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Infineon BSC028N06LS3GATMA1

Name: BSC028N06LS3GATMA1
Brand: Infineon Technologies Corporation
Rating: 4.8 (6 reviews)

Trans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R

ブランド: Infineon Technologies Corporation

製造元部品 #: BSC028N06LS3GATMA1

データシート: BSC028N06LS3GATMA1 Datasheet (PDF)

パッケージ/ケース: PG-TDSON-8

製品の種類: Single FETs, MOSFETs

RoHS ステータス:

在庫状況: 3,371 個、新しいオリジナル

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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BSC028N06LS3GATMA1 概要

Efficiency meets reliability with the BSC028N06LS3GATMA1 Power MOSFET from Infineon Technologies. Featuring a fast switching speed and low gate charge, this MOSFET is engineered for high-frequency switching applications where performance and precision are critical. The 2.1V gate threshold voltage ensures compatibility with a wide range of logic level drive circuits, offering flexibility and versatility in design. Housed in a compact TO-263 package, the BSC028N06LS3GATMA1 provides a space-saving solution without compromising on efficiency or power handling capabilities

特徴

Synchronous rectification enabled
Robust thermal management
Avalanche-tested for reliability

応用

Mining equipment
Electronic controls
Grid energy storage

仕様

パラメータ	価値	パラメータ	価値
RHoS	yes	PBFree	yes
HalogenFree	yes	Manufacturer:	Infineon
Product Category:	MOSFET	RoHS:	Details
Technology:	Si	Mounting Style:	SMD/SMT
Package / Case:	TDSON-8	Transistor Polarity:	N-Channel
Number of Channels:	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	60 V
Id - Continuous Drain Current:	100 A	Rds On - Drain-Source Resistance:	2.8 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage:	- 20 V, + 20 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	1.2 V
Qg - Gate Charge:	132 nC	Minimum Operating Temperature:	- 55 C
Maximum Operating Temperature:	+ 150 C	Pd - Power Dissipation:	139 W
Channel Mode:	Enhancement	Tradename:	OptiMOS
Series:	OptiMOS 3	Packaging:	MouseReel
Brand:	Infineon Technologies	Configuration:	Single
Fall Time:	19 ns	Forward Transconductance - Min:	60 S
Height:	1.27 mm	Length:	5.9 mm
Product Type:	MOSFET	Rise Time:	17 ns
Factory Pack Quantity:	5000	Subcategory:	MOSFETs
Transistor Type:	1 N-Channel	Typical Turn-Off Delay Time:	77 ns
Typical Turn-On Delay Time:	19 ns	Width:	5.15 mm
Part # Aliases:	BSC028N06LS3 G SP000453652

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	ウエスタンユニオン	charge US.00 banking fee.
	送金サービス	銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。

保証

1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。

2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。

パッキング

ステップ1 :製品
ステップ2 :真空包装
ステップ3 :静電気防止袋
ステップ4 :個包装
ステップ5 :梱包箱
ステップ6 :バーコード配送タグ

すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。

社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。

私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。

すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。

パーツポイント

The BSC028N06LS3GATMA1 is a power MOSFET chip designed for use in various high-current and high-speed switching applications. It features a low ON-resistance and high current carrying capability, making it ideal for use in power management systems, motor control, and other high-power applications.
Equivalent

The equivalent products of BSC028N06LS3GATMA1 chip are AON6232, NTMFS4C028N, and IPB180N06S4L-10. These chips have similar specifications and can be used interchangeably in various applications that require a power MOSFET.
Features

BSC028N06LS3GATMA1 is a 60V, 28A N-channel power MOSFET with low on-resistance, high current capability, and high efficiency. It is suitable for a wide range of applications including power management, motor control, and voltage regulation. This MOSFET also has a small footprint and is RoHS compliant.
Pinout

BSC028N06LS3GATMA1 is a N-channel MOSFET with a pin count of 3 (gate, source, drain). It is used for power management applications, providing low on-state resistance and high switching performance.
Manufacturer

The manufacturer of BSC028N06LS3GATMA1 is Infineon Technologies AG, a German semiconductor company that produces a wide range of products for applications including automotive, industrial, and consumer electronics. They are known for their high-quality, innovative solutions in the semiconductor industry.
Application Field

BSC028N06LS3GATMA1 is a power MOSFET transistor commonly used in high power applications such as energy conversion systems, motor control, and power supplies. It is suitable for use in various industrial, automotive, and consumer electronics applications where high efficiency and reliability are required.
Package

The BSC028N06LS3GATMA1 chip is a Power-SO8 package type, with a single form, and dimensions of 5mm x 6.05mm x 1.55mm.