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TOSHIBA SSM3K2615R,LF
Attributes: N Channel type, ROHS compliant, SSM3K2615R,LF model number, compact SOT-23F package
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![ISO9001](/img/about/iso9001.png)
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ブランド: Toshiba
製造元部品 #: SSM3K2615R,LF
データシート: SSM3K2615R,LF データシート (PDF)
パッケージ/ケース: SOT23F-3
RoHS ステータス:
在庫状況: 9,458 個、新しいオリジナル
製品の種類: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*すべての価格は米ドルです
数量 | 単価 | 外部価格 |
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5 | $0.249 | $1.245 |
50 | $0.205 | $10.250 |
150 | $0.185 | $27.750 |
500 | $0.162 | $81.000 |
3000 | $0.142 | $426.000 |
6000 | $0.135 | $810.000 |
在庫あり: 9,458 PCS
SSM3K2615R,LF 概要
The SSM3K2615R,LF is a state-of-the-art dual N-channel MOSFET that delivers outstanding performance in low-voltage applications. With its ultra-low threshold voltage of just 0.6V, this MOSFET is perfect for power-sensitive devices like smartphones and tablets, where efficient power management is crucial. Its maximum drain-source voltage of 20V and maximum drain current of 1.5A make it well-suited for handling moderate power loads, while its ultra-small TSSOP-6 package ensures compatibility with space-constrained designs. The device's low on-resistance of 0.35 ohms results in minimal power loss and high efficiency, contributing to extended battery life in portable devices. Additionally, the SSM3K2615R,LF features a fast switching speed, which not only reduces switching losses but also enhances overall system performance
![Toshiba Inventory Toshiba Inventory](/files/uploads/inventory/toshiba/toshiba1.jpg)
仕様
パラメータ | 価値 | パラメータ | 価値 |
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Manufacturer: | Toshiba | Product Category: | MOSFET |
RoHS: | Details | Technology: | Si |
Mounting Style: | SMD/SMT | Package / Case: | SOT-23F-3 |
Transistor Polarity: | N-Channel | Number of Channels: | 1 Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V | Id - Continuous Drain Current: | 2 A |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 300 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 20 V, + 20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 800 mV | Qg - Gate Charge: | 6 nC |
Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
Pd - Power Dissipation: | 2 W | Channel Mode: | Enhancement |
Qualification: | AEC-Q101 | Tradename: | MOSV |
Series: | SSM3K2615 | Packaging: | MouseReel |
Brand: | Toshiba | Configuration: | Single |
Fall Time: | 50 ns | Height: | 0.9 mm |
Length: | 2.9 mm | Product Type: | MOSFET |
Rise Time: | 25 ns | Factory Pack Quantity: | 3000 |
Subcategory: | MOSFETs | Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 150 ns | Typical Turn-On Delay Time: | 30 ns |
Width: | 1.3 mm |
配送
配送タイプ | 配送料 | リードタイム | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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フェデックス | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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登録された航空便 | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
処理時間:送料は地域や国によって異なります。
支払い
支払条件 | ハンドフィー | |
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電信送金 | 銀行手数料 US$30.00 を請求します。 |
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ペイパル | 4.0%のサービス料がかかります。 |
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クレジットカード | 3.5%のサービス料がかかります。 |
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ウエスタンユニオン | charge US.00 banking fee. |
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送金サービス | 銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。 |
保証
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2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。 ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。
パッキング
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ステップ1 :製品
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ステップ2 :真空包装
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ステップ3 :静電気防止袋
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ステップ4 :個包装
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ステップ5 :梱包箱
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ステップ6 :バーコード配送タグ
すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。
社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。
私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。
すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。 優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。
パーツポイント
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The SSM3K2615R,LF chip is a 20V N-channel MOSFET designed for low on-resistance in a small package. It is commonly used in power management applications such as load switches, battery protection circuits, and DC-DC converters. The chip features high efficiency and low power consumption, making it ideal for portable electronic devices.
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Equivalent
Some equivalent products to the SSM3K2615R,LF chip are Vishay's SI2303CDS-T1-GE3, Diodes Inc's DMG1026UW-7, and Nexperia's PSMN1R1-30YLC. These are all similar P-Channel MOSFETs with comparable specifications and performance characteristics. -
Features
Features of SSM3K2615R,LF: 1. N-channel enhancement mode MOSFET 2. Small footprint surface mount package (TSMT5) 3. Low threshold voltage of 0.7V 4. Low on-state resistance of 1.5 ohms 5. Low gate input capacitance for fast switching speeds. -
Pinout
The SSM3K2615R,LF is a Dual N-channel MOSFET with a pin count of 6 (SOT-353 package). It is suitable for low voltage, low current switching applications. The functions of the pins are: Pin 1 (Source1), Pin 2 (Gate1), Pin 3 (Drain1), Pin 4 (Source2), Pin 5 (Gate2), Pin 6 (Drain2). -
Manufacturer
The manufacturer of the SSM3K2615R,LF is Toshiba Semiconductor & Storage. Toshiba Semiconductor & Storage is a leading supplier of semiconductor and storage solutions, focusing on memory, microcontrollers, power devices, and optical semiconductors. The company is known for its innovative technologies and high-quality products in the electronics industry. -
Application Field
The SSM3K2615R,LF is a small signal MOSFET commonly used in applications such as power management, battery protection, load switching, and voltage regulation. It is ideal for portable electronic devices, smartphones, tablets, and other battery-powered applications where low on-resistance and low gate charge are critical for efficient performance. -
Package
The SSM3K2615R,LF chip is in a MOSFET package type, with a surface-mount form, and measures 2.9mm x 2.8mm x 1.0mm in size.
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