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注文金額が
$5000Infineon BSC670N25NSFDATMA1
This MOSFET, labeled BSC670N25NSFDATMA1, is packaged in a TDSON-8 format and is compliant with the ROHS directive
ブランド: Infineon Technologies Corporation
製造元部品 #: BSC670N25NSFDATMA1
データシート: BSC670N25NSFDATMA1 Datasheet (PDF)
パッケージ/ケース: PG-TDSON-8
製品の種類: Single FETs, MOSFETs
BSC670N25NSFDATMA1 概要
Product BSC670N25NSFDATMA1 is a cutting-edge power MOSFET from Infineon's latest OptiMOS Fast Diode (FD) series. Specifically designed for hard switching applications in telecom, industrial power supplies, Class D audio amplifiers, motor control, and DC-AC inverters, this MOSFET offers exceptional performance and reliability
特徴
- High efficiency motor control
- Low voltage logic level shifter
- Power conversion module design
- Smart grid energy management
- Data center power distribution
- Solar panel inverter application
応用
- Energy efficient solutions
- High performance devices
- Clean energy technologies
- Power management solutions
- Advanced electrical systems
- Green energy applications
仕様
| パラメータ | 価値 | パラメータ | 価値 |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | Infineon | Product Category: | MOSFET |
| RoHS: | Y | Technology: | Si |
| Mounting Style: | SMD/SMT | Package / Case: | TDSON-8 |
| Number of Channels: | 1 Channel | Transistor Polarity: | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 250 V | Id - Continuous Drain Current: | 24 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 59 mOhms | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | 20 V | Qg - Gate Charge: | 30 nC |
| Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 175 C |
| Pd - Power Dissipation: | 150 W | Configuration: | Single |
| Channel Mode: | Enhancement | Tradename: | OptiMOS |
| Packaging: | Reel | Series: | OptiMOS Fast Diode |
| Transistor Type: | 1 N-Channel | Brand: | Infineon Technologies |
| Forward Transconductance - Min: | 24 S | Fall Time: | 4 ns |
| Product Type: | MOSFET | Rise Time: | 3.6 ns |
| Factory Pack Quantity: | 5000 | Subcategory: | MOSFETs |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 19 ns | Typical Turn-On Delay Time: | 8 ns |
| Part # Aliases: | BSC670N25NSFD SP001107234 | Tags | BSC6, BSC |
| RHoS | yes | PBFree | yes |
| HalogenFree | yes |
配送
| 配送タイプ | 配送料 | リードタイム | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
 |
フェデックス | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
 |
登録された航空便 | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
処理時間：送料は地域や国によって異なります。
支払い
| 支払条件 | ハンドフィー | |
|---|---|---|
 |
電信送金 | 銀行手数料 US$30.00 を請求します。 |
 |
ペイパル | 4.0％のサービス料がかかります。 |
 |
クレジットカード | 3.5％のサービス料がかかります。 |
 |
ウエスタンユニオン | charge US.00 banking fee. |
 |
送金サービス | 銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。 |
保証
1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。
2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。 ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。
パッキング
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![製品]( "製品")
ステップ1 :製品
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![真空包装]( "真空包装")
ステップ2 :真空包装
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![静電気防止袋]( "静電気防止袋")
ステップ3 :静電気防止袋
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![個包装]( "個包装")
ステップ4 :個包装
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![梱包箱]( "梱包箱")
ステップ5 :梱包箱
-
![バーコード配送タグ]( "バーコード配送タグ")
ステップ6 :バーコード配送タグ
すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。
社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。
私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。
すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。 優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。
パーツポイント
-
The BSC670N25NSFDATMA1 is a power transistor chip designed for high efficiency and reliability in high-power applications. With a voltage rating of 250V and a current rating of 50A, this chip is suitable for use in a wide range of industrial and automotive applications. Its advanced technology ensures low on-resistance and thermal resistance for improved performance and durability.
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Equivalent
The equivalent products of BSC670N25NSFDATMA1 chip are Infineon CoolMOS N-Channel Power MOSFET, Nexperia Power MOSFET, Renesas Power MOSFET, and Toshiba Power MOSFET with similar specifications and performance characteristics for power management applications. -
Features
- High voltage, low loss & fast switching IGBT module - 2500V collector-emitter voltage - 670A collector current - NPT3 technology for high efficiency - Direct copper bonded Al2O3 ceramic baseplate - Soldering process on DCB without any insulating material - Integrated gate resistance for easier installation & optimized EMI performance -
Pinout
BSC670N25NSFDATMA1 is a 25-pin socket contact with a flat top-positioned on the center of the pad-entry arrangement. The main function of BSC670N25NSFDATMA1 is to provide a reliable and secure connection between the socket and the device being connected. -
Manufacturer
Infineon Technologies is the manufacturer of BSC670N25NSFDATMA1. It is a semiconductor manufacturer, specializing in components for automotive, industrial, and security applications. The company is known for its high-quality power and sensor solutions, as well as its innovative technology in fields such as renewable energy and digital security. -
Application Field
BSC670N25NSFDATMA1 is a silicon carbide power MOSFET suitable for various high-power applications, including motor drives, electric vehicles, renewable energy systems, and industrial power supplies. It offers low on-resistance, high switching speeds, and high temperature capabilities, making it ideal for high-performance power electronics applications. -
Package
The BSC670N25NSFDATMA1 chip is a surface mount package with a form of MOSFET. It has a size of 4.6mm x 9.5mm x 0.73mm and is designed for high power applications.
データシート PDF
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