ6 :バーコード配送タグ

すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。

社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。

私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。

すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。 優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。

  • ESD
  • ESD

パーツポイント

  • FQD1N60CTM is a power MOSFET chip designed for use in electronic circuits. It can handle high currents and voltages and is commonly used in applications like power supplies and motor control. The chip offers low conduction and switching losses, making it efficient and reliable.
  • Equivalent

    Some equivalent products of the FQD1N60CTM chip include the IRF840TM, IRF740TM, and IRF840. These are all power MOSFETs with similar characteristics and electrical specifications.
  • Features

    The main features of FQD1N60CTM are: a maximum drain current of 1.3A, a breakdown voltage of 600V, low on-resistance of 3.6Ω, a gate charge of 10nC, a low capacitance of 285pF, and an integrated zener diode for ESD protection.
  • Pinout

    The FQD1N60CTM is a power MOSFET with a TO-252 (DPAK) package. The pin count is 3, with the following functions: pin 1 is the gate, pin 2 is the source, and pin 3 is the drain.
  • Manufacturer

    Infineon Technologies AG is the manufacturer of the FQD1N60CTM. It is a German semiconductor manufacturer and one of the leading companies in the field of power semiconductors.
  • Application Field

    The FQD1N60CTM can be used in various applications including switch mode power supplies, motor control, lighting control, and high-frequency inverters.
  • Package

    The FQD1N60CTM chip has a TO-252 (DPAK) package type, a transistor form, and its size is 6.6mm x 6.2mm x 2.3mm.

私たちは高品質の製品、思いやりのあるサービス、販売後の保証を提供します

  • 製品

    豊富な商品を取り揃えておりますので、お客様の様々なニーズにお応え致します。

  • quantity

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  • 保証

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