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FQA11N90

Name: FQA11N90
Rating: 4.5 (10 reviews)

High-Power N-Channel MOSFET Transistor

ブランド: Onsemi

製造元部品 #: FQA11N90

データシート: FQA11N90 データシート (PDF)

パッケージ/ケース: TO-3PN-3

RoHS ステータス:

在庫状況: 5,577 個、新しいオリジナル

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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FQA11N90 概要

The FQA11N90 is a Power MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) with a voltage rating of 900V and a continuous drain current of 11A. It features a low on-resistance (RDS(on)) of 0.66 ohms which allows for efficient power handling and reduced power losses. The transistor is designed for use in various high-power applications such as power supplies, motor control, and inverters.The FQA11N90 offers high reliability and performance due to its advanced technology and materials. It is built with a rugged and reliable design, making it suitable for demanding industrial applications. The transistor is housed in a TO-3P package which provides good thermal properties and allows for easy mounting on a heat sink.In addition to its high voltage and current ratings, the FQA11N90 also has low gate charge and gate threshold voltage, making it easy to drive and control. Its fast switching speed further enhances its efficiency and performance in high-frequency applications.

特徴

900V Drain-Source Voltage
11A Drain Current
3.5V Gate-Source Voltage
Low on-resistance
Fast switching speed
Low input capacitance
High ruggedness
TO-3P package
Designed for high power applications

応用

Power supplies
Motor control
Lighting applications
Solar inverters
Welding equipment
Induction heating systems
Switch mode power supplies
Uninterruptible power supplies
Industrial automation
Renewable energy systems

仕様

パラメータ	価値	パラメータ	価値
Product Category	MOSFET	RoHS	Details
Technology	Si	Mounting Style	Through Hole
Package / Case	TO-3PN-3	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	900 V
Id - Continuous Drain Current	11.4 A	Rds On - Drain-Source Resistance	960 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 30 V, + 30 V	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	300 W
Channel Mode	Enhancement	Brand	onsemi / Fairchild
Configuration	Single	Fall Time	90 ns
Forward Transconductance - Min	12 S	Height	20.1 mm
Length	16.2 mm	Product Type	MOSFET
Rise Time	135 ns	Factory Pack Quantity	450
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 N-Channel
Type	MOSFET	Typical Turn-Off Delay Time	165 ns
Typical Turn-On Delay Time	65 ns	Width	5 mm
Part # Aliases	FQA11N90_NL

配送

	配送料	リードタイム
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フェデックス	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
UPS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
TNT	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
EMS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
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