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BSS84-7-F

Name: BSS84-7-F
Rating: 4.5 (10 reviews)

BSS84-7-F: MOSFETP50V0.13ASOT23, RL

ブランド: Diodes Incorporated

製造元部品 #: BSS84-7-F

データシート: BSS84-7-F データシート (PDF)

パッケージ/ケース: SOT-23-3

RoHS ステータス:

在庫状況: 4213 個、新しいオリジナル

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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BSS84-7-F 概要

The BSS84-7-F is a dual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a SOT-23 surface-mount package. It features a drain-source voltage (VDS) of 50V and a continuous drain current (ID) of 130mA. This FET has low on-resistance, with a typical value of 8 ohms, providing efficient switching performance.The gate-source voltage (VGS) ranges from -8V to 8V, allowing for versatile control over the FET's operation. This FET is suitable for various applications, including power management, battery charging circuits, and voltage regulation.The BSS84-7-F has a compact and lightweight design, making it ideal for space-constrained applications. It is RoHS compliant, ensuring that it meets environmental standards for lead-free components.

特徴

Surface mount N-Channel enhancement mode field-effect transistor
Low on-resistance
Low threshold voltage
Low input capacitance
High switching speed
High current handling capability
Logic level compatible
High ruggedness
Designed for low voltage applications
Lead-free and RoHS compliant

応用

Switching applications in portable electronics
Power management in mobile phones
Battery protection circuits
DC-DC converters
Voltage regulators
Lighting control circuits
Motor control circuits
Signal amplification
Audio amplifiers
Integrated circuits for low-power applications

仕様

パラメータ	価値	パラメータ	価値
Product Category	MOSFET	RoHS	Details
Technology	Si	Mounting Style	SMD/SMT
Package / Case	SOT-23-3	Transistor Polarity	P-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	50 V
Id - Continuous Drain Current	130 mA	Rds On - Drain-Source Resistance	10 Ohms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	800 mV
Qg - Gate Charge	280 pC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	300 mW
Channel Mode	Enhancement	Series	BSS84
Brand	Diodes Incorporated	Configuration	Single
Forward Transconductance - Min	0.05 S	Height	1 mm
Length	2.9 mm	Product	MOSFET Small Signals
Product Type	MOSFET	Factory Pack Quantity	3000
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 P-Channel
Type	Enhancement Mode Field Effect Transistor	Typical Turn-Off Delay Time	18 ns
Typical Turn-On Delay Time	10 ns	Width	1.3 mm
Unit Weight	0.000282 oz

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フェデックス	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
UPS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
TNT	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
EMS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
登録された航空便	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々

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