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2SD1111

Name: 2SD1111
Rating: 4.5 (10 reviews)

Small Signal NPN Transistor, 700mA, 50V, TO-92 Enclosure

ブランド: Onsemi

製造元部品 #: 2SD1111

データシート: 2SD1111 データシート (PDF)

パッケージ/ケース: TO-226-3

RoHS ステータス:

在庫状況: 8,705 個、新しいオリジナル

製品の種類: Single Bipolar Transistors

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

価格設定

*すべての価格は米ドルです

数量	単価	外部価格
1	$1.169	$1.169
200	$0.453	$90.600
500	$0.437	$218.500
1000	$0.430	$430.000

在庫あり: 8,705 PCS

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2SD1111 概要

Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 50 V 700 mA 200MHz 600 mW Through Hole 3-NP

特徴

Low power consumption
High gain amplifier
Suitable for analog applications

応用

Boost audio signals
Provide steady power
Detect changes instantly
Switch circuits smoothly
Illuminate with LEDs

仕様

パラメータ	価値	パラメータ	価値
Packaging	Bulk	Part Status	Active
Transistor Type	NPN - Darlington	Current - Collector (Ic) (Max)	700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50 V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	1.2V @ 100µA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max)	100nA (ICBO)	DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	5000 @ 50mA, 2V
Power - Max	600 mW	Frequency - Transition	200MHz
Operating Temperature	150°C (TJ)	Mounting Type	Through Hole
Package / Case	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

配送

	配送料	リードタイム
DHL	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
フェデックス	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
UPS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
TNT	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
EMS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
登録された航空便	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々

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支払条件		ハンドフィー
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	ウエスタンユニオン	charge US.00 banking fee.
	送金サービス	銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。

保証

1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。

2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。

パッキング

ステップ1 :製品
ステップ2 :真空包装
ステップ3 :静電気防止袋
ステップ4 :個包装
ステップ5 :梱包箱
ステップ6 :バーコード配送タグ

すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。

社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。

私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。

すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。

パーツポイント

The 2SD1111 is a bipolar junction NPN transistor designed for general purpose amplifier and switching applications. It has a maximum collector current of 1.5A and a maximum collector-base voltage of 80V. The transistor is typically used in low power audio amplifiers, voltage regulators, and motor control circuits.
Equivalent

Equivalent products of the 2SD1111 chip include BD437, BD697, 2SD1460, and BC327. These transistors are all NPN silicon epitaxial transistors commonly used in audio amplifier circuits, voltage regulators, and general purpose switching applications. They have similar characteristics and performance as the 2SD1111 chip.
Features

The 2SD1111 is a silicon NPN epitaxial planar transistor designed for low frequency power amplifier applications. It has a maximum collector current of 1.5A, a maximum collector power dissipation of 0.75W, and a DC current gain (hFE) of 40-250. The transistor also has a low saturation voltage and high current gain bandwidth product.
Pinout

The 2SD1111 is a PNP bipolar junction transistor with a TO-126 package. It has 3 pins: the emitter (E), base (B), and collector (C). Its function is to amplify and switch electronic signals. The pinout arrangement is typically Emitter connected to pin 1, Base to pin 2, and Collector to pin 3.
Manufacturer

The 2SD1111 is manufactured by Toshiba Corporation. Toshiba is a Japanese multinational conglomerate company specializing in a diverse range of products and services, including information technology, electronic devices, power systems, industrial and social infrastructure systems, and home appliances. They are known for their innovation in various industries and their high-quality electronic components.
Application Field

The 2SD1111 is a general-purpose NPN transistor commonly used in audio amplifiers, switching circuits, and power supply applications. It can also be used in high-frequency oscillators, voltage regulators, motor control circuits, and other electronic devices that require medium power handling capabilities.
Package

The 2SD1111 chip comes in a TO-220F package type, with a through-hole form. The size of the chip is typically 3.8mm x 10mm x 4.9mm.