このウェブサイトは Cookie を使用しています。 このサイトを使用すると、Cookie の使用に同意したことになります。 詳細については、こちらをご覧ください プライバシーポリシー.

注文金額が

$5000
得る $50 割引 !

Intel RC28F256P30B85

The RC28F256P30B85 is a high-performance Flash memory chip, featuring a 16 megabit capacity and an access time of 88 nanoseconds

ISO14001 ISO9001 DUNS

ブランド: INTEL CORP

製造元部品 #: RC28F256P30B85

データシート: RC28F256P30B85 データシート (PDF)

パッケージ/ケース: BGA-64

製品の種類: メモリ

RoHS ステータス:

在庫状況: 6,554 個、新しいオリジナル

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

簡単な見積もり

RFQを提出してください RC28F256P30B85 またはメールでご連絡ください: メール: [email protected], 12時間以内にご連絡させていただきます。

RC28F256P30B85 概要

Intel's RC28F256P30B85 flash memory chip is a crucial component in the technology landscape, particularly for devices such as smartphones, tablets, and embedded systems. With a capacity of 256 megabits and a supply voltage of 2.7 to 3.6 volts, this chip offers high-density storage capabilities and high-speed access to data. Its parallel interface supports both asynchronous and synchronous read operations, and its sector architecture ensures efficient data storage and retrieval

特徴

  • High performance
  • — 85/88 ns initial access
  • — 40 MHz with zero wait states, 20 ns clock-to data output synchronous-burst read mode
  • — 25 ns asynchronous-page read mode
  • — 4-, 8-, 16-, and continuous-word burst mode
  • — Buffered Enhanced Factory Programming (BEFP) at 5 µs/byte (Typ)
  • — 1.8 V buffered programming at 7 µs/byte (Typ)
  • Architecture
  • — Multi-Level Cell Technology: Highest Density at Lowest Cost
  • — Asymmetrically-blocked architecture
  • — Four 32-KByte parameter blocks: top or bottom configuration
  • — 128-KByte main blocks
  • Voltage and Power
  • —VCC(core) voltage: 1.7 V – 2.0 V
  • —VCCQ (I/O) voltage: 1.7 V – 3.6 V
  • — Standby current: 55 µA (Typ) for 256-Mbit
  • — 4-Word synchronous read current: 13 mA (Typ) at 40 MHz
  • Quality and Reliability
  • — Operating temperature: –40 °C to +85 °C
  • 1-Gbit in SCSP is –30 °C to +85 °C
  • — Minimum 100,000 erase cycles per block
  • — ETOX™ VIII process technology (130 nm)
  • Security
  • — One-Time Programmable Registers:
  • 64 unique factory device identifier bits
  • 64 user-programmable OTP bits
  • Additional 2048 user-programmable OTP bits
  • — Selectable OTP Space in Main Array:
  • 4x32KB parameter blocks + 3x128KB main blocks (top or bottom configuration)
  • — Absolute write protection: VPP= VSS
  • — Power-transition erase/program lockout
  • — Individual zero-latency block locking
  • — Individual block lock-down
  • Software
  • — 20 µs (Typ) program suspend
  • — 20 µs (Typ) erase suspend
  • —Intel® Flash Data Integrator optimized
  • — Basic Command Set and Extended Command Set compatible
  • — Common Flash Interface capable
  • Density and Packaging
  • — 64/128/256-Mbit densities in 56-Lead TSOP package
  • — 64/128/256/512-Mbit densities in 64-Ball Intel®Easy BGA package
  • — 64/128/256/512-Mbit and 1-Gbit densities in Intel®QUAD+ SCSP
  • — 16-bit wide data bus
INTEL CORP Inventory

仕様

パラメータ 価値 パラメータ 価値
Rohs Code No Part Life Cycle Code Transferred
Ihs Manufacturer INTEL CORP Part Package Code BGA
Package Description BGA-64 Pin Count 64
Reach Compliance Code compliant ECCN Code EAR99
HTS Code 8542.32.00.51 Access Time-Max 88 ns
Additional Feature SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE Boot Block BOTTOM
Command User Interface YES Common Flash Interface YES
Data Polling NO JESD-30 Code R-PBGA-B64
JESD-609 Code e0 Length 13 mm
Memory Density 268435456 bit Memory IC Type FLASH
Memory Width 16 Number of Functions 1
Number of Sectors/Size 4,255 Number of Terminals 64
Number of Words 16777216 words Number of Words Code 16000000
Operating Mode ASYNCHRONOUS Operating Temperature-Max 85 °C
Operating Temperature-Min -40 °C Organization 16MX16
Package Body Material PLASTIC/EPOXY Package Code TBGA
Package Equivalence Code BGA64,8X8,40 Package Shape RECTANGULAR
Package Style GRID ARRAY, THIN PROFILE Page Size 4 words
Parallel/Serial PARALLEL Power Supplies 1.8,1.8/3.3 V
Programming Voltage 1.8 V Qualification Status Not Qualified
Seated Height-Max 1.2 mm Sector Size 16K,64K
Standby Current-Max 0.000005 A Supply Current-Max 0.051 mA
Supply Voltage-Max (Vsup) 2 V Supply Voltage-Min (Vsup) 1.7 V
Supply Voltage-Nom (Vsup) 1.8 V Surface Mount YES
Technology CMOS Temperature Grade INDUSTRIAL
Terminal Finish TIN LEAD Terminal Form BALL
Terminal Pitch 1 mm Terminal Position BOTTOM
Toggle Bit NO Type NOR TYPE
Width 10 mm

配送

配送タイプ 配送料 リードタイム
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
Fedex フェデックス $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
登録された航空便 登録された航空便 $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々

処理時間:送料は地域や国によって異なります。

支払い

支払条件 ハンドフィー
電信送金 電信送金 銀行手数料 US$30.00 を請求します。
ペイパル ペイパル 4.0%のサービス料がかかります。
クレジットカード クレジットカード 3.5%のサービス料がかかります。
ウエスタンユニオン ウエスタンユニオン charge US.00 banking fee.
送金サービス 送金サービス 銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。

保証

1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。

2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。 ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。

パッキング

  • 製品

    ステップ1 :製品

  • 真空包装

    ステップ2 :真空包装

  • 静電気防止袋

    ステップ3 :静電気防止袋

  • 個包装

    ステップ4 :個包装

  • 梱包箱

    ステップ5 :梱包箱

  • バーコード配送タグ

    ステップ6 :バーコード配送タグ

すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。

社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。

私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。

すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。 優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。

  • ESD
  • ESD

私たちは高品質の製品、思いやりのあるサービス、販売後の保証を提供します

  • 製品

    豊富な商品を取り揃えておりますので、お客様の様々なニーズにお応え致します。

  • quantity

    最小注文数量は1個からとなります。

  • shipping

    最低国際配送料は0.00ドルから

  • 保証

    全商品365日品質保証

評価とレビュー

評価
製品を評価してください。
コメントを入力してください

コメントはアカウントにログインしてから送信してください。

提出する

推薦する

  • PC28F128J3D75A

    PC28F128J3D75A

    Micron Technology

    5 nanosecond PBGA64 flash memory with a capacity o...

  • TE28F160S570

    TE28F160S570

    Intel Corporation

    This product is a NOR Flash device that features a...

  • TE28F128J3C150

    TE28F128J3C150

    Intel

    High-Speed 3V NOR Flash Memory

  • JS28F256P30B95

    JS28F256P30B95

    Micron Technology Inc.

    High-Speed 256M-bit NOR Flash Memory

  • JS28F128J3D75A

    JS28F128J3D75A

    Micron Technology

    JS28F128J3D75A Product Description

  • CG82NM10-SLGXX

    CG82NM10-SLGXX

    Intel

    *Technical Specifications**: Chipset NM10 Express ...