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Single IGBTs

画像とモデル 説明 数量 操作
IRG4PC40WPBF

High Power IGBT Transistors for Fast Switching Applications

在庫あり: 9,458

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IRG4PC50SPBF

Power Semiconductor Components - IGBTs tailored for applications requiring 600V DC operation and up to 1 kHz switching frequency

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IRG4PC60FPBF

247AC package, 600V Fast 1-8 kHz Discrete IGBT in a TO247-3, RoHS

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IRG4PF50WDPBF

900V Breakdown Voltage

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IRG4PF50WPBF

High Power IGBT Transistor

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IRG4PH40KPBF

ROHS IGBTs 160W 30A 1.2kV TO-247AC

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IRG4PH50UPBF

High power IGBT transistor

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IRG7PSH73K10PBF

Tailored for refrigeration needs

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IRGB15B60KDPBF

The IRGB15B60KDPBF is designed for use in high-power applications requiring efficient switching and protection against overcurrent

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IRGP4650DPBF

Efficient and Compact Design for Space-Constrained Syste

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NGTB20N120LWG

IGBT Trench Field Stop 1200 V 40 A 192 W Through Hole TO-247-3

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SGF80N60UFTU

IGBT 600 V 80 A 110 W Through Hole TO-3PF

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IRG4BC30WPBF

23A High Current Capability IGBTs

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IRG4BC40FPBF

N-Channel IGBT with 49A Current Capacity, 600V Breakdown Capability, TO-220AB Package, 3 Pin Configuration

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IRG4BC40SPBF

High-power N-channel IGBT chip for efficient power conversio

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IRG4BC40WPBF

High-current Insulated Gate Bipolar Transistor for Power Applications

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IRG4PC30FDPBF

IGBTs capable of handling 100 watts of power

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IRG4PC30KDPBF

TO-247AC package with 3 pins and a tab for secure mounting and easy connection

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IRG4PC30UPBF

Insulated Gate Bipolar Transistor with a 23A I(C) rating and 600V V(BR)CES, featuring an N-Channel, TO-247AC package with 3 pins

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IRG4PC40FDPBF

Infineon IRG4PC40FDPBF Insulated Gate Bipolar Transistor, 49 Amps, 600 Volts, TO-247AC

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