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注文金額が
$5000Infineon BSC098N10NS5ATMA1
OptiMOS 5 MOSFET power transistor rated for 100V
ブランド: Infineon Technologies Corporation
製造元部品 #: BSC098N10NS5ATMA1
データシート: BSC098N10NS5ATMA1 Datasheet (PDF)
パッケージ/ケース: PG-TDSON-8
製品の種類: Single FETs, MOSFETs
BSC098N10NS5ATMA1 概要
With a strong focus on automotive systems like power distribution, motor control, and battery management, the BSC098N10NS5ATMA1 adheres to strict automotive quality regulations, ensuring its suitability for operation in challenging environments characterized by high temperatures and vibrations. In addition to its robust design, this MOSFET comes equipped with a host of protective features such as overcurrent safeguarding and thermal shutdown mechanisms, elevating the reliability and safety standards of automotive systems
特徴
- Halogen-free and RoHS compliant
- N-channel MOSFET with high-gain amp
- Low-input capacitance for filtering use
- High-voltage drain-source voltage rating
- Fast switching frequency support
- Suitable for DC-DC converter use
- Hybrid electric vehicles
- DC bus voltage converters
- Solar power inverters
応用
仕様
| パラメータ | 価値 | パラメータ | 価値 |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | Infineon | Product Category: | MOSFET |
| RoHS: | Y | Technology: | Si |
| Mounting Style: | SMD/SMT | Package / Case: | PG-TDSON-8 |
| Number of Channels: | 1 Channel | Transistor Polarity: | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V | Id - Continuous Drain Current: | 60 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 9.8 mOhms | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.2 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | 10 V | Qg - Gate Charge: | 22 nC |
| Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation: | 69 W | Configuration: | Single |
| Channel Mode: | Enhancement | Tradename: | OptiMOS |
| Packaging: | Reel | Height: | 1.27 mm |
| Length: | 5.9 mm | Series: | OptiMOS 5 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel | Width: | 5.15 mm |
| Brand: | Infineon Technologies | Forward Transconductance - Min: | 28 S |
| Fall Time: | 4 ns | Product Type: | MOSFET |
| Rise Time: | 5 ns | Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Subcategory: | MOSFETs | Typical Turn-Off Delay Time: | 17 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 10 ns | Part # Aliases: | BSC098N10NS5 SP001241598 |
| Unit Weight: | 0.005503 oz | Tags | BSC098N10NS5A, BSC098, BSC09, BSC0, BSC |
| RHoS | yes | PBFree | yes |
| HalogenFree | yes |
配送
| 配送タイプ | 配送料 | リードタイム | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
 |
フェデックス | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
 |
登録された航空便 | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
処理時間：送料は地域や国によって異なります。
支払い
| 支払条件 | ハンドフィー | |
|---|---|---|
 |
電信送金 | 銀行手数料 US$30.00 を請求します。 |
 |
ペイパル | 4.0％のサービス料がかかります。 |
 |
クレジットカード | 3.5％のサービス料がかかります。 |
 |
ウエスタンユニオン | charge US.00 banking fee. |
 |
送金サービス | 銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。 |
保証
1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。
2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。 ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。
パッキング
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![製品]( "製品")
ステップ1 :製品
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![真空包装]( "真空包装")
ステップ2 :真空包装
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![静電気防止袋]( "静電気防止袋")
ステップ3 :静電気防止袋
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![個包装]( "個包装")
ステップ4 :個包装
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![梱包箱]( "梱包箱")
ステップ5 :梱包箱
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![バーコード配送タグ]( "バーコード配送タグ")
ステップ6 :バーコード配送タグ
すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。
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私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。
すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。 優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。
パーツポイント
-
The BSC098N10NS5ATMA1 is a power MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) chip designed for use in various electronic devices and systems. It offers high performance, low on-resistance, and efficient power handling capabilities. With a compact form factor and advanced technology, this chip is suitable for applications in power management, motor drives, and other industrial and automotive systems.
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Equivalent
The equivalent products of BSC098N10NS5ATMA1 chip are Infineon IPP098N10N5AT G, Nexperia PHN10NQ10T, ON Semiconductor NTMFS5C027N, ROHM RJK098N10, and Toshiba TK11A60U. These chips are all power MOSFETs with similar specifications and characteristics. -
Features
BSC098N10NS5ATMA1 is a 100V N-channel Power MOSFET. It has a maximum current rating of 98A and a low on-resistance of 5mΩ. The MOSFET is designed for high efficiency and power density in applications such as power supplies, motor control, and DC-DC converters. It offers reliable performance and thermal characteristics for demanding power applications. -
Pinout
The BSC098N10NS5ATMA1 is a Power MOSFET with a pin count of 8. It is used for high-side switch applications in power supplies, battery chargers, and motor control. The function of the pins includes gate control, source and drain connections, and thermal management. -
Manufacturer
Infineon Technologies is the manufacturer of the BSC098N10NS5ATMA1. It is a semiconductor company that specializes in the production of power semiconductors, microcontrollers, and sensors for a wide range of applications in the automotive, industrial, and consumer markets. -
Application Field
The BSC098N10NS5ATMA1 is a power MOSFET designed for use in high-current and high-voltage applications, such as motor control, power supplies, and lighting. It is suitable for use in a wide range of industrial and automotive applications where high efficiency and reliability are required. -
Package
The BSC098N10NS5ATMA1 chip comes in a D2PAK package type, with a form of surface mount and a size of 10.6mm x 8.7mm.
データシート PDF
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