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DMN63D8LDW-7
DMN63D8LDW-7 is a package containing two N-Channel MOSFETs with a continuous drain current rating of 220mA at 30V and a power dissipation of 300mW
![ISO14001](/img/about/iso14001.png)
![ISO9001](/img/about/iso9001.png)
![DUNS](/img/about/duns.png)
ブランド: Diodes Incorporated
製造元部品 #: DMN63D8LDW-7
データシート: DMN63D8LDW-7 データシート (PDF)
パッケージ/ケース: SOT-363-6
RoHS ステータス:
在庫状況: 9,111 個、新しいオリジナル
製品の種類: FET, MOSFET Arrays
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*すべての価格は米ドルです
数量 | 単価 | 外部価格 |
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10 | $0.042 | $0.420 |
100 | $0.037 | $3.700 |
300 | $0.035 | $10.500 |
3000 | $0.027 | $81.000 |
6000 | $0.026 | $156.000 |
9000 | $0.025 | $225.000 |
在庫あり: 9,111 PCS
DMN63D8LDW-7 概要
In the realm of automotive electronics, the DMN63D8LDW-7 MOSFET stands out as a high-quality, dual N-channel component suitable for a wide range of applications. With its 30V drain-source voltage and 260mA continuous drain current rating, this MOSFET provides robust power handling capabilities while maintaining an on-resistance of 2.8ohm at a test voltage of 10V. The threshold voltage of 1.5V and maximum operating temperature of 150°C further enhance the versatility of this component, allowing it to perform reliably in demanding automotive environments
特徴
HIGH RELIABILITY応用
SWITCHING仕様
パラメータ | 価値 | パラメータ | 価値 |
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Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
Package / Case | SOT-363-6 | Transistor Polarity | N-Channel |
Number of Channels | 2 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
Id - Continuous Drain Current | 260 mA | Rds On - Drain-Source Resistance | 2.8 Ohms |
Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 800 mV |
Qg - Gate Charge | 870 pC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 400 mW |
Channel Mode | Enhancement | Series | DMN63D8 |
Brand | Diodes Incorporated | Configuration | Dual |
Fall Time | 6.3 ns | Forward Transconductance - Min | 80 mS |
Product Type | MOSFET | Rise Time | 3.2 ns |
Factory Pack Quantity | 3000 | Subcategory | MOSFETs |
Transistor Type | 2 N-Channel | Typical Turn-Off Delay Time | 12 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 3.3 ns |
配送
配送タイプ | 配送料 | リードタイム | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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フェデックス | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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登録された航空便 | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
処理時間:送料は地域や国によって異なります。
支払い
支払条件 | ハンドフィー | |
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電信送金 | 銀行手数料 US$30.00 を請求します。 |
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ペイパル | 4.0%のサービス料がかかります。 |
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クレジットカード | 3.5%のサービス料がかかります。 |
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ウエスタンユニオン | charge US.00 banking fee. |
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送金サービス | 銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。 |
保証
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2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。 ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。
パッキング
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ステップ1 :製品
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ステップ2 :真空包装
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ステップ3 :静電気防止袋
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ステップ4 :個包装
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ステップ5 :梱包箱
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ステップ6 :バーコード配送タグ
すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。
社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。
私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。
すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。 優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。
パーツポイント
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The DMN63D8LDW-7 chip is a low-power RF transceiver designed for wireless communication applications. It operates in the frequency range of 420 MHz to 475 MHz and 850 MHz to 940 MHz, making it suitable for various communication systems. This chip offers high performance, low power consumption, and reliable data transmission, making it ideal for IoT devices, remote control systems, and wireless sensor networks.
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Equivalent
The equivalent products of DMN63D8LDW-7 chip are IRF644B, STD6N62K3, and STD8N80K5. These are all power MOSFETs with similar specifications and performance characteristics. -
Features
DMN63D8LDW-7 is a power MOSFET transistor with a drain-source voltage of 63V, drain current of 50A, and low on-resistance of 8 mΩ. It is designed for high efficiency power management applications, with a compact and surface-mountable DFN package. -
Pinout
The DMN63D8LDW-7 is a dual N-channel MOSFET with a pin count of 8. The functions of the pins are Gate 1, Source 1, Drain 1, Source 2, Drain 2, Gate 2, NC (No Connection), and NC (No Connection). It is commonly used in power management applications. -
Manufacturer
The manufacturer of DMN63D8LDW-7 is Panasonic Corporation, a multinational corporation that specializes in electronics, home appliances, and automotive products. Panasonic is a leading manufacturer known for its innovative technologies and high-quality products. -
Application Field
DMN63D8LDW-7 is commonly used in high power, low resistance applications such as power management modules, load switches, and battery protection circuits in consumer electronics, automotive systems, and industrial applications. Its small footprint and low on-state resistance make it ideal for high current applications where low power dissipation is critical. -
Package
The DMN63D8LDW-7 chip is in a DFN-8 package type with a size of 3mm x 3mm. It is a dual N-channel MOSFET with a maximum current rating of 2.8A and a voltage rating of 60V.
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