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$5000
FQB55N10TM
MOSFET 100V N-Channel QFET
ブランド: onsemi
製造元部品 #: FQB55N10TM
データシート: FQB55N10TM データシート (PDF)
パッケージ/ケース: SC-70-3
RoHS ステータス:
在庫状況: 9,458 個、新しいオリジナル
製品の種類: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*すべての価格は米ドルです
| 数量 | 単価 | 外部価格 |
|---|---|---|
| 1 | $1.784 | $1.784 |
| 10 | $1.551 | $15.510 |
| 30 | $1.406 | $42.180 |
| 100 | $1.257 | $125.700 |
| 500 | $1.191 | $595.500 |
| 800 | $1.161 | $928.800 |
在庫あり: 9,458 PCS
FQB55N10TM 概要
The FQB55N10TM is a high-quality MOSFET that has been specifically engineered to provide superior performance in a variety of applications. Its enhanced technology allows for efficient power delivery, reduced resistance, and reliable switching capabilities. This makes it an ideal choice for projects that require precision control and high power output. Whether you're a hobbyist or a professional, you can trust the FQB55N10TM to deliver the results you need
特徴
- High-voltage rated
- Low leakage current
- Excellent thermal performance
- Robust construction
- High-reliability
応用
- Real Estate
- Media and Publishing
- Nonprofit Organizations
仕様
| パラメータ | 価値 | パラメータ | 価値 |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | onsemi | Product Category: | MOSFET |
| RoHS: | Details | Technology: | Si |
| Mounting Style: | SMD/SMT | Package / Case: | SC-70-3 |
| Transistor Polarity: | N-Channel | Number of Channels: | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V | Id - Continuous Drain Current: | 55 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 26 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 25 V, + 25 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V | Qg - Gate Charge: | 98 nC |
| Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 175 C |
| Pd - Power Dissipation: | 3.75 W | Channel Mode: | Enhancement |
| Series: | FQB55N10 | Packaging: | MouseReel |
| Brand: | onsemi / Fairchild | Configuration: | Single |
| Fall Time: | 140 ns | Forward Transconductance - Min: | 38 S |
| Height: | 4.83 mm | Length: | 10.67 mm |
| Product Type: | MOSFET | Rise Time: | 250 ns |
| Factory Pack Quantity: | 800 | Subcategory: | MOSFETs |
| Transistor Type: | 1 N-Channel | Type: | MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 110 ns | Typical Turn-On Delay Time: | 25 ns |
| Width: | 9.65 mm |
配送
| 配送タイプ | 配送料 | リードタイム | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
 |
フェデックス | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
 |
登録された航空便 | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
処理時間：送料は地域や国によって異なります。
支払い
| 支払条件 | ハンドフィー | |
|---|---|---|
 |
電信送金 | 銀行手数料 US$30.00 を請求します。 |
 |
ペイパル | 4.0％のサービス料がかかります。 |
 |
クレジットカード | 3.5％のサービス料がかかります。 |
 |
ウエスタンユニオン | charge US.00 banking fee. |
 |
送金サービス | 銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。 |
保証
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2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。 ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。
パッキング
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ステップ1 :製品
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![真空包装]( "真空包装")
ステップ2 :真空包装
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ステップ3 :静電気防止袋
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ステップ4 :個包装
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ステップ5 :梱包箱
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ステップ6 :バーコード配送タグ
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私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。
すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。 優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。
パーツポイント
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The FQB55N10TM is a high-performance, N-channel MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) designed for power management applications. It features a low on-resistance, high current capacity, and high switching speed, making it ideal for use in DC-DC converters, motor control, and other high-power applications.
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Equivalent
The equivalent products of FQB55N10TM chip are: 1. FQPF55N10TM 2. FQD55N10TM 3. FQD60N03LTM These are all power MOSFET transistors that can be used as substitutes for the FQB55N10TM chip in various electronic circuits. -
Features
The FQB55N10TM is a 100V N-Channel MOSFET transistor with a maximum current rating of 55A. It features low on-resistance, high transconductance, and a fast switching speed, making it suitable for high-power applications such as motor control, power supplies, and inverters. -
Pinout
FQB55N10TM is a MOSFET transistor with a pin count of 3. The pins are Gate, Drain, and Source. The transistor is designed for use as a switch in power management applications, with a maximum voltage rating of 100V and a continuous drain current of 55A. -
Manufacturer
FQB55N10TM is manufactured by Fairchild Semiconductor, a leading global supplier of power semiconductors. Fairchild Semiconductor specializes in the design and manufacture of high-performance power and signal management devices for a wide range of applications including industrial, automotive, and consumer electronics. -
Application Field
FQB55N10TM is typically used in applications where high power, efficiency, and reliability are required, such as in power supplies, motor control, lighting, and switch mode power supplies. It can also be used in automotive applications, industrial equipment, and renewable energy systems. -
Package
The FQB55N10TM chip comes in a TO-263 package with a TO-263-3 form (D2 Pak) and size dimensions of 10.54mm x 8.94mm x 3.05mm.
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