注文金額が
$5000Infineon BSC123N08NS3GATMA1
Trans MOSFET N-CH 80V 11A 8-Pin TDSON EP T/R
![ISO14001](/img/about/iso14001.png)
![ISO9001](/img/about/iso9001.png)
![DUNS](/img/about/duns.png)
ブランド: Infineon Technologies Corporation
製造元部品 #: BSC123N08NS3GATMA1
データシート: BSC123N08NS3GATMA1 Datasheet (PDF)
パッケージ/ケース: PG-TDSON-8
製品の種類: Single FETs, MOSFETs
BSC123N08NS3GATMA1 概要
N-Channel 80 V 11A (Ta), 55A (Tc) 2.5W (Ta), 66W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
特徴
- Fast Response Time Capability
- High Current Handling Capability
- Wide Operating Voltage Range
応用
- Variable speed drives
- Off-grid inverters
- Resonant power supplies
仕様
パラメータ | 価値 | パラメータ | 価値 |
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RHoS | yes | PBFree | yes |
HalogenFree | yes |
配送
配送タイプ | 配送料 | リードタイム | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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フェデックス | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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登録された航空便 | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
処理時間:送料は地域や国によって異なります。
支払い
支払条件 | ハンドフィー | |
---|---|---|
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電信送金 | 銀行手数料 US$30.00 を請求します。 |
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ペイパル | 4.0%のサービス料がかかります。 |
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クレジットカード | 3.5%のサービス料がかかります。 |
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ウエスタンユニオン | charge US.00 banking fee. |
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送金サービス | 銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。 |
保証
1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。
2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。 ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。
パッキング
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ステップ1 :製品
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ステップ2 :真空包装
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ステップ3 :静電気防止袋
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ステップ4 :個包装
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ステップ5 :梱包箱
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ステップ6 :バーコード配送タグ
すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。
社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。
私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。
すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。 優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。
パーツポイント
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The BSC123N08NS3GATMA1 is a power MOSFET chip designed for high current applications. It features a low on-resistance and high switching speed, making it suitable for use in power management and motor control systems. This chip is commonly used in automotive, industrial, and consumer electronics applications.
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Equivalent
The equivalent products of BSC123N08NS3GATMA1 chip are STripFET™ F7 Power MOSFET in TO-252 package, Infineon OptiMOS™ Power MOSFET in TO-252 package, and Nexperia LFPAK MOSFET in LFPAK package. -
Features
BSC123N08NS3GATMA1 is a silicon carbide Schottky diode with a nominal current rating of 123A, voltage rating of 800V, and a fast switching speed. It has low reverse recovery characteristics, high surge current capability, and a TO-247 packaging. -
Pinout
The BSC123N08NS3GATMA1 is a 80V N-channel MOSFET with a total of 8 pins. It is used for power management applications due to its low on-state resistance and high current capability. -
Manufacturer
Infineon Technologies is the manufacturer of BSC123N08NS3GATMA1. It is a German semiconductor manufacturing company that specializes in power management, automotive, industrial, chip card and security products. They provide solutions for a variety of applications including automotive, industrial, communication, and consumer products. -
Application Field
BSC123N08NS3GATMA1 can be used in applications requiring high power density, high efficiency, and rugged operation such as motor drives, solar inverters, UPS systems, and power supplies. It is suitable for use in industrial and commercial applications where reliability and performance are critical. -
Package
The BSC123N08NS3GATMA1 chip comes in a D2PAK package type with a form of Surface Mount and a size of 10.33mm x 11.6mm.
データシート PDF
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