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Infineon BSC093N04LSGATMA1

Name: BSC093N04LSGATMA1
Brand: Infineon Technologies Corporation
Rating: 4.8 (6 reviews)

Trans MOSFET N-CH 40V 13A 8-Pin TDSON EP T/R

ブランド: Infineon Technologies Corporation

製造元部品 #: BSC093N04LSGATMA1

データシート: BSC093N04LSGATMA1 Datasheet (PDF)

パッケージ/ケース: PG-TDSON-8

製品の種類: Single FETs, MOSFETs

RoHS ステータス:

在庫状況: 3,048 個、新しいオリジナル

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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BSC093N04LSGATMA1 概要

Infineon Technologies has developed the BSC093N04LSGATMA1 power MOSFET transistor to meet the needs of high-power applications with its impressive specifications. With a 40V drain-source voltage rating and a continuous drain current of 130A, this transistor is well-suited for demanding tasks that require efficient power handling. Its low on-resistance of 9.3 mΩ contributes to minimal power loss and ensures high efficiency during operation

特徴

Advanced thermal management system
Low noise emission and efficient heat dissipation
Robust construction for reliable operations

応用

Power distribution
Hybrid vehicles
Motor drives

仕様

パラメータ	価値	パラメータ	価値
RHoS	yes	PBFree	yes
HalogenFree	yes

配送

	配送料	リードタイム
DHL	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
フェデックス	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
UPS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
TNT	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
EMS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
登録された航空便	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々

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支払い

支払条件		ハンドフィー
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	ペイパル	4.0％のサービス料がかかります。
	クレジットカード	3.5％のサービス料がかかります。
	ウエスタンユニオン	charge US.00 banking fee.
	送金サービス	銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。

保証

1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。

2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。

パッキング

ステップ1 :製品
ステップ2 :真空包装
ステップ3 :静電気防止袋
ステップ4 :個包装
ステップ5 :梱包箱
ステップ6 :バーコード配送タグ

すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。

社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。

私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。

すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。

パーツポイント

The BSC093N04LSGATMA1 is a power MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) chip designed for use in high-performance applications. It features a low ON resistance and high current handling capability, making it ideal for use in power management circuits, motor control, and other high-power applications.
Equivalent

The equivalent products of BSC093N04LSGATMA1 chip are BSC093N04LS6G, BSC093N04NS6G, and BSC093N04NSATMA1. These are all N-channel MOSFET transistors with similar specifications and performance characteristics.
Features

The BSC093N04LSGATMA1 is a power MOSFET featuring a drain-source voltage of 40V and continuous drain current of 150A. It has a low on-state resistance of 1.9mΩ and is suitable for high-performance power applications. Additional features include a TO263 package and enhanced thermal management capabilities.
Pinout

BSC093N04LSGATMA1 is a 30V N-channel Power MOSFET with a dual Power-SO8 package. It has a pin count of 8 pins and is commonly used for switching applications in power supplies, motor control, and battery management systems.
Manufacturer

BSC093N04LSGATMA1 is manufactured by Infineon Technologies AG, a German semiconductor company that specializes in power and chip solutions. It is a leading supplier of power semiconductors and system solutions for automotive, industrial, and consumer electronics applications.
Application Field

BSC093N04LSGATMA1 is a power MOSFET commonly used in applications such as power supplies, motor control, energy management systems, battery management systems, and DC-DC converters. It is suitable for high current and high voltage applications due to its low on-resistance and high efficiency.
Package

The BSC093N04LSGATMA1 chip is in a Power-SO8 package with a form of Surface Mount. Its size is 5mm x 6mm x 1mm.