このウェブサイトは Cookie を使用しています。 このサイトを使用すると、Cookie の使用に同意したことになります。 詳細については、こちらをご覧ください プライバシーポリシー.

注文金額が

$5000
得る $50 割引 !

TI CSD19532Q5BT

VSON-8-EP(5x6) MOSFETs ROHS, designated as product CSD19532Q5BT, is recognized for its efficiency and reliability in electronic applications

ISO14001 ISO9001 DUNS

ブランド: Texas Instruments

製造元部品 #: CSD19532Q5BT

データシート: CSD19532Q5BT データシート (PDF)

パッケージ/ケース: VSON-CLIP-8

製品の種類: Single FETs, MOSFETs

RoHS ステータス:

在庫状況: 250 個、新しいオリジナル

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

簡単な見積もり

RFQを提出してください CSD19532Q5BT またはメールでご連絡ください: メール: [email protected], 12時間以内にご連絡させていただきます。

CSD19532Q5BT 概要

The CSD19532Q5BT from Texas Instruments is a dual N-channel NexFET power MOSFET that offers high efficiency and reliability for a wide range of power management applications. With a low on-state resistance of 30mΩ at 10V gate drive, this MOSFET allows for minimal power dissipation and the capability to handle high currents, making it ideal for demanding systems in telecom, computing, industrial, and consumer electronics

CSD19532Q5BT

特徴

  • Compact design for small spaces
  • Ergonomic handle for comfortable grip
  • Fast charging capability ensured
  • Lithium-ion battery for high capacity
  • User-friendly interface for easy operation
  • Durable construction for long lifespan

応用

  • Custom sound systems
  • Wireless headphones
  • Bluetooth speakers

仕様

パラメータ 価値 パラメータ 価値
Product Category MOSFET RoHS Details
REACH Details Technology Si
Mounting Style SMD/SMT Package / Case VSON-CLIP-8
Transistor Polarity N-Channel Number of Channels 1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 100 V Id - Continuous Drain Current 100 A
Rds On - Drain-Source Resistance 4.9 mOhms Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 2.6 V Qg - Gate Charge 48 nC
Minimum Operating Temperature - 55 C Maximum Operating Temperature + 150 C
Pd - Power Dissipation 3.1 W Channel Mode Enhancement
Tradename NexFET Series CSD19532Q5B
Brand Texas Instruments Configuration Single
Fall Time 6 ns Forward Transconductance - Min 84 S
Height 1 mm Length 6 mm
Product Type MOSFET Rise Time 6 ns
Factory Pack Quantity 250 Subcategory MOSFETs
Transistor Type 1 N-Channel Typical Turn-Off Delay Time 22 ns
Typical Turn-On Delay Time 7 ns Width 5 mm
Unit Weight 0.003714 oz

配送

配送タイプ 配送料 リードタイム
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
Fedex フェデックス $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
登録された航空便 登録された航空便 $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々

処理時間:送料は地域や国によって異なります。

支払い

支払条件 ハンドフィー
電信送金 電信送金 銀行手数料 US$30.00 を請求します。
ペイパル ペイパル 4.0%のサービス料がかかります。
クレジットカード クレジットカード 3.5%のサービス料がかかります。
ウエスタンユニオン ウエスタンユニオン charge US.00 banking fee.
送金サービス 送金サービス 銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。

保証

1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。

2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。 ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。

パッキング

  • 製品

    ステップ1 :製品

  • 真空包装

    ステップ2 :真空包装

  • 静電気防止袋

    ステップ3 :静電気防止袋

  • 個包装

    ステップ4 :個包装

  • 梱包箱

    ステップ5 :梱包箱

  • バーコード配送タグ

    ステップ6 :バーコード配送タグ

すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。

社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。

私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。

すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。 優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。

  • ESD
  • ESD

パーツポイント

  • The CSD19532Q5BT chip is a multi-function power management integrated circuit (PMIC) developed by Texas Instruments. It includes features like voltage regulators, load switches, and battery chargers, making it suitable for use in a wide range of portable electronic devices. The chip provides efficient power management and helps extend battery life, making it a popular choice in the industry.
  • Equivalent

    Some equivalent products of the CSD19532Q5BT chip include the CSD18532Q5BT and the CSD18534Q5B.
  • Features

    The CSD19532Q5BT is a NexFET Power Stage for high-current applications. It features optimized efficiency, low switching losses, compact footprint, and reliable operation. It also has a wide input voltage range, high current capability, and integrated protection features such as thermal shutdown and overcurrent protection.
  • Pinout

    The CSD19532Q5BT is a 5V, N-channel NexFET power MOSFET. It has a pin count of 8 pins, including the gate, drain, and source pins. The function of this device is to switch and control high power loads in various applications such as power supplies, motor drives, and DC-DC converters.
  • Manufacturer

    The manufacturer of the CSD19532Q5BT is Texas Instruments. Texas Instruments is a multinational semiconductor company that designs and manufactures a wide range of integrated circuits and electronic devices.
  • Application Field

    The CSD19532Q5BT is a power stage IC, typically used in motor control applications such as industrial automation, robotics, and automotive systems. It offers protection features like overcurrent and overtemperature protection, making it suitable for demanding environments where high power and efficient motor control are required.
  • Package

    The CSD19532Q5BT chip is packaged in a small outline no-lead (SON) package. It has a form factor of a quad flat no-lead (QFN) and a size of 3mm x 3mm.

私たちは高品質の製品、思いやりのあるサービス、販売後の保証を提供します

  • 製品

    豊富な商品を取り揃えておりますので、お客様の様々なニーズにお応え致します。

  • quantity

    最小注文数量は1個からとなります。

  • shipping

    最低国際配送料は0.00ドルから

  • 保証

    全商品365日品質保証

評価とレビュー

評価
製品を評価してください。
コメントを入力してください

コメントはアカウントにログインしてから送信してください。

提出する

推薦する

  • U406

    U406

    TI

    JFET JFET N-Channel(Dual) -50V Low Ciss

  • CSD87588N

    CSD87588N

    TI

    Mosfet Array 30V 25A 6W Surface Mount 5-PTAB (3x2....

  • CSD18563Q5A

    CSD18563Q5A

    Texas Instruments

    High-power N-Channel MOSFET in an 8-pin SON packag...

  • CSD19502Q5B

    CSD19502Q5B

    Texas Instruments

    Low On-Resistance and Fast Switching Speed for Rel...

  • CSD17576Q5B

    CSD17576Q5B

    TI

    CSD17576Q5B is a 30-V N-Channel NexFET Power MOSFE...

  • CSD17577Q3A

    CSD17577Q3A

    Texas Instruments

    30V N-channel power MOSFET