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FQA38N30

Name: FQA38N30
Rating: 4.5 (10 reviews)

N-Channel 300 V 38.4A (Tc) 290W (Tc) Through Hole TO-3P

ブランド: Onsemi

製造元部品 #: FQA38N30

データシート: FQA38N30 データシート (PDF)

パッケージ/ケース: TO-3PN-3

製品の種類: Single FETs, MOSFETs

RoHS ステータス:

在庫状況: 9,458 個、新しいオリジナル

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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FQA38N30 概要

These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using ON Semiconductor’s proprietary, planar stripe, DMOS technology.This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficiency switch mode power supply, power factor correction, electronic lamp ballast based on half bridge.

特徴

38.4 A, 300 V, R_DS(on) = 85 mΩ (Max.) @ V_GS = 10 V, I_D = 19.2 A
Low Gate Charge (Typ. 90 nC)
Low Crss (Typ. 70 pF)
100% Avalanche Tested
RoHS compliant

仕様

パラメータ	価値	パラメータ	価値
Product Category	MOSFET	RoHS	Details
REACH	Details	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Package / Case	TO-3PN-3
Transistor Polarity	N-Channel	Number of Channels	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	300 V	Id - Continuous Drain Current	38.4 A
Rds On - Drain-Source Resistance	85 mOhms	Vgs - Gate-Source Voltage	- 30 V, + 30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	5 V	Qg - Gate Charge	90 nC
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Pd - Power Dissipation	290 W	Channel Mode	Enhancement
Series	FQA38N30	Brand	onsemi / Fairchild
Configuration	Single	Fall Time	190 ns
Forward Transconductance - Min	24 S	Height	20.1 mm
Length	16.2 mm	Product Type	MOSFET
Rise Time	430 ns	Factory Pack Quantity	450
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 N-Channel
Type	MOSFET	Typical Turn-Off Delay Time	170 ns
Typical Turn-On Delay Time	80 ns	Width	5 mm
Part # Aliases	FQA38N30_NL

配送

	配送料	リードタイム
DHL	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
フェデックス	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
UPS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
TNT	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
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	送金サービス	銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。

保証

1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。

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パッキング

ステップ1 :製品
ステップ2 :真空包装
ステップ3 :静電気防止袋
ステップ4 :個包装
ステップ5 :梱包箱
ステップ6 :バーコード配送タグ

すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。

社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。

私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。

すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。

パーツポイント

The FQA38N30 is a power MOSFET transistor designed for high-power applications, such as motor control and power supplies. It has a maximum drain current rating of 38A and a low ON resistance of 0.036 ohms. This chip can handle high power levels efficiently and is ideal for use in demanding electronic systems.
Equivalent

The equivalent products of FQA38N30 chip are IRF3205, IRF3710, IRF540, IRF630, and IRF640.
Features

FQA38N30 is a high-power MOSFET transistor with a current rating of 38A and a voltage rating of 300V. It has low on-resistance, fast switching speeds, and high energy efficiency. This transistor is designed for use in power supply and motor control applications where high performance is required.
Pinout

FQA38N30 is a MOSFET transistor with a 3-pin TO-3P package. It has 3 pins - gate (G), drain (D), and source (S). The function of this component is to switch and amplify electronic signals in power applications.
Manufacturer

The manufacturer of FQA38N30 is Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor is a global company that specializes in designing, manufacturing, and selling power management and semiconductor technologies. They provide solutions for various industries including automotive, consumer electronics, and industrial applications.
Application Field

FQA38N30 is a power MOSFET transistor commonly used in various applications such as power supplies, motor control, and automotive systems. It is suitable for high-current, high-speed switching applications due to its low on-state resistance and fast switching speed.
Package

The FQA38N30 chip is a MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) with a TO-3P package, in a through-hole form, measuring 8.89mm x 7.62mm x 4.19mm.